LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : IRFI510G PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12810
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFI510G PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor IRFI510G, wykonany w technologii MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDSS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID równym 5.6A. Obudowa TO-220F zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilających i przetwornicach.
IRFI510G PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor IRFI510G, wykonany w technologii MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDSS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID równym 5.6A. Obudowa TO-220F zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilających i przetwornicach.
Tranzystor o symbolu : IRFIBE30SG SMD »
ID produktu: 8897
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFIBE30SG SMD
Model IRFIBE30SG, będący elementem z kategorii części elektronicznych, to tranzystor typu MOSFET SMD, zaprojektowany do zastosowań w układach o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 600V oraz prądem drenu Id do 4.1A. Tranzystor ten cechuje się niską rezystancją kanału Rds(on), co przekłada się na jego efektywność w obwodach przełączających.
Tranzystor IRFIBE30SG SMD
Model IRFIBE30SG, będący elementem z kategorii części elektronicznych, to tranzystor typu MOSFET SMD, zaprojektowany do zastosowań w układach o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 600V oraz prądem drenu Id do 4.1A. Tranzystor ten cechuje się niską rezystancją kanału Rds(on), co przekłada się na jego efektywność w obwodach przełączających.
Tranzystor o symbolu : IRFIZ44 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12487
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFIZ44 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor IRFIZ44 w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się n-channel MOSFET technologią, zapewniającą wysoką wydajność przy zastosowaniach o dużej mocy. Zintegrowany w strukturze tranzystora moduł umożliwia efektywną komutację w układach elektronicznych. Dzięki swojej konstrukcji, IRFIZ44 znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, od zasilaczy impulsowych po przetwornice częstotliwości. Wysoka odporność na przepięcia oraz zdolność do pracy przy wysokich temperaturach czynią go niezastąpionym elementem w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i stabilności.
Tranzystor IRFIZ44 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor IRFIZ44 w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się n-channel MOSFET technologią, zapewniającą wysoką wydajność przy zastosowaniach o dużej mocy. Zintegrowany w strukturze tranzystora moduł umożliwia efektywną komutację w układach elektronicznych. Dzięki swojej konstrukcji, IRFIZ44 znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, od zasilaczy impulsowych po przetwornice częstotliwości. Wysoka odporność na przepięcia oraz zdolność do pracy przy wysokich temperaturach czynią go niezastąpionym elementem w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i stabilności.
Tranzystor o symbolu : IRFL4105 SMD (SOT-223) »
ID produktu: 10740
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFL4105 SMD (SOT-223)
Model IRFL4105, realizowany w obudowie SOT-223, jest tranzystorem polowym typu MOSFET o kanale N. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia efektywną pracę w obwodach o niskim napięciu zasilania. Dzięki technologii SMD, komponent ten znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, gdzie wymagana jest miniaturyzacja przy jednoczesnym zachowaniu wysokiej wydajności prądowej i termicznej.
Tranzystor IRFL4105 SMD (SOT-223)
Model IRFL4105, realizowany w obudowie SOT-223, jest tranzystorem polowym typu MOSFET o kanale N. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia efektywną pracę w obwodach o niskim napięciu zasilania. Dzięki technologii SMD, komponent ten znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, gdzie wymagana jest miniaturyzacja przy jednoczesnym zachowaniu wysokiej wydajności prądowej i termicznej.
Tranzystor o symbolu : IRFP044N (TO-247) »
ID produktu: 9009
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFP044N (TO-247)
Tranzystor IRFP044N, w obudowie TO-247, jest przeznaczony do zastosowań w układach wysokiej mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką zdolnością do przewodzenia prądu. Urządzenie to znajduje szerokie zastosowanie w konstrukcjach wymagających efektywnego sterowania dużymi obciążeniami. Idealnie sprawdza się w systemach zasilania, inwerterach oraz aplikacjach motoryzacyjnych. Dla osób poszukujących części elektronicznych, IRFP044N oferuje solidne parametry w zakresie prądowym i napięciowym.
Tranzystor IRFP044N (TO-247)
Tranzystor IRFP044N, w obudowie TO-247, jest przeznaczony do zastosowań w układach wysokiej mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką zdolnością do przewodzenia prądu. Urządzenie to znajduje szerokie zastosowanie w konstrukcjach wymagających efektywnego sterowania dużymi obciążeniami. Idealnie sprawdza się w systemach zasilania, inwerterach oraz aplikacjach motoryzacyjnych. Dla osób poszukujących części elektronicznych, IRFP044N oferuje solidne parametry w zakresie prądowym i napięciowym.
Tranzystor o symbolu : IRFP054N (TO-247) »
ID produktu: 8667
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFP054N (TO-247)
IRFP054N, w obudowie TO-247, jest tranzystorem MOSFET typu N, charakteryzującym się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 55V oraz maksymalnym prądem drenu 70A. Zaprojektowany do zastosowań w wysokoprądowych układach przełączających, oferuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w systemach zarządzania energią, konwerterach DC/DC oraz w układach sterowania silnikami.
Tranzystor IRFP054N (TO-247)
IRFP054N, w obudowie TO-247, jest tranzystorem MOSFET typu N, charakteryzującym się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 55V oraz maksymalnym prądem drenu 70A. Zaprojektowany do zastosowań w wysokoprądowych układach przełączających, oferuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w systemach zarządzania energią, konwerterach DC/DC oraz w układach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : IRFP064N (TO-247) »
ID produktu: 8668
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP064N (TO-247)
Tranzystor IRFP064N, zaprojektowany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 55V oraz prądem drenu ID na poziomie 110A. Urządzenie to, będące elementem kluczowym w częściach elektronicznych, wykorzystuje technologię MOSFET, co pozwala na efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji mocy. Rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) nie przekracza 0.008?, co minimalizuje straty mocy.
IRFP064N (TO-247)
Tranzystor IRFP064N, zaprojektowany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 55V oraz prądem drenu ID na poziomie 110A. Urządzenie to, będące elementem kluczowym w częściach elektronicznych, wykorzystuje technologię MOSFET, co pozwala na efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji mocy. Rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) nie przekracza 0.008?, co minimalizuje straty mocy.
Tranzystor o symbolu : IRFP140N (TO-247) »
ID produktu: 11552
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP140N (TO-247)
Tranzystor IRFP140N, w obudowie TO-247, to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS maksymalnym na poziomie 100V oraz prądem drenu ID wynoszącym do 33A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w przetwornicach mocy, sterownikach silników oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania i regulacji napięcia.
IRFP140N (TO-247)
Tranzystor IRFP140N, w obudowie TO-247, to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS maksymalnym na poziomie 100V oraz prądem drenu ID wynoszącym do 33A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w przetwornicach mocy, sterownikach silników oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania i regulacji napięcia.
Tranzystor o symbolu : IRFP240 (TO-247) »
ID produktu: 10121
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP240 (TO-247)
Tranzystor IRFP240, zamknięty w obudowie TO-247, jest elementem półprzewodnikowym typu MOSFET N-Channel. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID na poziomie 20A. Jego rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) nie przekracza 0.18?. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych oraz aplikacjach przemysłowych.
IRFP240 (TO-247)
Tranzystor IRFP240, zamknięty w obudowie TO-247, jest elementem półprzewodnikowym typu MOSFET N-Channel. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID na poziomie 20A. Jego rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) nie przekracza 0.18?. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych oraz aplikacjach przemysłowych.
Tranzystor o symbolu : IRFP250N (TO-247) »
ID produktu: 8669
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP250N (TO-247)
Tranzystor IRFP250N, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID na poziomie 30A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność energetyczną. W kontekście części elektronicznych, IRFP250N jest często wykorzystywany w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających niezawodnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
IRFP250N (TO-247)
Tranzystor IRFP250N, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID na poziomie 30A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność energetyczną. W kontekście części elektronicznych, IRFP250N jest często wykorzystywany w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających niezawodnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów