LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : IRFP260N (TO-247) »
ID produktu: 10473
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP260N (TO-247)
Tranzystor IRFP260N, charakteryzujący się obudową TO-247, to element półprzewodnikowy typu MOSFET N-kanałowy, przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Zdolny do pracy przy napięciu dren-źródło VDS do 200V oraz prądzie drenu ID do 50A, wykazuje się również niską rezystancją kanału RDS(on). Dla projektantów części elektronicznych stanowi kluczowy komponent w systemach zasilania, inwerterach oraz sterownikach silników.
IRFP260N (TO-247)
Tranzystor IRFP260N, charakteryzujący się obudową TO-247, to element półprzewodnikowy typu MOSFET N-kanałowy, przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Zdolny do pracy przy napięciu dren-źródło VDS do 200V oraz prądzie drenu ID do 50A, wykazuje się również niską rezystancją kanału RDS(on). Dla projektantów części elektronicznych stanowi kluczowy komponent w systemach zasilania, inwerterach oraz sterownikach silników.
Tranzystor o symbolu : IRFP264 (TO-247) »
ID produktu: 10271
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP264 (TO-247)
Tranzystor IRFP264, zamknięty w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 250V oraz maksymalnym prądem ciągłym drenu ID równym 38A. Jego oporność w stanie przewodzenia RDS(on) nie przekracza 0.077?, co świadczy o wysokiej efektywności przewodzenia. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie wymagana jest niezawodność i wydajność na wysokim poziomie. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie dostawcy.
IRFP264 (TO-247)
Tranzystor IRFP264, zamknięty w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 250V oraz maksymalnym prądem ciągłym drenu ID równym 38A. Jego oporność w stanie przewodzenia RDS(on) nie przekracza 0.077?, co świadczy o wysokiej efektywności przewodzenia. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie wymagana jest niezawodność i wydajność na wysokim poziomie. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie dostawcy.
Tranzystor o symbolu : IRFP2907 (TO-247) »
ID produktu: 10615
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP2907 (TO-247)
Tranzystor IRFP2907, w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 75V oraz prądem drenu ID do 209A. Posiada niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach o wysokiej mocy. Specyfikacja techniczna uwzględnia również maksymalną moc strat PD oraz zakres temperatur pracy. Dostępny w częściach elektronicznych ImpelShop.
IRFP2907 (TO-247)
Tranzystor IRFP2907, w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 75V oraz prądem drenu ID do 209A. Posiada niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach o wysokiej mocy. Specyfikacja techniczna uwzględnia również maksymalną moc strat PD oraz zakres temperatur pracy. Dostępny w częściach elektronicznych ImpelShop.
Tranzystor o symbolu : IRFP4332 (TO-247) »
ID produktu: 10741
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFP4332 (TO-247)
IRFP4332, w obudowie TO-247, to tranzystor mocy MOSFET, charakteryzujący się napięciem pracy do 250V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 195A. Posiada niską rezystancję kanału Rds(on) wynoszącą zaledwie 4.7 m?, co przekłada się na wysoką efektywność w aplikacjach przemysłowych. Idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak przekształtniki czy zasilacze impulsowe. Dostępny jest w szerokiej ofercie części elektronicznych na rynku.
Tranzystor IRFP4332 (TO-247)
IRFP4332, w obudowie TO-247, to tranzystor mocy MOSFET, charakteryzujący się napięciem pracy do 250V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 195A. Posiada niską rezystancję kanału Rds(on) wynoszącą zaledwie 4.7 m?, co przekłada się na wysoką efektywność w aplikacjach przemysłowych. Idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak przekształtniki czy zasilacze impulsowe. Dostępny jest w szerokiej ofercie części elektronicznych na rynku.
Tranzystor o symbolu : IRFP4368 (TO-247) »
ID produktu: 13105
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP4368 (TO-247)
Tranzystor IRFP4368 w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 75V, prądem drenu ID na poziomie 195A oraz rezystancją kanału RDS(on) maksymalnie 4.0 m?. Zapewnia wysoką efektywność i szybkość przełączania, co czyni go odpowiednim dla zastosowań w zaawansowanych układach elektronicznych. Dostęp do części elektronicznych umożliwia łatwe integrowanie w projektach.
IRFP4368 (TO-247)
Tranzystor IRFP4368 w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 75V, prądem drenu ID na poziomie 195A oraz rezystancją kanału RDS(on) maksymalnie 4.0 m?. Zapewnia wysoką efektywność i szybkość przełączania, co czyni go odpowiednim dla zastosowań w zaawansowanych układach elektronicznych. Dostęp do części elektronicznych umożliwia łatwe integrowanie w projektach.
Tranzystor o symbolu : IRFP448 (TO-247) »
ID produktu: 15401
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP448 (TO-247)
Tranzystor IRFP448 w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem maksymalnym 11A. Jego główną cechą jest niska rezystancja w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność w aplikacjach mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po inwertory. Parametry dynamiczne oraz termiczne pozwalają na efektywne zarządzanie energią w układach elektronicznych.
IRFP448 (TO-247)
Tranzystor IRFP448 w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem maksymalnym 11A. Jego główną cechą jest niska rezystancja w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność w aplikacjach mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po inwertory. Parametry dynamiczne oraz termiczne pozwalają na efektywne zarządzanie energią w układach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : IRFP450 (TO-247) »
ID produktu: 8672
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP450 (TO-247)
Tranzystor IRFP450 w obudowie TO-247 to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się napięciem przebicia dren-źródło wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID równym 14A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilających, przekształtnikach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności prądowej i napięciowej. Dostęp do szerokiego asortymentu części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi układami.
IRFP450 (TO-247)
Tranzystor IRFP450 w obudowie TO-247 to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się napięciem przebicia dren-źródło wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID równym 14A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilających, przekształtnikach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności prądowej i napięciowej. Dostęp do szerokiego asortymentu części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi układami.
Tranzystor o symbolu : IRFP450A (TO-247) »
ID produktu: 10122
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP450A (TO-247)
Tranzystor IRFP450A, w obudowie TO-247, to półprzewodnikowy element przełączający, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS do 500V oraz prądem drenu ID do 14A. Dedykowany do aplikacji w wysokonapięciowych układach zasilających, zapewnia wysoką efektywność i szybką odpowiedź przełączania. Dostępny w ofercie części elektronicznych dla zaawansowanych projektów elektronicznych.
IRFP450A (TO-247)
Tranzystor IRFP450A, w obudowie TO-247, to półprzewodnikowy element przełączający, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS do 500V oraz prądem drenu ID do 14A. Dedykowany do aplikacji w wysokonapięciowych układach zasilających, zapewnia wysoką efektywność i szybką odpowiedź przełączania. Dostępny w ofercie części elektronicznych dla zaawansowanych projektów elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : IRFP9140N (TO-247) »
ID produktu: 8674
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRFP9140N (TO-247)
Tranzystor IRFP9140N, z obudową TO-247, jest elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET, charakteryzującym się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym -100V oraz maksymalnym prądem drenu -27A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, od zasilaczy po inwertery częstotliwości.
IRFP9140N (TO-247)
Tranzystor IRFP9140N, z obudową TO-247, jest elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET, charakteryzującym się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym -100V oraz maksymalnym prądem drenu -27A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, od zasilaczy po inwertery częstotliwości.
Tranzystor o symbolu : IRFP9240 (TO-247) »
ID produktu: 8675
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRFP9240 (TO-247)
Tranzystor IRFP9240, wykorzystujący obudowę TO-247, jest elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 200V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 12A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w aplikacjach o wysokim napięciu i prądzie, oferując niskie RDS(on) dla zwiększenia efektywności. Dla osób poszukujących specjalistycznych części elektronicznych, IRFP9240 stanowi kluczowy komponent w projektowaniu zaawansowanych układów mocy.
Tranzystor IRFP9240 (TO-247)
Tranzystor IRFP9240, wykorzystujący obudowę TO-247, jest elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 200V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 12A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w aplikacjach o wysokim napięciu i prądzie, oferując niskie RDS(on) dla zwiększenia efektywności. Dla osób poszukujących specjalistycznych części elektronicznych, IRFP9240 stanowi kluczowy komponent w projektowaniu zaawansowanych układów mocy.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów