LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : IRFB23N20D METAL (TO-220) »
ID produktu: 12485
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFB23N20D METAL (TO-220)
Tranzystor IRFB23N20D, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V, prądem drenu ID na poziomie 23A oraz rezystancją kanału RDS(on) równą 0.085?. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji przemysłowych, w tym w przekształtnikach mocy i systemach zarządzania energią.
IRFB23N20D METAL (TO-220)
Tranzystor IRFB23N20D, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V, prądem drenu ID na poziomie 23A oraz rezystancją kanału RDS(on) równą 0.085?. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji przemysłowych, w tym w przekształtnikach mocy i systemach zarządzania energią.
Tranzystor o symbolu : IRFB31N20D METAL (TO-220) »
ID produktu: 11852
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFB31N20D METAL (TO-220)
Tranzystor IRFB31N20D METAL, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 200V oraz prądem drenu ID wynoszącym 31A. Jego RDS(on) maksymalnie osiąga wartość 0.082?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC-DC oraz w systemach zarządzania mocą.
Tranzystor IRFB31N20D METAL (TO-220)
Tranzystor IRFB31N20D METAL, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 200V oraz prądem drenu ID wynoszącym 31A. Jego RDS(on) maksymalnie osiąga wartość 0.082?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC-DC oraz w systemach zarządzania mocą.
Tranzystor o symbolu : IRFB3607 METAL (TO-220) »
ID produktu: 12486
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFB3607 METAL (TO-220)
Tranzystor IRFB3607 METAL, w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy N-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 75V oraz prądem drenu ID maksymalnym na poziomie 80A. Urządzenie to, ze względu na niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach mocy, systemach zasilania i sterowania silnikami.
Tranzystor IRFB3607 METAL (TO-220)
Tranzystor IRFB3607 METAL, w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy N-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 75V oraz prądem drenu ID maksymalnym na poziomie 80A. Urządzenie to, ze względu na niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach mocy, systemach zasilania i sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : IRFB41N15D METAL (TO-220) »
ID produktu: 13920
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFB41N15D METAL (TO-220)
Tranzystor IRFB41N15D, wykonany w technologii MOSFET, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS równym 150V oraz prądem drenu ID wynoszącym 41A. Obudowa typu TO-220 zapewnia efektywne rozpraszanie ciepła. Zastosowanie tego komponentu znajduje się w szerokiej gamie aplikacji, w tym w układach zasilania, przetwornicach czy jako element sterujący w [częściach elektronicznych](https://www.impelshop.com/).
IRFB41N15D METAL (TO-220)
Tranzystor IRFB41N15D, wykonany w technologii MOSFET, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS równym 150V oraz prądem drenu ID wynoszącym 41A. Obudowa typu TO-220 zapewnia efektywne rozpraszanie ciepła. Zastosowanie tego komponentu znajduje się w szerokiej gamie aplikacji, w tym w układach zasilania, przetwornicach czy jako element sterujący w [częściach elektronicznych](https://www.impelshop.com/).
Tranzystor o symbolu : IRFB4212 »
ID produktu: 11854
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFB4212
Tranzystor IRFB4212, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID na poziomie 35A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) minimalizuje straty mocy, co jest istotne w aplikacjach o wysokiej efektywności. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, gdzie wymagana jest wysoka niezawodność oraz efektywność energetyczna. Dostępność części elektronicznych takich jak IRFB4212 umożliwia projektantom tworzenie bardziej kompaktowych i wydajniejszych systemów zasilania.
IRFB4212
Tranzystor IRFB4212, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID na poziomie 35A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) minimalizuje straty mocy, co jest istotne w aplikacjach o wysokiej efektywności. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, gdzie wymagana jest wysoka niezawodność oraz efektywność energetyczna. Dostępność części elektronicznych takich jak IRFB4212 umożliwia projektantom tworzenie bardziej kompaktowych i wydajniejszych systemów zasilania.
Tranzystor o symbolu : IRFBC20 METAL (TO-220) »
ID produktu: 11855
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFBC20 METAL (TO-220)
Tranzystor IRFBC20, z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 600V, prądem drenu ID = 3.6A oraz rezystancją w stanie załączenia RDS(on) maksymalnie 1.2?. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania.
Tranzystor IRFBC20 METAL (TO-220)
Tranzystor IRFBC20, z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 600V, prądem drenu ID = 3.6A oraz rezystancją w stanie załączenia RDS(on) maksymalnie 1.2?. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania.
Tranzystor o symbolu : IRFBC30 (TO-220) »
ID produktu: 8663
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFBC30 (TO-220)
Tranzystor IRFBC30, zaprojektowany w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym MOSFET typu N, charakteryzującym się napięciem dren-źródło Vds=600V oraz prądem drenu Id=3.6A. Wyróżnia się niską rezystancją w stanie przewodzenia Rds(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach zasilających. Element ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum układów elektronicznych, w tym w przetwornicach i zasilaczach impulsowych. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie dostawcy.
Tranzystor IRFBC30 (TO-220)
Tranzystor IRFBC30, zaprojektowany w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym MOSFET typu N, charakteryzującym się napięciem dren-źródło Vds=600V oraz prądem drenu Id=3.6A. Wyróżnia się niską rezystancją w stanie przewodzenia Rds(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach zasilających. Element ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum układów elektronicznych, w tym w przetwornicach i zasilaczach impulsowych. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie dostawcy.
Tranzystor o symbolu : IRFBC40 (TO-220) »
ID produktu: 8664
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFBC40 (TO-220)
IRFBC40, tranzystor typu MOSFET z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 600V, prądem drenu ID do 6.2A oraz rezystancją kanału RDS(on) maksymalnie 0.54?. Urządzenie jest dedykowane dla aplikacji o wysokim napięciu, oferując efektywną pracę w układach zasilania. Dostępne są w częściach elektronicznych Impelshop.
Tranzystor IRFBC40 (TO-220)
IRFBC40, tranzystor typu MOSFET z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 600V, prądem drenu ID do 6.2A oraz rezystancją kanału RDS(on) maksymalnie 0.54?. Urządzenie jest dedykowane dla aplikacji o wysokim napięciu, oferując efektywną pracę w układach zasilania. Dostępne są w częściach elektronicznych Impelshop.
Tranzystor o symbolu : IRFBC50 »
ID produktu: 10894
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFBC50
Tranzystor IRFBC50, będący elementem z kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS wynoszącym 600V, prądem drenu ID równym 70A oraz maksymalną mocą strat Pd wynoszącą 190W. Urządzenie to, zbudowane w technologii MOSFET, zapewnia szybką komutację przy zachowaniu niskiej rezystancji kanału RDS(on) nie przekraczającej 0.077?.
Tranzystor IRFBC50
Tranzystor IRFBC50, będący elementem z kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS wynoszącym 600V, prądem drenu ID równym 70A oraz maksymalną mocą strat Pd wynoszącą 190W. Urządzenie to, zbudowane w technologii MOSFET, zapewnia szybką komutację przy zachowaniu niskiej rezystancji kanału RDS(on) nie przekraczającej 0.077?.
Tranzystor o symbolu : IRFD9120 »
ID produktu: 8665
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFD9120
Tranzystor IRFD9120, będący elementem z rodziny MOSFET P-Channel, charakteryzuje się napięciem przebicia VDSS wynoszącym -100V oraz prądem drenu ID sięgającym -1.7A. Zintegrowany w obudowie typu DIP, zapewnia optymalizację przepływu energii. Dedykowany dla aplikacji o wysokich wymaganiach stabilności termicznej i efektywności energetycznej, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych.
Tranzystor IRFD9120
Tranzystor IRFD9120, będący elementem z rodziny MOSFET P-Channel, charakteryzuje się napięciem przebicia VDSS wynoszącym -100V oraz prądem drenu ID sięgającym -1.7A. Zintegrowany w obudowie typu DIP, zapewnia optymalizację przepływu energii. Dedykowany dla aplikacji o wysokich wymaganiach stabilności termicznej i efektywności energetycznej, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów