LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : IRF720 »
ID produktu: 8651
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF720
Tranzystor IRF720, należący do rodziny MOSFET typu N, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID równym 3.3A. Jego rezystancja w stanie załączenia RDS(on) osiąga wartość do 1.8?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach napięcia, systemach zasilania oraz w sterowaniu silnikami.
Tranzystor IRF720
Tranzystor IRF720, należący do rodziny MOSFET typu N, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID równym 3.3A. Jego rezystancja w stanie załączenia RDS(on) osiąga wartość do 1.8?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach napięcia, systemach zasilania oraz w sterowaniu silnikami.
Tranzystor o symbolu : IRF730 METAL (TO-220) »
ID produktu: 8652
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF730 METAL (TO-220)
Tranzystor IRF730, z obudową typu TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID równym 5.5A. Posiadając niską rezystancję kanału RDS(on), zapewnia efektywną pracę w układach przełączających. Wysoka szybkość przełączania oraz zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych.
Tranzystor IRF730 METAL (TO-220)
Tranzystor IRF730, z obudową typu TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID równym 5.5A. Posiadając niską rezystancję kanału RDS(on), zapewnia efektywną pracę w układach przełączających. Wysoka szybkość przełączania oraz zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : IRF7314 SMD »
ID produktu: 10614
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF7314 SMD
Model IRF7314 SMD to podwójny tranzystor polowy MOSFET typu P, zaprojektowany do pracy w zaawansowanych aplikacjach przełączających. Charakteryzujący się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), wynoszącą zaledwie kilka m?, oraz wysoką odpornością na impulsowe przepięcia. Urządzenie to znajduje zastosowanie w układach zarządzania mocą oraz w konwerterach DC/DC, wymagających komponentów o wysokiej efektywności i niezawodności. Dzięki obudowie SMD, tranzystor IRF7314 jest idealny do zastosowań, gdzie ograniczona przestrzeń na płytce drukowanej jest kluczowym czynnikiem. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć online.
Tranzystor IRF7314 SMD
Model IRF7314 SMD to podwójny tranzystor polowy MOSFET typu P, zaprojektowany do pracy w zaawansowanych aplikacjach przełączających. Charakteryzujący się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), wynoszącą zaledwie kilka m?, oraz wysoką odpornością na impulsowe przepięcia. Urządzenie to znajduje zastosowanie w układach zarządzania mocą oraz w konwerterach DC/DC, wymagających komponentów o wysokiej efektywności i niezawodności. Dzięki obudowie SMD, tranzystor IRF7314 jest idealny do zastosowań, gdzie ograniczona przestrzeń na płytce drukowanej jest kluczowym czynnikiem. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć online.
Tranzystor o symbolu : IRF7319 SMD (SOP-8) »
ID produktu: 9099
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF7319 SMD (SOP-8)
Tranzystor typu IRF7319 SMD, zintegrowany w obudowie SOP-8, stanowi kluczowy komponent w układach elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność przełączania. Charakteryzując się podwójnym kanałem P+N, umożliwia efektywne sterowanie mocą w aplikacjach niskonapięciowych. Jego parametry elektryczne odpowiadają potrzebom zaawansowanych części elektronicznych, zapewniając stabilność pracy w szerokim zakresie temperatur. Specyfikacja techniczna obejmuje niskie napięcie progowe oraz minimalizację strat mocy, co jest kluczowe w optymalizacji wydajności systemów elektronicznych.
Tranzystor IRF7319 SMD (SOP-8)
Tranzystor typu IRF7319 SMD, zintegrowany w obudowie SOP-8, stanowi kluczowy komponent w układach elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność przełączania. Charakteryzując się podwójnym kanałem P+N, umożliwia efektywne sterowanie mocą w aplikacjach niskonapięciowych. Jego parametry elektryczne odpowiadają potrzebom zaawansowanych części elektronicznych, zapewniając stabilność pracy w szerokim zakresie temperatur. Specyfikacja techniczna obejmuje niskie napięcie progowe oraz minimalizację strat mocy, co jest kluczowe w optymalizacji wydajności systemów elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : IRF7380 SMD (SOP-8) »
ID produktu: 12809
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF7380 SMD (SOP-8)
Model IRF7380, wykonany w technologii SMD, z obudową SOP-8, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością przełączania. Zapewnia doskonałą wydajność w aplikacjach o wysokim współczynniku mocy. Integralną częścią tego tranzystora jest jego zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur, co sprawia, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Jego parametry elektryczne pozwalają na efektywne sterowanie mocą w układach elektronicznych.
Tranzystor IRF7380 SMD (SOP-8)
Model IRF7380, wykonany w technologii SMD, z obudową SOP-8, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością przełączania. Zapewnia doskonałą wydajność w aplikacjach o wysokim współczynniku mocy. Integralną częścią tego tranzystora jest jego zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur, co sprawia, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Jego parametry elektryczne pozwalają na efektywne sterowanie mocą w układach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : IRF7389 SMD (SOP-8) »
ID produktu: 10893
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRF7389 SMD (SOP-8)
Tranzystor IRF7389 SMD, realizowany w obudowie SOP-8, charakteryzuje się podwójnym kanałem typu N i P, umożliwiającym pracę przy napięciu do 30V oraz prądzie do 7.3A dla kanału N i 4.9A dla kanału P. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia, Rds(on), zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokiej wydajności.
IRF7389 SMD (SOP-8)
Tranzystor IRF7389 SMD, realizowany w obudowie SOP-8, charakteryzuje się podwójnym kanałem typu N i P, umożliwiającym pracę przy napięciu do 30V oraz prądzie do 7.3A dla kanału N i 4.9A dla kanału P. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia, Rds(on), zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokiej wydajności.
Tranzystor o symbolu : IRF740 METAL (TO-220) »
ID produktu: 8653
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »
Tranzystor o symbolu : IRF7807Z SMD (SOP-8) »
ID produktu: 13104
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF7807Z SMD (SOP-8)
Model IRF7807Z, realizowany w technologii SMD w obudowie SOP-8, charakteryzuje się n-channel MOSFET. Jego parametry, takie jak niskie napięcie progowe Vgs (th) oraz wysoka zdolność do przewodzenia prądu, czynią go odpowiednim dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych. Zastosowanie obejmuje przede wszystkim układy zasilania, konwersję energii oraz zarządzanie obciążeniem.
Tranzystor IRF7807Z SMD (SOP-8)
Model IRF7807Z, realizowany w technologii SMD w obudowie SOP-8, charakteryzuje się n-channel MOSFET. Jego parametry, takie jak niskie napięcie progowe Vgs (th) oraz wysoka zdolność do przewodzenia prądu, czynią go odpowiednim dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych. Zastosowanie obejmuje przede wszystkim układy zasilania, konwersję energii oraz zarządzanie obciążeniem.
Tranzystor o symbolu : IRF820 (TO-220) »
ID produktu: 8654
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF820 (TO-220)
Tranzystor IRF820, wykonany w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID do 2.5A. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych i przetwornicach częstotliwości. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych stanowi kluczowy komponent w projektowaniu układów elektronicznych o wysokiej wydajności.
Tranzystor IRF820 (TO-220)
Tranzystor IRF820, wykonany w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID do 2.5A. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych i przetwornicach częstotliwości. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych stanowi kluczowy komponent w projektowaniu układów elektronicznych o wysokiej wydajności.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów