LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : FR5305 SMD (TO-252) »
ID produktu: 13749
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FR5305 SMD (TO-252)
Model FR5305, w obudowie SMD (TO-252), to tranzystor typu MOSFET przeznaczony do zastosowań w układach przełączających. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką efektywnością w obszarze pracy. Dedykowany dla części elektronicznych, gdzie wymagana jest kompaktowa konstrukcja przy zachowaniu dobrej wydajności termicznej.
Tranzystor FR5305 SMD (TO-252)
Model FR5305, w obudowie SMD (TO-252), to tranzystor typu MOSFET przeznaczony do zastosowań w układach przełączających. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką efektywnością w obszarze pracy. Dedykowany dla części elektronicznych, gdzie wymagana jest kompaktowa konstrukcja przy zachowaniu dobrej wydajności termicznej.
Tranzystor o symbolu : FS10KM-5 (10A) PLASTIC (TO-220) »
ID produktu: 9096
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FS10KM-5 (10A) PLASTIC (TO-220)
Model FS10KM-5, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się zdolnością do przewodzenia prądu o natężeniu do 10A, zamknięty w obudowie TO-220. Urządzenie to, dedykowane do aplikacji mocy, operuje w zakresie wysokich temperatur. Wykorzystywane przede wszystkim w układach zasilających, inwerterach oraz częściach elektronicznych o podobnym profilu zastosowań. Odporność termiczna i elektryczna tego komponentu gwarantuje efektywność w szerokim spektrum warunków eksploatacyjnych.
Tranzystor FS10KM-5 (10A) PLASTIC (TO-220)
Model FS10KM-5, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się zdolnością do przewodzenia prądu o natężeniu do 10A, zamknięty w obudowie TO-220. Urządzenie to, dedykowane do aplikacji mocy, operuje w zakresie wysokich temperatur. Wykorzystywane przede wszystkim w układach zasilających, inwerterach oraz częściach elektronicznych o podobnym profilu zastosowań. Odporność termiczna i elektryczna tego komponentu gwarantuje efektywność w szerokim spektrum warunków eksploatacyjnych.
Tranzystor o symbolu : FS16KM »
ID produktu: 10890
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FS16KM
Tranzystor FS16KM, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 600V oraz prądem drenu do 16A. Przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach mocy, oferuje szybką komutację oraz niskie straty na przełączaniu. Wymagane sterowanie bramką o niskim napięciu podkreśla jego efektywność w układach o wysokiej częstotliwości pracy. W strukturze urządzenia zaimplementowano technologię planarną, zwiększającą jego niezawodność i stabilność termiczną. Dostęp do szerokiego zakresu części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi układami elektronicznymi.
Tranzystor FS16KM
Tranzystor FS16KM, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 600V oraz prądem drenu do 16A. Przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach mocy, oferuje szybką komutację oraz niskie straty na przełączaniu. Wymagane sterowanie bramką o niskim napięciu podkreśla jego efektywność w układach o wysokiej częstotliwości pracy. W strukturze urządzenia zaimplementowano technologię planarną, zwiększającą jego niezawodność i stabilność termiczną. Dostęp do szerokiego zakresu części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi układami elektronicznymi.
Tranzystor o symbolu : FZT968 SMD (SOT-223) »
ID produktu: 12801
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FZT968 SMD (SOT-223)
Tranzystor FZT968 w obudowie SOT-223 to komponent bipolarny PNP, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o wysokiej prędkości. Charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter VCEO wynoszącym -12V oraz maksymalnym prądem kolektora IC na poziomie -3A. Dzięki niewielkim rozmiarom obudowy SOT-223, część elektroniczna ta znajduje szerokie zastosowanie w przestrzeni ograniczonej, wymagającej komponentów o wysokiej gęstości mocy.
Tranzystor FZT968 SMD (SOT-223)
Tranzystor FZT968 w obudowie SOT-223 to komponent bipolarny PNP, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o wysokiej prędkości. Charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter VCEO wynoszącym -12V oraz maksymalnym prądem kolektora IC na poziomie -3A. Dzięki niewielkim rozmiarom obudowy SOT-223, część elektroniczna ta znajduje szerokie zastosowanie w przestrzeni ograniczonej, wymagającej komponentów o wysokiej gęstości mocy.
Tranzystor o symbolu : G30N60B3D (TO-247) »
ID produktu: 12806
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor G30N60B3D (TO-247)
Tranzystor G30N60B3D, w obudowie TO-247, to półprzewodnikowy element wykonawczy o wysokiej mocy, przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach częstotliwości oraz innych urządzeniach elektronicznych wymagających efektywnej komutacji. Charakteryzuje się napięciem przebicia VCE do 600V oraz prądem kolektora IC do 30A. Dzięki zastosowaniu technologii field-stop IGBT, zapewnia niskie VCE(on), co przekłada się na redukcję strat mocy. W ofercie dostępne są również inne części elektroniczne.
Tranzystor G30N60B3D (TO-247)
Tranzystor G30N60B3D, w obudowie TO-247, to półprzewodnikowy element wykonawczy o wysokiej mocy, przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach częstotliwości oraz innych urządzeniach elektronicznych wymagających efektywnej komutacji. Charakteryzuje się napięciem przebicia VCE do 600V oraz prądem kolektora IC do 30A. Dzięki zastosowaniu technologii field-stop IGBT, zapewnia niskie VCE(on), co przekłada się na redukcję strat mocy. W ofercie dostępne są również inne części elektroniczne.
Tranzystor o symbolu : G60N100 METAL (TO-264) »
ID produktu: 14403
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor G60N100 METAL (TO-264)
Tranzystor G60N100, wykonany w obudowie METAL (TO-264), charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 1000V oraz prądem kolektora do 60A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w aplikacjach przemysłowych, zapewnia wysoką efektywność i niezawodność w układach przekształtnikowych. Specyfika tego elementu znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, wymagających precyzyjnego sterowania i dużej mocy.
Tranzystor G60N100 METAL (TO-264)
Tranzystor G60N100, wykonany w obudowie METAL (TO-264), charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 1000V oraz prądem kolektora do 60A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w aplikacjach przemysłowych, zapewnia wysoką efektywność i niezawodność w układach przekształtnikowych. Specyfika tego elementu znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, wymagających precyzyjnego sterowania i dużej mocy.
Tranzystor o symbolu : GT20D201 (TO-247) »
ID produktu: 9246
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor GT20D201 (TO-247)
Tranzystor GT20D201, zawarty w obudowie TO-247, charakteryzuje się zdolnością do przewodzenia wysokiego prądu przy zachowaniu niskiego spadku napięcia. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w układach przełączających i wzmacniaczy mocy, wykazuje się również wysoką odpornością termiczną. Dostępne w ofercie części elektroniczne obejmują szeroki zakres tranzystorów o różnych parametrach, w tym model GT20D201, który znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach elektronicznych wymagających stabilnej pracy przy dużych obciążeniach.
Tranzystor GT20D201 (TO-247)
Tranzystor GT20D201, zawarty w obudowie TO-247, charakteryzuje się zdolnością do przewodzenia wysokiego prądu przy zachowaniu niskiego spadku napięcia. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w układach przełączających i wzmacniaczy mocy, wykazuje się również wysoką odpornością termiczną. Dostępne w ofercie części elektroniczne obejmują szeroki zakres tranzystorów o różnych parametrach, w tym model GT20D201, który znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach elektronicznych wymagających stabilnej pracy przy dużych obciążeniach.
Tranzystor o symbolu : GT35J321 (TO-3PF) »
ID produktu: 11265
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor GT35J321 (TO-3PF)
Model GT35J321, w obudowie TO-3PF, to tranzystor mocy IGBT, przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przekształtnikowych. Charakteryzuje się wysoką zdolnością do przenoszenia prądu przy niskich stratach przełączania. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po systemy napędowe.
Tranzystor GT35J321 (TO-3PF)
Model GT35J321, w obudowie TO-3PF, to tranzystor mocy IGBT, przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przekształtnikowych. Charakteryzuje się wysoką zdolnością do przenoszenia prądu przy niskich stratach przełączania. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po systemy napędowe.
Tranzystor o symbolu : GT50J322 (TO-247) »
ID produktu: 12786
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor GT50J322 (TO-247)
Model GT50J322, zintegrowany w obudowie TO-247, jest tranzystorem mocy IGBT, zaprojektowanym do zastosowań w układach przekształtnikowych. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCE wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC o wartości maksymalnej 50A. Dzięki niskiemu napięciu nasycenia i szybkiej komutacji, znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych do sterowania mocą.
Tranzystor GT50J322 (TO-247)
Model GT50J322, zintegrowany w obudowie TO-247, jest tranzystorem mocy IGBT, zaprojektowanym do zastosowań w układach przekształtnikowych. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCE wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC o wartości maksymalnej 50A. Dzięki niskiemu napięciu nasycenia i szybkiej komutacji, znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych do sterowania mocą.
Tranzystor o symbolu : GT60M303 (TO-3PN) »
ID produktu: 12802
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor GT60M303 (TO-3PN)
Tranzystor GT60M303, w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 900V oraz prądem kolektora IC na poziomie 60A. Urządzenie to, dedykowane dla aplikacji o wysokiej mocy, wykazuje także niskie nasycenie napięcia VCE(sat). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, inwerterach oraz systemach sterowania silnikami.
Tranzystor GT60M303 (TO-3PN)
Tranzystor GT60M303, w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 900V oraz prądem kolektora IC na poziomie 60A. Urządzenie to, dedykowane dla aplikacji o wysokiej mocy, wykazuje także niskie nasycenie napięcia VCE(sat). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, inwerterach oraz systemach sterowania silnikami.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów