Tranzystory

ID produktu: 12430

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor ME15N10-G SMD (TO-252 D-PAK)

Tranzystor ME15N10-G, w obudowie SMD typu TO-252 (D-PAK), jest elementem półprzewodnikowym N-MOSFET, przeznaczonym do pracy w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 100V oraz prądem drenu I_D równym 15A. Niskie R_DS(on) minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe dla efektywności energetycznej aplikacji. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach, zasilaczach oraz systemach zarządzania energią.

ID produktu: 8679

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

MJ11015 (TO-3)

Tranzystor MJ11015, zawarty w obudowie TO-3, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 120V oraz prądem kolektora o wartości do 30A. Jego głównym zastosowaniem są aplikacje w przemysłowych układach sterowania i zasilania. Dopełnieniem specyfikacji jest zintegrowana dioda ochronna. Dostępność części elektronicznych na rynku obejmuje szeroki wybór komponentów dla profesjonalistów.

ID produktu: 12489

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 8680

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

MJ11016 (TO-3)

Tranzystor MJ11016, zamknięty w obudowie TO-3, charakteryzuje się zdolnością do obsługi wysokich mocy. Jako element z grupy części elektronicznych, ten bipolarny tranzystor mocy Darlingtona zapewnia wysoką wydajność przy prądzie kolektora do 30A i napięciu kolektor-emiter wynoszącym maksymalnie 120V. Specyfikacja obejmuje również niskie nasycenie napięcia V_CE oraz zintegrowaną diodę zabezpieczającą.

ID produktu: 10899

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

MJ11017 (TO-3)

Tranzystor MJ11017, zamknięty w obudowie TO-3, charakteryzuje się zdolnością do pracy w układach o wysokiej mocy. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie i wzmacnianie sygnałów w szerokim zakresie temperatur. Dla osób poszukujących specyficznych części elektronicznych, MJ11017 oferuje stabilność pracy przy jednoczesnym zachowaniu niskiego nasycenia napięciowego.

ID produktu: 10900

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

MJ11018 (TO-3)

Tranzystor MJ11018, zaprojektowany w obudowie TO-3, charakteryzuje się zdolnością do pracy w wysokich temperaturach. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie w aplikacjach mocy. Współczynnik wzmocnienia prądowego (hFE) oraz maksymalne napięcie kolektora-emitera (Vce) są kluczowe dla projektantów części elektronicznych. Specyfikacja obejmuje również maksymalny prąd kolektora (Ic), co jest istotne przy projektowaniu obwodów elektronicznych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie obciążeń.

ID produktu: 12826

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

MJ14001 Tranzystor

Tranzystor MJ14001, bipolarny, o konfiguracji NPN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera V_CEO wynoszącym 400V oraz maksymalnym prądem kolektora I_C do 20A. Urządzenie zaprojektowano do zastosowań w układach o dużej mocy. Dla zainteresowanych częściami elektronicznymi, MJ14001 oferuje także niski współczynnik nasycenia, co pozwala na efektywniejszą pracę w układach przełączających.

ID produktu: 12942

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor MJ14003 (TO-3)

Tranzystor MJ14003, wykonany w obudowie metalowej TO-3, charakteryzuje się niskim nasyceniem napięciowym oraz wysoką mocą. Przeznaczony do zastosowań w układach regulacji mocy, przetwornicach i innych aplikacjach wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Dostępność części elektronicznych na rynku umożliwia integrację z różnorodnymi układami.

ID produktu: 8681

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor MJ15003 (TO-3)

Model MJ15003 to tranzystor bipolarny NPN, zaprojektowany do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera (Vce) wynoszącym 140V oraz maksymalnym prądem kolektora (Ic) dochodzącym do 20A. Jego obudowa TO-3 zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. W kontekście części elektronicznych, MJ15003 znajduje zastosowanie w wzmacniaczach audio, zasilaczach oraz innych urządzeniach wymagających stabilnej pracy przy wysokich obciążeniach.

ID produktu: 10742

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

MJ15011 (TO-3)

Tranzystor MJ15011, w obudowie TO-3, to bipolarny tranzystor mocy NPN, przeznaczony do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera V_CEO równym 140V oraz maksymalnym prądem kolektora I_C wynoszącym 20A. Doskonale sprawdza się w aplikacjach audio, jako element końcowy w wzmacniaczach mocy. Dla osób poszukujących specjalistycznych części elektronicznych, MJ15011 oferuje stabilność termiczną i niezawodność w szerokim zakresie temperatur.