Tranzystory

ID produktu: 12934

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor GT60N321 (TO-247)

Tranzystor GT60N321, zamknięty w obudowie TO-247, jest wysokonapięciowym tranzystorem IGBT charakteryzującym się napięciem kolektora do emitera wynoszącym 1000 V oraz prądem kolektora do 60 A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przekształtnikowych i sterownikach mocy, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Dzięki swojej konstrukcji, GT60N321 zapewnia optymalizację parametrów dynamicznych oraz termicznych, co jest kluczowe w aplikacjach o wysokiej gęstości mocy. Wspomniane części elektroniczne są niezbędne w projektowaniu nowoczesnych systemów energoelektronicznych.

ID produktu: 13439

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor GT60N631 (TO-247)

Tranzystor GT60N631, zaprojektowany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera V_CE wynoszącym 630V oraz prądem kolektora I_C do 60A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach zasilania, wymagających wysokiej efektywności i niezawodności.

ID produktu: 13782

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor H20N1202 (TO-247)

Tranzystor H20N1202, zawarty w obudowie TO-247, charakteryzuje się wysoką zdolnością do przewodzenia prądu oraz znaczącą wydajnością termiczną. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, zapewnia optymalną pracę w układach zarówno wysokiej mocy, jak i częstotliwości. Parametry elektryczne tranzystora pozwalają na jego zastosowanie w zaawansowanych systemach energetycznych, wymagających stabilności i niezawodności.

ID produktu: 10891

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor H25R1202

Tranzystor H25R1202, zaliczany do części elektronicznych, jest półprzewodnikowym elementem wykonanym w technologii IGBT, który charakteryzuje się napięciem przebicia wynoszącym 1200V oraz prądem kolektora do 25A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach sterowania mocy, oferując szybkie przełączanie i niskie straty energetyczne.

ID produktu: 12785

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor H30R1202 (TO-247)

Tranzystor H30R1202, w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 1200V oraz prądem kolektora do 30A. Jego specyfikacja obejmuje szybkie przełączanie dzięki technologii IGBT, minimalizując straty mocy w aplikacjach przemysłowych. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w układach zasilających, przekształtnikach częstotliwości oraz sterownikach silników.

ID produktu: 8632

Stan magazynowy: chwilowo niedostępny

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor HPA100

Tranzystor HPA100, bipolarny, o wysokiej mocy, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz dużą prędkością przełączania. Przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniających i przełączających, zapewnia efektywną kontrolę przepływu prądu. Dostępny w obudowie TO-220, umożliwia łatwą integrację z częściami elektronicznymi. Parametry graniczne określają maksymalne napięcie kolektora na poziomie 100V oraz maksymalny prąd kolektora wynoszący 5A.

ID produktu: 8633

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 8636

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor ICP-N20

Tranzystor ICP-N20, charakteryzujący się niskim napięciem przebicia oraz wysoką częstotliwością pracy, jest elementem półprzewodnikowym typu NPN. Wykorzystywany głównie w układach przełączających i wzmacniaczach niskoszumowych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Parametry takie jak maksymalna moc rozpraszana oraz dopuszczalny prąd kolektora definiują jego obszar aplikacji.

ID produktu: 8637

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor ICP-N25

Tranzystor ICP-N25, charakteryzujący się napięciem przebicia BVceo wynoszącym 250V oraz prądem kolektora Ic maksymalnym na poziomie 1.5A, jest elementem półprzewodnikowym typu NPN. Wysoka częstotliwość pracy oraz niska rezystancja nasycenia sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych. Dostępność części elektronicznych umożliwia szybką integrację z projektami. Jego obudowa TO-220 zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła, co jest kluczowe dla stabilności termicznej w aplikacjach o wysokiej mocy.

ID produktu: 8638

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor ICP-N38

Model ICP-N38, tranzystor bipolarny NPN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera V_CEO wynoszącym 100V oraz prądem kolektora I_C do 2A. Zastosowanie w układach przełączających i wzmacniaczach audio. Dla optymalizacji parametrów pracy, zalecane jest stosowanie w temperaturze od -55°C do +150°C. Szczegóły dotyczące części elektronicznych znajdują się w specyfikacji technicznej.