LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : IRF840 METAL (TO-220) »
ID produktu: 8656
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF840 METAL (TO-220)
Tranzystor IRF840 w obudowie METAL (TO-220) to komponent półprzewodnikowy typu MOSFET z kanałem N, zaprojektowany do pracy w układach o wysokiej częstotliwości i mocy. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła Vds=500V, prądem drenu Id=8A oraz niską rezystancją kanału Rds(on)=0.85?. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po układy przekształtnikowe.
Tranzystor IRF840 METAL (TO-220)
Tranzystor IRF840 w obudowie METAL (TO-220) to komponent półprzewodnikowy typu MOSFET z kanałem N, zaprojektowany do pracy w układach o wysokiej częstotliwości i mocy. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła Vds=500V, prądem drenu Id=8A oraz niską rezystancją kanału Rds(on)=0.85?. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po układy przekształtnikowe.
Tranzystor o symbolu : IRF9130 »
ID produktu: 11266
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF9130
Tranzystor IRF9130, należący do rodziny P-channel MOSFET, charakteryzuje się napięciem pracy -100V oraz prądem drenu -14A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o aplikacjach o wysokiej wydajności, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przetwarzania energii. Odwrotna pojemność bramki wynosi 1400pF, co wskazuje na jego zdolność do szybkiego przełączania. Dostępność tych części elektronicznych ułatwia integrację w projektach wymagających niezawodności i efektywności.
Tranzystor IRF9130
Tranzystor IRF9130, należący do rodziny P-channel MOSFET, charakteryzuje się napięciem pracy -100V oraz prądem drenu -14A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o aplikacjach o wysokiej wydajności, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przetwarzania energii. Odwrotna pojemność bramki wynosi 1400pF, co wskazuje na jego zdolność do szybkiego przełączania. Dostępność tych części elektronicznych ułatwia integrację w projektach wymagających niezawodności i efektywności.
Tranzystor o symbolu : IRF9230 METAL (TO-3) »
ID produktu: 11267
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRF9230 METAL (TO-3)
Tranzystor IRF9230 METAL (TO-3), będący elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET, charakteryzuje się zdolnością do pracy w obwodach o wysokim napięciu. Urządzenie to, zaprojektowane w obudowie TO-3, oferuje doskonałą wydajność termiczną. Jego główne parametry to maksymalne napięcie dren-źródło wynoszące -200V oraz prąd drenu -6.5A. Dostępne części elektroniczne w naszej ofercie obejmują szeroki zakres komponentów do zastosowań w elektronice mocy.
IRF9230 METAL (TO-3)
Tranzystor IRF9230 METAL (TO-3), będący elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET, charakteryzuje się zdolnością do pracy w obwodach o wysokim napięciu. Urządzenie to, zaprojektowane w obudowie TO-3, oferuje doskonałą wydajność termiczną. Jego główne parametry to maksymalne napięcie dren-źródło wynoszące -200V oraz prąd drenu -6.5A. Dostępne części elektroniczne w naszej ofercie obejmują szeroki zakres komponentów do zastosowań w elektronice mocy.
Tranzystor o symbolu : IRF9530N METAL (TO-220) »
ID produktu: 8658
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRF9530N METAL (TO-220)
Tranzystor IRF9530N, wykonany w obudowie METAL TO-220, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS = -100V, prądem drenu ID = -12A oraz mocą strat Pd = 48W. Jego niskie napięcie progowe VGS(th) umożliwia efektywną pracę w niskonapięciowych układach sterowania. Integralną częścią oferty są części elektroniczne, gdzie znajduje zastosowanie w przetwornicach, regulatorach napięcia oraz innych aplikacjach wymagających efektywnego przełączania.
IRF9530N METAL (TO-220)
Tranzystor IRF9530N, wykonany w obudowie METAL TO-220, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS = -100V, prądem drenu ID = -12A oraz mocą strat Pd = 48W. Jego niskie napięcie progowe VGS(th) umożliwia efektywną pracę w niskonapięciowych układach sterowania. Integralną częścią oferty są części elektroniczne, gdzie znajduje zastosowanie w przetwornicach, regulatorach napięcia oraz innych aplikacjach wymagających efektywnego przełączania.
Tranzystor o symbolu : IRF9540 (TO-220) »
ID produktu: 8899
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »
Tranzystor o symbolu : IRF9540N (TO-220) »
ID produktu: 8659
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRF9540N (TO-220)
Tranzystor IRF9540N, z obudową TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS do -100V oraz prądem drenu ID do -23A. Wysoka odporność na impulsy prądowe oraz niska rezystancja kanału w stanie przewodzenia, RDS(on), zapewnia efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji. Szczegółowe informacje o parametrach i zastosowaniach znajdują się w karcie katalogowej dostępnej na stronie części elektronicznych.
IRF9540N (TO-220)
Tranzystor IRF9540N, z obudową TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS do -100V oraz prądem drenu ID do -23A. Wysoka odporność na impulsy prądowe oraz niska rezystancja kanału w stanie przewodzenia, RDS(on), zapewnia efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji. Szczegółowe informacje o parametrach i zastosowaniach znajdują się w karcie katalogowej dostępnej na stronie części elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : IRF9610 METAL (TO-220) »
ID produktu: 8660
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF9610 METAL (TO-220)
Tranzystor IRF9610, wykonany w obudowie METAL TO-220, charakteryzuje się parametrami takimi jak napięcie przewodzenia Vds wynoszące 200V, prąd drenu Id do 1.8A oraz niskim poziomem rezystancji kanału Rds(on), co umożliwia efektywną pracę w układach przełączających. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych układach elektronicznych wymagających stabilnego sterowania.
Tranzystor IRF9610 METAL (TO-220)
Tranzystor IRF9610, wykonany w obudowie METAL TO-220, charakteryzuje się parametrami takimi jak napięcie przewodzenia Vds wynoszące 200V, prąd drenu Id do 1.8A oraz niskim poziomem rezystancji kanału Rds(on), co umożliwia efektywną pracę w układach przełączających. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych układach elektronicznych wymagających stabilnego sterowania.
Tranzystor o symbolu : IRF9620 »
ID produktu: 8661
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF9620
Model IRF9620 to tranzystor P-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło Vds wynoszącym -200V oraz prądem drenu Id do -1.8A. Próg napięcia Vgs wynosi typowo -4V. Urządzenie to znajduje zastosowanie w układach sterowania mocą oraz w przetwornicach. Dla inżynierów i projektantów, poszukujących specyficznych części elektronicznych, IRF9620 oferuje stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor IRF9620
Model IRF9620 to tranzystor P-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło Vds wynoszącym -200V oraz prądem drenu Id do -1.8A. Próg napięcia Vgs wynosi typowo -4V. Urządzenie to znajduje zastosowanie w układach sterowania mocą oraz w przetwornicach. Dla inżynierów i projektantów, poszukujących specyficznych części elektronicznych, IRF9620 oferuje stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor o symbolu : IRF9630 METAL (TO-220) »
ID produktu: 8662
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRF9630 METAL (TO-220)
Tranzystor IRF9630, wykonany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się typem kanału P, z maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym -200V oraz prądem drenu -6.5A. Posiada niską rezystancję w stanie przewodzenia, co jest istotne dla aplikacji wymagających efektywności energetycznej. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w układach zasilania, przetwornicach czy jako element sterujący w układach oświetleniowych LED.
Tranzystor IRF9630 METAL (TO-220)
Tranzystor IRF9630, wykonany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się typem kanału P, z maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym -200V oraz prądem drenu -6.5A. Posiada niską rezystancję w stanie przewodzenia, co jest istotne dla aplikacji wymagających efektywności energetycznej. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w układach zasilania, przetwornicach czy jako element sterujący w układach oświetleniowych LED.
Tranzystor o symbolu : IRF9640 (TO-220) »
ID produktu: 9598
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRF9640 (TO-220)
Tranzystor IRF9640 w obudowie TO-220 to element półprzewodnikowy typu P-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS do -200V oraz prądem drenu ID do -11A. Posiada niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co zapewnia efektywną pracę w układach przełączających. W kontekście części elektronicznych, IRF9640 znajduje zastosowanie w przetwornicach mocy, sterowaniu silnikami oraz aplikacjach do zarządzania energią.
IRF9640 (TO-220)
Tranzystor IRF9640 w obudowie TO-220 to element półprzewodnikowy typu P-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS do -200V oraz prądem drenu ID do -11A. Posiada niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co zapewnia efektywną pracę w układach przełączających. W kontekście części elektronicznych, IRF9640 znajduje zastosowanie w przetwornicach mocy, sterowaniu silnikami oraz aplikacjach do zarządzania energią.