LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : BUZ111S SMD (TO-263) »
ID produktu: 14205
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUZ111S SMD (TO-263)
Tranzystor BUZ111S, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie TO-263, jest elementem półprzewodnikowym typu MOSFET. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 55V oraz prądem drenu ID do 33A. Znajduje zastosowanie w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Dostępność części elektronicznych takich jak BUZ111S umożliwia efektywną realizację zaawansowanych projektów elektronicznych.
Tranzystor BUZ111S SMD (TO-263)
Tranzystor BUZ111S, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie TO-263, jest elementem półprzewodnikowym typu MOSFET. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 55V oraz prądem drenu ID do 33A. Znajduje zastosowanie w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Dostępność części elektronicznych takich jak BUZ111S umożliwia efektywną realizację zaawansowanych projektów elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : BUZ11A METAL (TO-220) »
ID produktu: 11143
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUZ11A METAL (TO-220)
Tranzystor BUZ11A, wykonany w technologii MOSFET, charakteryzuje się obudową TO-220. Urządzenie oferuje napięcie drenu do źródła VDS wynoszące 50V, prąd drenu ID do 30A oraz niską rezystancję kanału RDS(on). Idealnie nadaje się do aplikacji przełączających. Wszystkie niezbędne części elektroniczne znajdziesz na ImpelShop.
Tranzystor BUZ11A METAL (TO-220)
Tranzystor BUZ11A, wykonany w technologii MOSFET, charakteryzuje się obudową TO-220. Urządzenie oferuje napięcie drenu do źródła VDS wynoszące 50V, prąd drenu ID do 30A oraz niską rezystancję kanału RDS(on). Idealnie nadaje się do aplikacji przełączających. Wszystkie niezbędne części elektroniczne znajdziesz na ImpelShop.
Tranzystor o symbolu : BUZ11AF PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12215
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUZ11AF PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor BUZ11AF, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 50V oraz prądem drenu ID równym 30A. Urządzenie to, dedykowane dla szerokiego zakresu aplikacji, operuje w trybie N-Channel, co umożliwia jego wykorzystanie w układach przełączających. Warto zaznaczyć, że posiada zintegrowaną diodę Zenera dla ochrony bramki. W kontekście części elektronicznych, BUZ11AF jest kluczowym komponentem w projektowaniu efektywnych systemów zasilania.
Tranzystor BUZ11AF PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor BUZ11AF, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 50V oraz prądem drenu ID równym 30A. Urządzenie to, dedykowane dla szerokiego zakresu aplikacji, operuje w trybie N-Channel, co umożliwia jego wykorzystanie w układach przełączających. Warto zaznaczyć, że posiada zintegrowaną diodę Zenera dla ochrony bramki. W kontekście części elektronicznych, BUZ11AF jest kluczowym komponentem w projektowaniu efektywnych systemów zasilania.
Tranzystor o symbolu : BUZ12A (TO-220) »
ID produktu: 11260
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUZ12A (TO-220)
Tranzystor BUZ12A, zaprojektowany w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 50V oraz prądem drenu ID do 30A. Urządzenie to, dzięki swojej konstrukcji, oferuje niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną w aplikacjach. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych BUZ12A stanowi optymalny wybór do zasilaczy impulsowych, sterowania silnikami oraz innych aplikacji wymagających szybkiego przełączania.
Tranzystor BUZ12A (TO-220)
Tranzystor BUZ12A, zaprojektowany w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 50V oraz prądem drenu ID do 30A. Urządzenie to, dzięki swojej konstrukcji, oferuje niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną w aplikacjach. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych BUZ12A stanowi optymalny wybór do zasilaczy impulsowych, sterowania silnikami oraz innych aplikacji wymagających szybkiego przełączania.
Tranzystor o symbolu : BUZ21 (TO-220) »
ID produktu: 11261
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUZ21 (TO-220)
Tranzystor BUZ21, z obudową TO-220, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, przeznaczony do pracy w układach o wysokiej częstotliwości i mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 500V, prądem drenu ID do 19A oraz niską rezystancją kanału RDS(on). Zastosowanie znajduje w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz w obszarze sterowania silnikami. Dla specjalistów poszukujących specyfikacji i dodatkowych [części elektronicznych](https://www.impelshop.com/) dostępnych jest szeroki wybór komponentów.
Tranzystor BUZ21 (TO-220)
Tranzystor BUZ21, z obudową TO-220, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, przeznaczony do pracy w układach o wysokiej częstotliwości i mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 500V, prądem drenu ID do 19A oraz niską rezystancją kanału RDS(on). Zastosowanie znajduje w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz w obszarze sterowania silnikami. Dla specjalistów poszukujących specyfikacji i dodatkowych [części elektronicznych](https://www.impelshop.com/) dostępnych jest szeroki wybór komponentów.
Tranzystor o symbolu : BUZ271 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13465
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUZ271 METAL (TO-220)
Tranzystor BUZ271, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem pracy do 200V oraz prądem drenu do 19A. Zastosowanie technologii MOSFET w konstrukcji pozwala na efektywną pracę w układach przełączających. Dedykowany dla zaawansowanych aplikacji wymagających wysokiej wydajności prądowej oraz stabilności termicznej. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację w szerokim spektrum projektów elektronicznych.
Tranzystor BUZ271 METAL (TO-220)
Tranzystor BUZ271, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem pracy do 200V oraz prądem drenu do 19A. Zastosowanie technologii MOSFET w konstrukcji pozwala na efektywną pracę w układach przełączających. Dedykowany dla zaawansowanych aplikacji wymagających wysokiej wydajności prądowej oraz stabilności termicznej. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację w szerokim spektrum projektów elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : BUZ332A »
ID produktu: 10119
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »
Tranzystor o symbolu : BUZ342 (TO-3PN) »
ID produktu: 11144
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUZ342 (TO-3PN)
Tranzystor BUZ342, w obudowie TO-3PN, to element półprzewodnikowy N-MOSFET przeznaczony do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS maksymalnym na poziomie 500V oraz prądem drenu ID do 30A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz układach sterowania silnikami.
Tranzystor BUZ342 (TO-3PN)
Tranzystor BUZ342, w obudowie TO-3PN, to element półprzewodnikowy N-MOSFET przeznaczony do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS maksymalnym na poziomie 500V oraz prądem drenu ID do 30A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz układach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : BUZ358 METAL (TO-3PN) »
ID produktu: 12483
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUZ358 METAL (TO-3PN)
Tranzystor BUZ358 METAL (TO-3PN) to komponent półprzewodnikowy mocy, charakteryzujący się obudową metalową typu TO-3PN, zapewniającą doskonałą odporność termiczną oraz mechaniczną. Urządzenie to operuje w zakresie wysokich napięć i prądów, co czyni go odpowiednim do zastosowań w układach sterowania silnikami, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających stabilnej pracy w trudnych warunkach.
Tranzystor BUZ358 METAL (TO-3PN)
Tranzystor BUZ358 METAL (TO-3PN) to komponent półprzewodnikowy mocy, charakteryzujący się obudową metalową typu TO-3PN, zapewniającą doskonałą odporność termiczną oraz mechaniczną. Urządzenie to operuje w zakresie wysokich napięć i prądów, co czyni go odpowiednim do zastosowań w układach sterowania silnikami, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających stabilnej pracy w trudnych warunkach.
Tranzystor o symbolu : BUZ50 (TO-220) METAL »
ID produktu: 11851
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUZ50 (TO-220) METAL
Tranzystor BUZ50, zamknięty w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu 14A. Urządzenie to, wykonane z wykorzystaniem technologii MOSFET, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Integralną częścią są części elektroniczne, które umożliwiają efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji, od zasilaczy po przekształtniki częstotliwości.
Tranzystor BUZ50 (TO-220) METAL
Tranzystor BUZ50, zamknięty w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu 14A. Urządzenie to, wykonane z wykorzystaniem technologii MOSFET, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Integralną częścią są części elektroniczne, które umożliwiają efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji, od zasilaczy po przekształtniki częstotliwości.