LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : IRGP30B120KD-E (TO-247) »
ID produktu: 12822
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRGP30B120KD-E (TO-247)
Tranzystor IRGP30B120KD-E, w obudowie TO-247, jest elementem półprzewodnikowym, przeznaczonym do zastosowań w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzuje się napięciem pracy do 1200V oraz prądem kolektora do 30A, co umożliwia jego wykorzystanie w wysokonapięciowych aplikacjach przemysłowych. Dzięki zastosowaniu technologii IGBT, tranzystor ten oferuje optymalizację szybkości przełączania przy zachowaniu niskich strat mocy. Współpraca z częściami elektronicznymi o podobnych parametrach pozwala na budowę efektywnych systemów energetycznych.
IRGP30B120KD-E (TO-247)
Tranzystor IRGP30B120KD-E, w obudowie TO-247, jest elementem półprzewodnikowym, przeznaczonym do zastosowań w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzuje się napięciem pracy do 1200V oraz prądem kolektora do 30A, co umożliwia jego wykorzystanie w wysokonapięciowych aplikacjach przemysłowych. Dzięki zastosowaniu technologii IGBT, tranzystor ten oferuje optymalizację szybkości przełączania przy zachowaniu niskich strat mocy. Współpraca z częściami elektronicznymi o podobnych parametrach pozwala na budowę efektywnych systemów energetycznych.
Tranzystor o symbolu : IRGP4063D (TO-247) »
ID produktu: 12939
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRGP4063D (TO-247)
Tranzystor IRGP4063D, wykonany w obudowie TO-247, dedykowany jest do zastosowań w zaawansowanych układach przekształtników częstotliwości oraz innych aplikacji wymagających wysokiej wydajności. Charakteryzuje się napięciem przebicia VCES wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC o wartości do 96A. Dzięki niskiemu współczynnikowi RDS(on), minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe w efektywności energetycznej części elektronicznych. Produkt znajduje zastosowanie w szerokim spektrum urządzeń elektronicznych, od zasilaczy po zaawansowane systemy inwerterów.
IRGP4063D (TO-247)
Tranzystor IRGP4063D, wykonany w obudowie TO-247, dedykowany jest do zastosowań w zaawansowanych układach przekształtników częstotliwości oraz innych aplikacji wymagających wysokiej wydajności. Charakteryzuje się napięciem przebicia VCES wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC o wartości do 96A. Dzięki niskiemu współczynnikowi RDS(on), minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe w efektywności energetycznej części elektronicznych. Produkt znajduje zastosowanie w szerokim spektrum urządzeń elektronicznych, od zasilaczy po zaawansowane systemy inwerterów.
Tranzystor o symbolu : IRGP4068D (TO-247) »
ID produktu: 12940
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRGP4068D (TO-247)
Tranzystor IRGP4068D, z obudową TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID do 96A przy TC=25°C. Urządzenie zapewnia niskie RDS(on), co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Wysoka szybkość przełączania i zintegrowana dioda Schottky'ego to kluczowe cechy tego komponentu. Znajdź więcej części elektronicznych dla swoich projektów.
IRGP4068D (TO-247)
Tranzystor IRGP4068D, z obudową TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID do 96A przy TC=25°C. Urządzenie zapewnia niskie RDS(on), co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Wysoka szybkość przełączania i zintegrowana dioda Schottky'ego to kluczowe cechy tego komponentu. Znajdź więcej części elektronicznych dla swoich projektów.
Tranzystor o symbolu : IRGP4086 (TO-247) »
ID produktu: 11456
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRGP4086 (TO-247)
Tranzystor IRGP4086, z obudową TO-247, jest elementem półprzewodnikowym wysokiej mocy, zaprojektowanym do zastosowań w układach przekształtnikowych. Charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym Id do 70A. Jego dynamiczne parametry, takie jak niska rezystancja kanału Rds(on) oraz szybkość przełączania, czynią go odpowiednim do efektywnych aplikacji w przetwornicach częstotliwości i systemach zasilania. Dostęp do szerokiej oferty części elektronicznych umożliwia implementację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
IRGP4086 (TO-247)
Tranzystor IRGP4086, z obudową TO-247, jest elementem półprzewodnikowym wysokiej mocy, zaprojektowanym do zastosowań w układach przekształtnikowych. Charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym Id do 70A. Jego dynamiczne parametry, takie jak niska rezystancja kanału Rds(on) oraz szybkość przełączania, czynią go odpowiednim do efektywnych aplikacji w przetwornicach częstotliwości i systemach zasilania. Dostęp do szerokiej oferty części elektronicznych umożliwia implementację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : IRL2203 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13618
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRL2203 METAL (TO-220)
Tranzystor IRL2203 METAL, w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach o wysokiej efektywności i gęstości mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym i wysoką prędkością przełączania. Maksymalne napięcie drenu do źródła wynosi 30V, a maksymalny prąd ciągły drenu to 116A przy Tc=25°C. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz układach sterowania silnikami.
Tranzystor IRL2203 METAL (TO-220)
Tranzystor IRL2203 METAL, w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach o wysokiej efektywności i gęstości mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym i wysoką prędkością przełączania. Maksymalne napięcie drenu do źródła wynosi 30V, a maksymalny prąd ciągły drenu to 116A przy Tc=25°C. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz układach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : IRL3103 »
ID produktu: 10372
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRL3103
Tranzystor IRL3103, należący do kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS o wartości 30V, prądem drenu ID wynoszącym 64A oraz niską rezystancją kanału RDS(on). Urządzenie to, wykonane w technologii MOSFET, zapewnia efektywną pracę w układach przełączających.
Tranzystor IRL3103
Tranzystor IRL3103, należący do kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS o wartości 30V, prądem drenu ID wynoszącym 64A oraz niską rezystancją kanału RDS(on). Urządzenie to, wykonane w technologii MOSFET, zapewnia efektywną pracę w układach przełączających.
Tranzystor o symbolu : IRL3713 METAL (TO-220) »
ID produktu: 11553
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRL3713 METAL (TO-220)
Tranzystor IRL3713 w obudowie METAL (TO-220) charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 30V, prądem drenu ID = 260A oraz niską rezystancją kanału RDS(on). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w przetwornicach DC/DC i układach sterowania silnikami. Dzięki technologii HEXFET Power MOSFET, zapewnia wydajność energetyczną oraz niezawodność. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie dostawcy.
IRL3713 METAL (TO-220)
Tranzystor IRL3713 w obudowie METAL (TO-220) charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 30V, prądem drenu ID = 260A oraz niską rezystancją kanału RDS(on). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w przetwornicach DC/DC i układach sterowania silnikami. Dzięki technologii HEXFET Power MOSFET, zapewnia wydajność energetyczną oraz niezawodność. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie dostawcy.
Tranzystor o symbolu : IRL7833 METAL (TO-220) »
ID produktu: 14540
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRL7833 METAL (TO-220)
Tranzystor IRL7833 METAL (TO-220) to element półprzewodnikowy typu MOSFET, charakteryzujący się niskim napięciem progowym i wysoką zdolnością przenoszenia prądu. Przystosowany do pracy w obwodach o wysokiej częstotliwości, znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Obudowa TO-220 zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła.
IRL7833 METAL (TO-220)
Tranzystor IRL7833 METAL (TO-220) to element półprzewodnikowy typu MOSFET, charakteryzujący się niskim napięciem progowym i wysoką zdolnością przenoszenia prądu. Przystosowany do pracy w obwodach o wysokiej częstotliwości, znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Obudowa TO-220 zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła.
Tranzystor o symbolu : IRLB3034 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13153
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRLB3034 METAL (TO-220)
IRLB3034, tranzystor MOSFET typu N, charakteryzuje się niską rezystancją kanału RDS(on) wynoszącą zaledwie 1.7 m? przy VGS = 10 V, co pozwala na przepływ dużej mocy. Przystosowany do pracy w obudowie TO-220, zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Maksymalne napięcie drenu do źródła VDSS osiąga 40 V, a maksymalny prąd ciągły drenu ID to 195 A. Produkt znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, sterowania silnikami oraz aplikacjach przemysłowych.
Tranzystor IRLB3034 METAL (TO-220)
IRLB3034, tranzystor MOSFET typu N, charakteryzuje się niską rezystancją kanału RDS(on) wynoszącą zaledwie 1.7 m? przy VGS = 10 V, co pozwala na przepływ dużej mocy. Przystosowany do pracy w obudowie TO-220, zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Maksymalne napięcie drenu do źródła VDSS osiąga 40 V, a maksymalny prąd ciągły drenu ID to 195 A. Produkt znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, sterowania silnikami oraz aplikacjach przemysłowych.
Tranzystor o symbolu : IRLB4030 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13154
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRLB4030 METAL (TO-220)
Tranzystor IRLB4030 w obudowie METAL (TO-220) charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 100V, prądem drenu ID na poziomie 180A oraz niską rezystancją kanału RDS(on), co przekłada się na wysoką efektywność w aplikacjach przełączających. Integralną częścią specyfikacji jest również zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych jest to komponent o kluczowym znaczeniu w projektowaniu wydajnych układów zasilających.
IRLB4030 METAL (TO-220)
Tranzystor IRLB4030 w obudowie METAL (TO-220) charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 100V, prądem drenu ID na poziomie 180A oraz niską rezystancją kanału RDS(on), co przekłada się na wysoką efektywność w aplikacjach przełączających. Integralną częścią specyfikacji jest również zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych jest to komponent o kluczowym znaczeniu w projektowaniu wydajnych układów zasilających.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów