LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : FDD2682 SMD (TO-252) »
ID produktu: 13406
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FDD2682 SMD (TO-252)
Tranzystor FDD2682, realizowany w obudowie SMD TO-252, charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, Rds(on), co zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokim natężeniu prądu. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w przetwornicach DC/DC, sterownikach silników oraz innych układach wymagających szybkiego przełączania.
Tranzystor FDD2682 SMD (TO-252)
Tranzystor FDD2682, realizowany w obudowie SMD TO-252, charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, Rds(on), co zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokim natężeniu prądu. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w przetwornicach DC/DC, sterownikach silników oraz innych układach wymagających szybkiego przełączania.
Tranzystor o symbolu : FDD3682 SMD (TO-252) »
ID produktu: 12216
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »FDD3682 SMD (TO-252)
Tranzystor FDD3682 w obudowie SMD (TO-252) to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o wysokiej efektywności. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia jego integrację z nowoczesnymi układami sterowania. Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 100V, a prąd drenu - do 80A, co pozwala na obsługę znacznych obciążeń. Wysoka szybkość przełączania oraz niska rezystancja kanału w stanie przewodzenia to kluczowe parametry, które decydują o wydajności tego komponentu w częściach elektronicznych.
FDD3682 SMD (TO-252)
Tranzystor FDD3682 w obudowie SMD (TO-252) to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o wysokiej efektywności. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia jego integrację z nowoczesnymi układami sterowania. Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 100V, a prąd drenu - do 80A, co pozwala na obsługę znacznych obciążeń. Wysoka szybkość przełączania oraz niska rezystancja kanału w stanie przewodzenia to kluczowe parametry, które decydują o wydajności tego komponentu w częściach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : FDD5614P SMD (TO-252) »
ID produktu: 11490
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »FDD5614P SMD (TO-252)
Tranzystor FDD5614P typu SMD, zaprojektowany w obudowie TO-252, charakteryzuje się napięciem pracy do 60V oraz prądem drenu 15A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami. Wysoka efektywność przełączania oraz niska rezystancja kanału on-state zwiększają wydajność aplikacji, w których jest wykorzystywany.
FDD5614P SMD (TO-252)
Tranzystor FDD5614P typu SMD, zaprojektowany w obudowie TO-252, charakteryzuje się napięciem pracy do 60V oraz prądem drenu 15A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami. Wysoka efektywność przełączania oraz niska rezystancja kanału on-state zwiększają wydajność aplikacji, w których jest wykorzystywany.
Tranzystor o symbolu : FDD770N15A SMD (TO-252) »
ID produktu: 13781
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FDD770N15A SMD (TO-252)
Model FDD770N15A, należący do rodziny tranzystorów polowych MOSFET typu N, charakteryzuje się napięciem pracy 150V oraz prądem drenu 93A. Dzięki obudowie SMD (TO-252), zapewnia optymalizację gęstości mocy oraz efektywność termiczną. Idealny dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych, gdzie kluczowe są wysoka wydajność i niezawodność.
Tranzystor FDD770N15A SMD (TO-252)
Model FDD770N15A, należący do rodziny tranzystorów polowych MOSFET typu N, charakteryzuje się napięciem pracy 150V oraz prądem drenu 93A. Dzięki obudowie SMD (TO-252), zapewnia optymalizację gęstości mocy oraz efektywność termiczną. Idealny dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych, gdzie kluczowe są wysoka wydajność i niezawodność.
Tranzystor o symbolu : FDD8447L SMD (TO-252) »
ID produktu: 9189
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FDD8447L SMD (TO-252)
Tranzystor FDD8447L, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie TO-252, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 40V oraz prądem ciągłym drenu ID na poziomie 15A. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, układach zasilających i komutacyjnych, oferując niskie RDS(on) przy VGS = 10V.
Tranzystor FDD8447L SMD (TO-252)
Tranzystor FDD8447L, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie TO-252, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 40V oraz prądem ciągłym drenu ID na poziomie 15A. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, układach zasilających i komutacyjnych, oferując niskie RDS(on) przy VGS = 10V.
Tranzystor o symbolu : FGD4536 SMD (D-PAK) »
ID produktu: 14273
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FGD4536 SMD (D-PAK)
Tranzystor FGD4536, w obudowie SMD typu D-PAK, charakteryzuje się napięciem pracy do 400V oraz prądem drenu ID wynoszącym maksymalnie 56A. Jego niskie napięcie nasycenia Vds oraz szybkość przełączania, sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych. W kontekście części elektronicznych, FGD4536 jest komponentem o kluczowym znaczeniu dla efektywności energetycznej i miniaturyzacji urządzeń.
Tranzystor FGD4536 SMD (D-PAK)
Tranzystor FGD4536, w obudowie SMD typu D-PAK, charakteryzuje się napięciem pracy do 400V oraz prądem drenu ID wynoszącym maksymalnie 56A. Jego niskie napięcie nasycenia Vds oraz szybkość przełączania, sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych. W kontekście części elektronicznych, FGD4536 jest komponentem o kluczowym znaczeniu dla efektywności energetycznej i miniaturyzacji urządzeń.
Tranzystor o symbolu : FGPF4536 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 14107
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FGPF4536 PLASTIC (TO-220F)
Model FGPF4536, będący tranzystorem PNP typu IGBT, zaprojektowano w obudowie PLASTIC (TO-220F). Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCE wynoszącym 360 V oraz prądem kolektora IC o wartości 4 A. Specyfikacja uwzględnia także niski spadek napięcia w stanie nasycenia, co minimalizuje straty mocy. Zastosowanie znajduje w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, przekształtnikach częstotliwości oraz sterownikach silników.
Tranzystor FGPF4536 PLASTIC (TO-220F)
Model FGPF4536, będący tranzystorem PNP typu IGBT, zaprojektowano w obudowie PLASTIC (TO-220F). Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCE wynoszącym 360 V oraz prądem kolektora IC o wartości 4 A. Specyfikacja uwzględnia także niski spadek napięcia w stanie nasycenia, co minimalizuje straty mocy. Zastosowanie znajduje w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, przekształtnikach częstotliwości oraz sterownikach silników.
Tranzystor o symbolu : FLC10-200 (TO-252) »
ID produktu: 11853
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FLC10-200 (TO-252)
Model FLC10-200, zamknięty w obudowie TO-252, jest tranzystorem NPN o maksymalnym napięciu kolektora do emitera wynoszącym 200V i prądzie kolektora 10A. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz szybkim czasem wyłączania. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania, sterowania silnikami oraz aplikacjach przemysłowych.
Tranzystor FLC10-200 (TO-252)
Model FLC10-200, zamknięty w obudowie TO-252, jest tranzystorem NPN o maksymalnym napięciu kolektora do emitera wynoszącym 200V i prądzie kolektora 10A. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz szybkim czasem wyłączania. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania, sterowania silnikami oraz aplikacjach przemysłowych.
Tranzystor o symbolu : FMG13 PIONEER TRANSISTOR »
ID produktu: 8075
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »FMG13 PIONEER TRANSISTOR
Tranzystor FMG13 PIONEER, zaliczany do półprzewodników mocy, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością na przepięcia. Przeznaczony do aplikacji przełączających, zapewnia efektywną komutację w układach elektronicznych. Element ten, znajdujący zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, wyróżnia się stabilnością pracy przy zróżnicowanych obciążeniach.
FMG13 PIONEER TRANSISTOR
Tranzystor FMG13 PIONEER, zaliczany do półprzewodników mocy, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością na przepięcia. Przeznaczony do aplikacji przełączających, zapewnia efektywną komutację w układach elektronicznych. Element ten, znajdujący zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, wyróżnia się stabilnością pracy przy zróżnicowanych obciążeniach.
Tranzystor o symbolu : FMG22R PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10888
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor FMG22R PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor FMG22R, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przewodzenia do 600V oraz prądem kolektora do 20A. Specyfikacja obejmuje także niski współczynnik termiczny oraz szybki czas wyłączania. Idealnie nadaje się do zastosowań w układach przetwarzania mocy. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
Tranzystor FMG22R PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor FMG22R, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przewodzenia do 600V oraz prądem kolektora do 20A. Specyfikacja obejmuje także niski współczynnik termiczny oraz szybki czas wyłączania. Idealnie nadaje się do zastosowań w układach przetwarzania mocy. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.