LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : ICP-N50 »
ID produktu: 8639
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor ICP-N50
Tranzystor ICP-N50, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się napięciem przebicia BVceo wynoszącym 50V oraz prądem kolektora Ic równym 3A. Jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w układach przełączających i wzmacniaczach audio. Dopełnieniem specyfikacji jest obudowa TO-220, która ułatwia montaż na płytce drukowanej. W kontekście części elektronicznych, ICP-N50 wyróżnia się stabilnością termiczną i niskim nasyceniem napięciowym Vce(sat).
Tranzystor ICP-N50
Tranzystor ICP-N50, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się napięciem przebicia BVceo wynoszącym 50V oraz prądem kolektora Ic równym 3A. Jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w układach przełączających i wzmacniaczach audio. Dopełnieniem specyfikacji jest obudowa TO-220, która ułatwia montaż na płytce drukowanej. W kontekście części elektronicznych, ICP-N50 wyróżnia się stabilnością termiczną i niskim nasyceniem napięciowym Vce(sat).
Tranzystor o symbolu : ICP-N75 »
ID produktu: 8641
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor ICP-N75
Tranzystor ICP-N75, charakteryzujący się bipolarnym typem przewodzenia, zapewnia stabilne parametry przy prądzie kolektora do 1A. Z uwagi na napięcie przebicia kolektor-emiter wynoszące 75V, znajduje zastosowanie w układach o średnim napięciu. Dedykowany dla aplikacji wymagających niezawodnej komutacji, jest często wybierany w częściach elektronicznych do regulacji mocy lub jako element wzmacniający sygnał. Obudowa TO-220 zapewnia efektywny rozpraszanie ciepła.
Tranzystor ICP-N75
Tranzystor ICP-N75, charakteryzujący się bipolarnym typem przewodzenia, zapewnia stabilne parametry przy prądzie kolektora do 1A. Z uwagi na napięcie przebicia kolektor-emiter wynoszące 75V, znajduje zastosowanie w układach o średnim napięciu. Dedykowany dla aplikacji wymagających niezawodnej komutacji, jest często wybierany w częściach elektronicznych do regulacji mocy lub jako element wzmacniający sygnał. Obudowa TO-220 zapewnia efektywny rozpraszanie ciepła.
Tranzystor o symbolu : IKW50N60T (TO-247) »
ID produktu: 13783
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IKW50N60T (TO-247)
Tranzystor IKW50N60T, w obudowie TO-247, jest półprzewodnikiem IGBT zaprojektowanym do zastosowań w przekształtnikach o wysokiej wydajności. Charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera wynoszącym 600V oraz prądem kolektora do 50A. Dzięki niskiemu napięciu nasycenia i szybkiej komutacji, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach sterowania mocy. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację w szerokim spektrum aplikacji przemysłowych.
IKW50N60T (TO-247)
Tranzystor IKW50N60T, w obudowie TO-247, jest półprzewodnikiem IGBT zaprojektowanym do zastosowań w przekształtnikach o wysokiej wydajności. Charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera wynoszącym 600V oraz prądem kolektora do 50A. Dzięki niskiemu napięciu nasycenia i szybkiej komutacji, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach sterowania mocy. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację w szerokim spektrum aplikacji przemysłowych.
Tranzystor o symbolu : IMX1 PIONEER TRANSISTOR »
ID produktu: 8073
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IMX1 PIONEER TRANSISTOR
Tranzystor IMX1 PIONEER, zaliczany do półprzewodnikowych części elektronicznych, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką częstotliwością przełączania. Projektowany głównie do zastosowań w układach sterowania, gdzie wymagana jest precyzyjna regulacja prądu. Wykonany w technologii bipolarnej, zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur.
IMX1 PIONEER TRANSISTOR
Tranzystor IMX1 PIONEER, zaliczany do półprzewodnikowych części elektronicznych, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką częstotliwością przełączania. Projektowany głównie do zastosowań w układach sterowania, gdzie wymagana jest precyzyjna regulacja prądu. Wykonany w technologii bipolarnej, zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor o symbolu : IPS031S SMD (D2-PAK) »
ID produktu: 12937
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IPS031S SMD (D2-PAK)
Model IPS031S, realizowany w obudowie D2-PAK, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do zastosowań wymagających wysokiej efektywności przełączania. Charakteryzuje się niską rezystancją kanału oraz wysoką zdolnością do przewodzenia prądu. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum urządzeń elektronicznych, od zasilaczy po systemy sterowania silnikami. W kontekście części elektronicznych, IPS031S jest wyborem dla projektantów poszukujących niezawodności i wydajności.
Tranzystor IPS031S SMD (D2-PAK)
Model IPS031S, realizowany w obudowie D2-PAK, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do zastosowań wymagających wysokiej efektywności przełączania. Charakteryzuje się niską rezystancją kanału oraz wysoką zdolnością do przewodzenia prądu. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum urządzeń elektronicznych, od zasilaczy po systemy sterowania silnikami. W kontekście części elektronicznych, IPS031S jest wyborem dla projektantów poszukujących niezawodności i wydajności.
Tranzystor o symbolu : IRF1010E (TO-220) »
ID produktu: 11454
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF1010E (TO-220)
Tranzystor IRF1010E, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem drenu ID równej 84A. Urządzenie to jest przeznaczone do pracy w układach o wysokiej efektywności, oferując niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, przetwornicach oraz regulatorach napięcia.
Tranzystor IRF1010E (TO-220)
Tranzystor IRF1010E, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem drenu ID równej 84A. Urządzenie to jest przeznaczone do pracy w układach o wysokiej efektywności, oferując niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, przetwornicach oraz regulatorach napięcia.
Tranzystor o symbolu : IRF1010NS SMD (D2PAK) »
ID produktu: 8642
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF1010ZS SMD (D2PAK)
Model IRF1010ZS, realizowany w obudowie D2PAK, jest tranzystorem polowym typu N-MOSFET, zaprojektowanym do pracy w układach SMD. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach o wysokim natężeniu prądu. Próg napięcia VGS umożliwia precyzyjne sterowanie. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych układach wymagających efektywnego przełączania.
Tranzystor IRF1010ZS SMD (D2PAK)
Model IRF1010ZS, realizowany w obudowie D2PAK, jest tranzystorem polowym typu N-MOSFET, zaprojektowanym do pracy w układach SMD. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach o wysokim natężeniu prądu. Próg napięcia VGS umożliwia precyzyjne sterowanie. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych układach wymagających efektywnego przełączania.
Tranzystor o symbolu : IRF1404 METAL (TO-220) »
ID produktu: 8643
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRF1404 METAL (TO-220)
IRF1404, tranzystor MOSFET typu N, charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on) oraz wysokim prądem drenu ID, osiągającym do 202A. Obudowa TO-220 zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Urządzenie znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji mocy, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości. Dostępne w ofercie części elektroniczne umożliwiają integrację z różnorodnymi układami.
IRF1404 METAL (TO-220)
IRF1404, tranzystor MOSFET typu N, charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on) oraz wysokim prądem drenu ID, osiągającym do 202A. Obudowa TO-220 zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Urządzenie znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji mocy, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości. Dostępne w ofercie części elektroniczne umożliwiają integrację z różnorodnymi układami.
Tranzystor o symbolu : IRF1407 METAL (TO-220) »
ID produktu: 10371
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRF1407 METAL (TO-220)
Tranzystor IRF1407 w obudowie METAL (TO-220) to komponent przeznaczony do zastosowań w wysokowydajnych układach przełączających. Charakteryzujący się niskim napięciem progowym oraz wysoką odpornością termiczną, znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach zasilania. Dzięki swojej konstrukcji, umożliwia efektywne rozpraszanie ciepła, co jest kluczowe w aplikacjach o wysokiej gęstości mocy. Wśród części elektronicznych, IRF1407 wyróżnia się wytrzymałością na duże prądy i napięcia, co sprawia, że jest preferowanym wyborem w projektach wymagających niezawodności i długotrwałej pracy.
IRF1407 METAL (TO-220)
Tranzystor IRF1407 w obudowie METAL (TO-220) to komponent przeznaczony do zastosowań w wysokowydajnych układach przełączających. Charakteryzujący się niskim napięciem progowym oraz wysoką odpornością termiczną, znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach zasilania. Dzięki swojej konstrukcji, umożliwia efektywne rozpraszanie ciepła, co jest kluczowe w aplikacjach o wysokiej gęstości mocy. Wśród części elektronicznych, IRF1407 wyróżnia się wytrzymałością na duże prądy i napięcia, co sprawia, że jest preferowanym wyborem w projektach wymagających niezawodności i długotrwałej pracy.
Tranzystor o symbolu : IRF1510G METAL (TO-220) »
ID produktu: 13407
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF1510G METAL (TO-220)
Tranzystor IRF1510G, zaprojektowany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem drenu-źródło VDS wynoszącym 100V, maksymalnym prądem drenu ID równym 42A oraz rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on) poniżej 0.04?. Jego głównym zastosowaniem są wysokonapięciowe aplikacje przełączające. Zawiera w sobie zaawansowane technologie, zapewniające wydajność termiczną i elektryczną, odpowiednie dla części elektronicznych wymagających niezawodności i długowieczności.
Tranzystor IRF1510G METAL (TO-220)
Tranzystor IRF1510G, zaprojektowany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem drenu-źródło VDS wynoszącym 100V, maksymalnym prądem drenu ID równym 42A oraz rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on) poniżej 0.04?. Jego głównym zastosowaniem są wysokonapięciowe aplikacje przełączające. Zawiera w sobie zaawansowane technologie, zapewniające wydajność termiczną i elektryczną, odpowiednie dla części elektronicznych wymagających niezawodności i długowieczności.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów