Tranzystory

ID produktu: 13150

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 10889

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor FMG22S PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor FMG22S, wykonany w technologii PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przewodzenia w zakresie średnim. Jako element półprzewodnikowy, znajduje zastosowanie w różnorodnych układach elektronicznych, gdzie wymagana jest stabilność i efektywność pracy. Dostępność tego komponentu w ofercie części elektronicznych pozwala na realizację zaawansowanych projektów elektronicznych. Parametry elektryczne tranzystora FMG22S odpowiadają wymaganiom aplikacji o średniej mocy.

ID produktu: 8630

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor FN1016 / FP1016 (para)

Para tranzystorów FN1016 i FP1016, dedykowana do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy audio, charakteryzuje się współczynnikiem wzmocnienia prądowego beta oraz maksymalnym prądem kolektora. Optymalizacja parametrów dynamicznych umożliwia efektywną pracę w szerokim zakresie częstotliwości. Wysoka tolerancja na przeciążenia termiczne i prądowe zwiększa niezawodność układów. Dostępne są na stronie z częściami elektronicznymi.

ID produktu: 12018

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor FQP33N10 METAL (TO-220)

Tranzystor FQP33N10 METAL, w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 100V oraz maksymalnym prądem drenu I_D równym 33A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania, przetwarzania energii oraz sterowania silnikami.

ID produktu: 10471

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor FQP3N80 METAL

Model FQP3N80 METAL to tranzystor MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 800V oraz prądem drenu I_D na poziomie 3A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami. Posiada obudowę TO-220, która zapewnia efektywny rozpraszanie ciepła.

ID produktu: 12929

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

FQP60N06 METAL (TO-220)

Tranzystor FQP60N06, zawarty w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem drenu I_D równym 60A. Urządzenie to, należące do kategorii części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w układach przełączających o wysokiej wydajności.

ID produktu: 10369

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

FQPF33N10 PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor FQPF33N10 w obudowie TO-220F charakteryzuje się napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 100V oraz prądem drenu I_D równym 33A. Zapewnia szybką komutację dzięki niskiemu oporowi kanału R_DS(on), co jest kluczowe w aplikacjach o wysokiej efektywności. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w przetwornicach DC/DC, regulatorach napięcia oraz systemach zarządzania mocą.

ID produktu: 13738

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor FQPF51N25 PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor FQPF51N25, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds wynoszącym 250V oraz prądem drenu Id do 51A. Jego oporność w stanie załączenia Rds(on) ma wartość maksymalną 0.04?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w aplikacjach przemysłowych.

ID produktu: 10411

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

FQPF6N60C PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor FQPF6N60C, typu MOSFET, charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 600V oraz prądem drenu Id do 6A, w obudowie TO-220F. Urządzenie to, dedykowane jest do zastosowań w przetwornicach mocy, oferując wysoką efektywność i niezawodność. Dla uzupełnienia projektów związanych z częściami elektronicznymi, FQPF6N60C stanowi kluczowy komponent.

ID produktu: 13251

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor FQT1N60C SMD (SOT-223)

Tranzystor FQT1N60C, realizowany w obudowie SMD typu SOT-223, charakteryzuje się napięciem przebicia dren-źródło V_DS wynoszącym 600V oraz prądem drenu I_D równym 1A. Jego minimalna wartość rezystancji kanału R_DS(on) nie przekracza 5?. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie głównie w przekształtnikach napięcia oraz układach sterowania.