Tranzystory

ID produktu: 9101

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor IRFZ48N METAL (TO-220)

Tranzystor IRFZ48N, w obudowie METAL TO-220, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V_DS do 55V oraz prądem drenu I_D do 64A. Urządzenie typu N-MOSFET, przeznaczone do zastosowań w przetwornicach mocy, wykazuje niską rezystancję kanału R_DS(on). Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.

ID produktu: 12813

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

IRG4BC30S METAL (TO-220)

Tranzystor IRG4BC30S, w obudowie TO-220, to półprzewodnikowy element wykonany w technologii METAL. Przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania mocy, charakteryzuje się wysoką efektywnością i szybkością przełączania. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, wykorzystywany jest głównie w przekształtnikach i inwerterach.

ID produktu: 12814

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

IRG4BC30UD (G4BC30UD) METAL (TO-220)

Tranzystor IRG4BC30UD, w obudowie TO-220, to półprzewodnikowy element przełączający typu MOSFET, zaprojektowany do zastosowań w układach o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem przewodzenia Vds do 600V oraz prądem Id do 28A. Dzięki zastosowaniu technologii trench, urządzenie oferuje zmniejszoną rezystancję kanału przy włączeniu, co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Wysoka odporność na impulsy napięciowe oraz zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur sprawiają, że jest idealny do zaawansowanych aplikacji mocy. Dla tych, którzy poszukują specjalistycznych części elektronicznych, IRG4BC30UD stanowi niezawodny wybór.

ID produktu: 13252

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

IRG4PC40FD (G4PC40FD) TO-247

Tranzystor IRG4PC40FD, znany również jako G4PC40FD, w obudowie TO-247, jest wysokowydajnym urządzeniem przeznaczonym do zastosowań w przekształtnikach mocy. Charakteryzuje się napięciem przebicia Vce(max) wynoszącym 600V oraz prądem kolektora Ic(max) dochodzącym do 40A. Oferuje niskie Vce(sat) dla zwiększonej efektywności energetycznej oraz szybką przełączalność. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, takich jak przetwornice częstotliwości czy układy UPS. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie impelshop.com.

ID produktu: 12938

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor IRG4PC40S (G4PC40S) TO-247

Tranzystor IRG4PC40S (G4PC40S) w obudowie TO-247 to półprzewodnikowy element przełączający, charakteryzujący się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 40A. Wykorzystywany głównie w aplikacjach wysokonapięciowych, takich jak przetwornice częstotliwości, zapewnia efektywne zarządzanie energią w układach zasilających. Dostępny jest w ofercie części elektronicznych.

ID produktu: 12816

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor IRG4PC40W (G4PC40W) TO-247

Model IRG4PC40W, znany również jako G4PC40W, to tranzystor IGBT zaprojektowany w obudowie TO-247, przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem przebicia V_CE wynoszącym 600V oraz prądem kolektora I_C do 40A przy T_C=25°C. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w układach elektronicznych wysokiej mocy, znajduje zastosowanie głównie w systemach sterowania silnikami, przekształtnikach częstotliwości oraz w aplikacjach związanych z energią odnawialną. Wspomniane części elektroniczne są niezbędne do budowy zaawansowanych systemów elektronicznych.

ID produktu: 12817

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

IRG4PC50K (G4PC50K) - Tranzystor w obudowie TO-247

Tranzystor IRG4PC50K, znany również jako G4PC50K, to element półprzewodnikowy w obudowie TO-247, przeznaczony do zastosowań w układach wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem przebicia Vces wynoszącym 600V oraz prądem kolektora Ic równym 55A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, takich jak przetwornice częstotliwości czy systemy zasilania. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten oferuje wysoką efektywność przy jednoczesnym zachowaniu kompaktowych wymiarów.

ID produktu: 12819

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor IRG4PC50W (G4PC50W) TO-247

Tranzystor IRG4PC50W (G4PC50W) w obudowie TO-247 to półprzewodnikowy element przełączający, wykorzystujący technologię IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), zapewniającą wysoką wydajność przy napięciach do 600V. Charakteryzuje się niskimi stratami przełączania i jest dedykowany do zastosowań w zaawansowanych układach przekształtnikowych. Dostępny wśród części elektronicznych, idealnie nadaje się do aplikacji wymagających efektywnej kontroli mocy.

ID produktu: 12820

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

IRG4PH50K (G4PH50H) - Tranzystor (TO-247)

Tranzystor IRG4PH50K (G4PH50H), w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem przebicia Vces wynoszącym 1200V oraz prądem kolektora Ic równym 45A. Wysoka szybkość przełączania oraz niska rezystancja w stanie przewodzenia, sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach przemysłowych. Dostępny jest w ofercie części elektronicznych.

ID produktu: 12821

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory