LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : IRFPE50 (TO-247) »
ID produktu: 8677
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFPE50 (TO-247)
Tranzystor IRFPE50, zamknięty w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 800V oraz prądem drenu ID wynoszącym 7.6A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o wysokiej wydajności w aplikacjach przemysłowych, oferuje niskie RDS(on) oraz zintegrowaną diodę Zenera dla ochrony bramki. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych w naszym katalogu.
Tranzystor IRFPE50 (TO-247)
Tranzystor IRFPE50, zamknięty w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 800V oraz prądem drenu ID wynoszącym 7.6A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o wysokiej wydajności w aplikacjach przemysłowych, oferuje niskie RDS(on) oraz zintegrowaną diodę Zenera dla ochrony bramki. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych w naszym katalogu.
Tranzystor o symbolu : IRFPF50 »
ID produktu: 9972
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFPF50
Tranzystor IRFPF50, typ MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDSS wynoszącym 900V, prądem drenu ID równym 6.8A oraz maksymalną mocą strat Pd wynoszącą 190W. Jego oporność w stanie przewodzenia RDS(on) osiąga wartość do 0.85?. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i przekształtnikach częstotliwości.
Tranzystor IRFPF50
Tranzystor IRFPF50, typ MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDSS wynoszącym 900V, prądem drenu ID równym 6.8A oraz maksymalną mocą strat Pd wynoszącą 190W. Jego oporność w stanie przewodzenia RDS(on) osiąga wartość do 0.85?. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i przekształtnikach częstotliwości.
Tranzystor o symbolu : IRFR1205 SMD (TO-252) »
ID produktu: 13253
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFR1205 SMD (TO-252)
Tranzystor IRFR1205, realizowany w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 55V oraz prądem drenu ID na poziomie 44A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on), maksymalizuje efektywność w aplikacjach o wysokim natężeniu. Specyfikacja obejmuje szybką diodę zabezpieczającą, która minimalizuje straty przełączania, zwiększając wydajność w układach impulsowych. Odwiedź części elektroniczne dla dalszych informacji o produkcie.
IRFR1205 SMD (TO-252)
Tranzystor IRFR1205, realizowany w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 55V oraz prądem drenu ID na poziomie 44A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on), maksymalizuje efektywność w aplikacjach o wysokim natężeniu. Specyfikacja obejmuje szybką diodę zabezpieczającą, która minimalizuje straty przełączania, zwiększając wydajność w układach impulsowych. Odwiedź części elektroniczne dla dalszych informacji o produkcie.
Tranzystor o symbolu : IRFR5305 SMD (TO-252) »
ID produktu: 14109
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFR5305 SMD (TO-252)
IRFR5305 to tranzystor typu P-MOSFET, zaprojektowany do pracy w obwodach o wysokiej efektywności, wykorzystujący obudowę SMD (TO-252). Charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds = -55V oraz prądem drenu Id = -31A. Niskie napięcie progowe Vgs zapewnia efektywną pracę w niskonapięciowych aplikacjach sterowania. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz systemach zarządzania mocą.
Tranzystor IRFR5305 SMD (TO-252)
IRFR5305 to tranzystor typu P-MOSFET, zaprojektowany do pracy w obwodach o wysokiej efektywności, wykorzystujący obudowę SMD (TO-252). Charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds = -55V oraz prądem drenu Id = -31A. Niskie napięcie progowe Vgs zapewnia efektywną pracę w niskonapięciowych aplikacjach sterowania. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz systemach zarządzania mocą.
Tranzystor o symbolu : IRFR9020 SMD »
ID produktu: 8900
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFR9020 SMD
Tranzystor typu P-Channel MOSFET, o symbolu IRFR9020, w obudowie SMD, charakteryzuje się napięciem przewodzenia Vds wynoszącym -200V oraz prądem drenu Id do -5.8A. Dedykowany do zastosowań w przetwornicach napięcia, systemach zarządzania energią oraz innych częściach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej wydajności i niezawodności.
Tranzystor IRFR9020 SMD
Tranzystor typu P-Channel MOSFET, o symbolu IRFR9020, w obudowie SMD, charakteryzuje się napięciem przewodzenia Vds wynoszącym -200V oraz prądem drenu Id do -5.8A. Dedykowany do zastosowań w przetwornicach napięcia, systemach zarządzania energią oraz innych częściach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej wydajności i niezawodności.
Tranzystor o symbolu : IRFU9024 SMD »
ID produktu: 9341
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFU9024 SMD Tranzystor
IRFU9024 SMD to tranzystor P-MOSFET, zaprojektowany do pracy w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co ułatwia sterowanie w aplikacjach o niskim napięciu. Dzięki obudowie SMD, komponent jest przystosowany do montażu powierzchniowego, co jest istotne w nowoczesnych częściach elektronicznych. Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi -55V, a prąd drenu -11A, co świadczy o jego dużej wydajności.
IRFU9024 SMD Tranzystor
IRFU9024 SMD to tranzystor P-MOSFET, zaprojektowany do pracy w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co ułatwia sterowanie w aplikacjach o niskim napięciu. Dzięki obudowie SMD, komponent jest przystosowany do montażu powierzchniowego, co jest istotne w nowoczesnych częściach elektronicznych. Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi -55V, a prąd drenu -11A, co świadczy o jego dużej wydajności.
Tranzystor o symbolu : IRFZ34N METAL (TO-220) »
ID produktu: 12812
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFZ34N METAL (TO-220)
Tranzystor IRFZ34N, w obudowie METAL (TO-220), to element półprzewodnikowy typu MOSFET N-Channel, zdolny do pracy w zakresie napięć do 55V oraz prądów do 29A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia (Rds(on)), co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy, przez układy sterowania, aż po aplikacje motoryzacyjne.
Tranzystor IRFZ34N METAL (TO-220)
Tranzystor IRFZ34N, w obudowie METAL (TO-220), to element półprzewodnikowy typu MOSFET N-Channel, zdolny do pracy w zakresie napięć do 55V oraz prądów do 29A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia (Rds(on)), co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy, przez układy sterowania, aż po aplikacje motoryzacyjne.
Tranzystor o symbolu : IRFZ42N METAL (TO-220) »
ID produktu: 14110
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFZ42N METAL (TO-220)
Tranzystor IRFZ42N, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=50V, prądem drenu Id=50A oraz niską rezystancją kanału Rds(on)=0.035?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, od zasilaczy impulsowych, poprzez przetwornice DC/DC, aż po systemy sterowania silnikami. Dla uzupełnienia projektów z obszaru części elektronicznych, model ten oferuje wysoką efektywność przełączania przy zachowaniu niskich strat mocy.
Tranzystor IRFZ42N METAL (TO-220)
Tranzystor IRFZ42N, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=50V, prądem drenu Id=50A oraz niską rezystancją kanału Rds(on)=0.035?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, od zasilaczy impulsowych, poprzez przetwornice DC/DC, aż po systemy sterowania silnikami. Dla uzupełnienia projektów z obszaru części elektronicznych, model ten oferuje wysoką efektywność przełączania przy zachowaniu niskich strat mocy.
Tranzystor o symbolu : IRFZ44N METAL (TO-220) »
ID produktu: 8678
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFZ44N METAL (TO-220)
Tranzystor IRFZ44N, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=55V, maksymalnym prądem drenu Id=49A oraz rezystancją w stanie przewodzenia Rds(on)=17.5m?. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz układach sterowania silnikami.
IRFZ44N METAL (TO-220)
Tranzystor IRFZ44N, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=55V, maksymalnym prądem drenu Id=49A oraz rezystancją w stanie przewodzenia Rds(on)=17.5m?. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz układach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : IRFZ46N METAL (TO-220) »
ID produktu: 9100
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFZ46N METAL (TO-220)
IRFZ46N, tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 55V oraz prądem drenu ID = 53A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w przetwornicach mocy i układach sterowania, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na jego efektywność. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
IRFZ46N METAL (TO-220)
IRFZ46N, tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 55V oraz prądem drenu ID = 53A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w przetwornicach mocy i układach sterowania, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na jego efektywność. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów