LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : IXTP50N20P METAL (TO-220) »
ID produktu: 11856
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IXTP50N20P METAL (TO-220)
Tranzystor IXTP50N20P, wykonany w technologii MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS równym 200V oraz maksymalnym prądem drenu ID wynoszącym 50A. Obudowa TO-220 zapewnia efektywne rozpraszanie ciepła. Idealny do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach i innych częściach elektronicznych wymagających elementów o wysokiej wydajności prądowej i napięciowej.
IXTP50N20P METAL (TO-220)
Tranzystor IXTP50N20P, wykonany w technologii MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS równym 200V oraz maksymalnym prądem drenu ID wynoszącym 50A. Obudowa TO-220 zapewnia efektywne rozpraszanie ciepła. Idealny do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach i innych częściach elektronicznych wymagających elementów o wysokiej wydajności prądowej i napięciowej.
Tranzystor o symbolu : J201 (TO-92) »
ID produktu: 9342
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor J201 (TO-92)
Tranzystor J201, w obudowie TO-92, jest unipolarnym tranzystorem polowym typu N, charakteryzującym się niskim napięciem progowym. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach wzmacniaczy niskoszumowych i generatorów. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w zakresie niskich częstotliwości. Wśród części elektronicznych wyróżnia się stabilnością termiczną i doskonałą liniowością.
Tranzystor J201 (TO-92)
Tranzystor J201, w obudowie TO-92, jest unipolarnym tranzystorem polowym typu N, charakteryzującym się niskim napięciem progowym. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach wzmacniaczy niskoszumowych i generatorów. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w zakresie niskich częstotliwości. Wśród części elektronicznych wyróżnia się stabilnością termiczną i doskonałą liniowością.
Tranzystor o symbolu : K20A60U PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12626
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor K20A60U PLASTIC (TO-220F)
Model K20A60U, tranzystor w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (Vds) wynoszącym 600V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 20A. Wysoka wydajność termiczna oraz niskie napięcie progowe Vgs zapewniają efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji. Dedykowany dla zaawansowanych układów zasilających, ten komponent jest kluczowym elementem w częściach elektronicznych wymagających stabilności i niezawodności.
Tranzystor K20A60U PLASTIC (TO-220F)
Model K20A60U, tranzystor w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (Vds) wynoszącym 600V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 20A. Wysoka wydajność termiczna oraz niskie napięcie progowe Vgs zapewniają efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji. Dedykowany dla zaawansowanych układów zasilających, ten komponent jest kluczowym elementem w częściach elektronicznych wymagających stabilności i niezawodności.
Tranzystor o symbolu : K3A65D PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13739
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor K3A65D PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor K3A65D, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 650V oraz prądem do 3A. Jego zastosowanie znajduje przede wszystkim w układach zasilania, konwersji energii oraz w aplikacjach przemysłowych. Dla tych, którzy poszukują specjalistycznych części elektronicznych, K3A65D oferuje niezawodność i długotrwałą wydajność w wymagających środowiskach.
Tranzystor K3A65D PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor K3A65D, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 650V oraz prądem do 3A. Jego zastosowanie znajduje przede wszystkim w układach zasilania, konwersji energii oraz w aplikacjach przemysłowych. Dla tych, którzy poszukują specjalistycznych części elektronicznych, K3A65D oferuje niezawodność i długotrwałą wydajność w wymagających środowiskach.
Tranzystor o symbolu : K50H603 METAL (TO-247) »
ID produktu: 14051
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor K50H603 METAL (TO-247)
Tranzystor K50H603, w obudowie METAL (TO-247), charakteryzuje się wysoką mocą i efektywnością w przewodzeniu. Przeznaczony do zastosowań w układach o dużej częstotliwości, wykazuje stabilność termiczną, co jest kluczowe w aplikacjach wymagających niezawodności. Znajduje szerokie zastosowanie w przemysłowych częściach elektronicznych, zwłaszcza w modułach zasilających i inwerterach. Jego parametry elektryczne pozwalają na efektywne zarządzanie mocą w skomplikowanych systemach elektronicznych.
Tranzystor K50H603 METAL (TO-247)
Tranzystor K50H603, w obudowie METAL (TO-247), charakteryzuje się wysoką mocą i efektywnością w przewodzeniu. Przeznaczony do zastosowań w układach o dużej częstotliwości, wykazuje stabilność termiczną, co jest kluczowe w aplikacjach wymagających niezawodności. Znajduje szerokie zastosowanie w przemysłowych częściach elektronicznych, zwłaszcza w modułach zasilających i inwerterach. Jego parametry elektryczne pozwalają na efektywne zarządzanie mocą w skomplikowanych systemach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : K5A65D PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 14112
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor K5A65D PLASTIC (TO-220F)
Model K5A65D, tranzystor w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem pracy do 650V oraz prądem drenu Id=5A. Jako komponent z rodziny części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych, a także w układach sterowania mocą. Parametry termiczne i elektryczne tego tranzystora pozwalają na efektywne zarządzanie energią w zaawansowanych aplikacjach elektronicznych.
Tranzystor K5A65D PLASTIC (TO-220F)
Model K5A65D, tranzystor w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem pracy do 650V oraz prądem drenu Id=5A. Jako komponent z rodziny części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych, a także w układach sterowania mocą. Parametry termiczne i elektryczne tego tranzystora pozwalają na efektywne zarządzanie energią w zaawansowanych aplikacjach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : KHB4D5N60F PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13605
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor KHB4D5N60F PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor KHB4D5N60F, w obudowie PLASTIC (TO-220F), to półprzewodnikowy element przełączający, charakteryzujący się napięciem pracy do 600V oraz prądem drenażu Id do 4.5A. Wykorzystanie technologii MOSFET zapewnia wysoką efektywność oraz szybkość przełączania. Dedykowany dla aplikacji w zakresie zarządzania mocą, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami.
Tranzystor KHB4D5N60F PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor KHB4D5N60F, w obudowie PLASTIC (TO-220F), to półprzewodnikowy element przełączający, charakteryzujący się napięciem pracy do 600V oraz prądem drenażu Id do 4.5A. Wykorzystanie technologii MOSFET zapewnia wysoką efektywność oraz szybkość przełączania. Dedykowany dla aplikacji w zakresie zarządzania mocą, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami.
Tranzystor o symbolu : KSC1008 »
ID produktu: 10897
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor KSC1008
Tranzystor KSC1008, bipolarny, NPN, o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 60V oraz prądzie kolektora 2A, charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym w zakresie 100 do 400. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.
Tranzystor KSC1008
Tranzystor KSC1008, bipolarny, NPN, o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 60V oraz prądzie kolektora 2A, charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym w zakresie 100 do 400. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.
Tranzystor o symbolu : KSP10 (TO-92) »
ID produktu: 6843
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor KSP10 (TO-92)
Tranzystor KSP10, typu NPN, zaprojektowany w obudowie TO-92, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera (Vce) wynoszącym 25V oraz maksymalnym prądem kolektora (Ic) równym 500mA. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w układach wzmacniaczy sygnału. Parametry takie jak częstotliwość przejścia (fT) wynosząca 650MHz podkreślają jego przydatność w aplikacjach wysokoczęstotliwościowych.
Tranzystor KSP10 (TO-92)
Tranzystor KSP10, typu NPN, zaprojektowany w obudowie TO-92, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera (Vce) wynoszącym 25V oraz maksymalnym prądem kolektora (Ic) równym 500mA. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w układach wzmacniaczy sygnału. Parametry takie jak częstotliwość przejścia (fT) wynosząca 650MHz podkreślają jego przydatność w aplikacjach wysokoczęstotliwościowych.
Tranzystor o symbolu : KSP2222A (TO-92) »
ID produktu: 9460
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »KSP2222A (TO-92)
Tranzystor KSP2222A, wykonany w obudowie TO-92, jest bipolarnym tranzystorem NPN o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 40V oraz maksymalnym prądzie kolektora 600mA. Charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym w zakresie od 100 do 300 przy VCE = 10V. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach przełączających i wzmacniaczach niskiej mocy.
KSP2222A (TO-92)
Tranzystor KSP2222A, wykonany w obudowie TO-92, jest bipolarnym tranzystorem NPN o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 40V oraz maksymalnym prądzie kolektora 600mA. Charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym w zakresie od 100 do 300 przy VCE = 10V. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach przełączających i wzmacniaczach niskiej mocy.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów