LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : IRLB4132 METAL (TO-220) »
ID produktu: 11147
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRLB4132 METAL (TO-220)
Tranzystor IRLB4132 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 30V oraz prądem drenu ID do 140A. Zastosowanie technologii HEXFET® Power MOSFET pozwala na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur. Urządzenie to znajduje zastosowanie głównie w wysokoprądowych układach przełączających. Dostępność części elektronicznych pozwala na łatwą integrację z różnorodnymi projektami.
IRLB4132 METAL (TO-220)
Tranzystor IRLB4132 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 30V oraz prądem drenu ID do 140A. Zastosowanie technologii HEXFET® Power MOSFET pozwala na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur. Urządzenie to znajduje zastosowanie głównie w wysokoprądowych układach przełączających. Dostępność części elektronicznych pozwala na łatwą integrację z różnorodnymi projektami.
Tranzystor o symbolu : IRLB8748 METAL (TO-220) »
ID produktu: 11269
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRLB8748 METAL (TO-220)
IRLB8748 METAL, tranzystor typu MOSFET z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 30V oraz prądem drenu Id do 78A. Urządzenie oferuje niską rezystancję kanału Rds(on) na poziomie 8.7m?, co zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokim natężeniu prądu. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, przetwornicach oraz sterownikach silników.
Tranzystor IRLB8748 METAL (TO-220)
IRLB8748 METAL, tranzystor typu MOSFET z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 30V oraz prądem drenu Id do 78A. Urządzenie oferuje niską rezystancję kanału Rds(on) na poziomie 8.7m?, co zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokim natężeniu prądu. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, przetwornicach oraz sterownikach silników.
Tranzystor o symbolu : IRLR2905 SMD (D-PAK) »
ID produktu: 9535
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRLR2905 SMD (D-PAK)
Tranzystor IRLR2905, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie D-PAK, charakteryzuje się niską rezystancją kanału przy Vgs=10V. Jego maksymalne napięcie drenu do źródła wynosi 55V, a maksymalny prąd ciągły drenu osiąga wartość 42A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zarządzania mocą oraz w przetwornicach DC/DC.
Tranzystor IRLR2905 SMD (D-PAK)
Tranzystor IRLR2905, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie D-PAK, charakteryzuje się niską rezystancją kanału przy Vgs=10V. Jego maksymalne napięcie drenu do źródła wynosi 55V, a maksymalny prąd ciągły drenu osiąga wartość 42A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zarządzania mocą oraz w przetwornicach DC/DC.
Tranzystor o symbolu : IRLR3410 SMD (TO-252 D-PAK) »
ID produktu: 12218
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRLR3410 SMD (TO-252 D-PAK)
Tranzystor IRLR3410 typu SMD, z obudową TO-252 D-PAK, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką zdolnością przenoszenia prądu. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie kluczowe jest zarządzanie mocą. Współpracuje z szerokim spektrum części elektronicznych, co ułatwia integrację z różnorodnymi modułami. Specyfikacja techniczna obejmuje m.in. maksymalne napięcie drenu-źródła (Vds), prąd drenu (Id) oraz rezystancję w stanie przewodzenia (Rds(on)).
IRLR3410 SMD (TO-252 D-PAK)
Tranzystor IRLR3410 typu SMD, z obudową TO-252 D-PAK, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką zdolnością przenoszenia prądu. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie kluczowe jest zarządzanie mocą. Współpracuje z szerokim spektrum części elektronicznych, co ułatwia integrację z różnorodnymi modułami. Specyfikacja techniczna obejmuje m.in. maksymalne napięcie drenu-źródła (Vds), prąd drenu (Id) oraz rezystancję w stanie przewodzenia (Rds(on)).
Tranzystor o symbolu : IRLR6705 SMD »
ID produktu: 13408
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRLR6705 SMD Tranzystor
Tranzystor IRLR6705 SMD to komponent z kategorii części elektronicznych, charakteryzujący się niskim napięciem progowym Vgs(th) i wysoką prądową wydajnością Id. Jego obudowa SMD umożliwia montaż powierzchniowy, co jest zgodne z trendami miniaturyzacji w elektronice. Parametry takie jak Rds(on) minimalizują straty mocy, co czyni go odpowiednim dla aplikacji o wysokiej efektywności energetycznej.
IRLR6705 SMD Tranzystor
Tranzystor IRLR6705 SMD to komponent z kategorii części elektronicznych, charakteryzujący się niskim napięciem progowym Vgs(th) i wysoką prądową wydajnością Id. Jego obudowa SMD umożliwia montaż powierzchniowy, co jest zgodne z trendami miniaturyzacji w elektronice. Parametry takie jak Rds(on) minimalizują straty mocy, co czyni go odpowiednim dla aplikacji o wysokiej efektywności energetycznej.
Tranzystor o symbolu : IRLR8743 SMD (TO-252 D-PAK) »
ID produktu: 12488
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IRLR8743 SMD (TO-252 D-PAK)
Model IRLR8743, będący elementem z kategorii części elektronicznych, to tranzystor typu MOSFET o konfiguracji N-kanałowej. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), maksymalnym napięciem dren-źródło VDSS wynoszącym 30V oraz prądem drenu ID do 160A. Zapakowany w obudowę SMD typu TO-252 D-PAK, przeznaczony jest do zastosowań w wysokowydajnych przetwornicach mocy.
Tranzystor IRLR8743 SMD (TO-252 D-PAK)
Model IRLR8743, będący elementem z kategorii części elektronicznych, to tranzystor typu MOSFET o konfiguracji N-kanałowej. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), maksymalnym napięciem dren-źródło VDSS wynoszącym 30V oraz prądem drenu ID do 160A. Zapakowany w obudowę SMD typu TO-252 D-PAK, przeznaczony jest do zastosowań w wysokowydajnych przetwornicach mocy.
Tranzystor o symbolu : IRLS540A »
ID produktu: 11149
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IRLS540A Tranzystor
IRLS540A, tranzystor typu MOSFET z kanałem N, charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia efektywne sterowanie przy niskich napięciach. Przy VDS = 100V, ID osiąga wartość do 28A, co wskazuje na wysoką przepustowość prądową. Zastosowanie technologii HEXFET® Power MOSFET zapewnia zredukowaną rezystancję w stanie przewodzenia, RDS(on), co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Tranzystor ten znajduje szerokie zastosowanie w systemach zarządzania mocą, przekształtnikach oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnej kontroli przebiegów prądowych.
IRLS540A Tranzystor
IRLS540A, tranzystor typu MOSFET z kanałem N, charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia efektywne sterowanie przy niskich napięciach. Przy VDS = 100V, ID osiąga wartość do 28A, co wskazuje na wysoką przepustowość prądową. Zastosowanie technologii HEXFET® Power MOSFET zapewnia zredukowaną rezystancję w stanie przewodzenia, RDS(on), co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Tranzystor ten znajduje szerokie zastosowanie w systemach zarządzania mocą, przekształtnikach oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnej kontroli przebiegów prądowych.
Tranzystor o symbolu : IXFH50N20 (TO-3PN) »
ID produktu: 12470
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IXFH50N20 (TO-3PN)
Tranzystor IXFH50N20, z obudową TO-3PN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID do 50A. Parametr RDS(on) tego elementu, określający rezystancję w stanie przewodzenia, jest niski, co przekłada się na efektywność pracy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania i przekształtnikach częstotliwości.
IXFH50N20 (TO-3PN)
Tranzystor IXFH50N20, z obudową TO-3PN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID do 50A. Parametr RDS(on) tego elementu, określający rezystancję w stanie przewodzenia, jest niski, co przekłada się na efektywność pracy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania i przekształtnikach częstotliwości.
Tranzystor o symbolu : IXGQ90N33 (TO-3PN) »
ID produktu: 10464
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor IXGQ90N33 (TO-3PN)
Model IXGQ90N33, tranzystor w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się napięciem drenu-source VDS wynoszącym maksymalnie 330V oraz prądem drenu ID na poziomie 90A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest zaprojektowane z myślą o aplikacjach wymagających wysokiej mocy i szybkości przełączania, takich jak przetwornice częstotliwości czy zasilacze impulsowe.
Tranzystor IXGQ90N33 (TO-3PN)
Model IXGQ90N33, tranzystor w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się napięciem drenu-source VDS wynoszącym maksymalnie 330V oraz prądem drenu ID na poziomie 90A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest zaprojektowane z myślą o aplikacjach wymagających wysokiej mocy i szybkości przełączania, takich jak przetwornice częstotliwości czy zasilacze impulsowe.
Tranzystor o symbolu : IXTH88N30P (TO-247) »
ID produktu: 12941
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IXTH88N30P (TO-247)
Tranzystor IXTH88N30P, w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 300V oraz prądem drenu ID na poziomie 88A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach wymagających wysokiej mocy. Specyfikacja obejmuje także maksymalną moc strat PD oraz parametry związane z czasem włączania i wyłączania.
IXTH88N30P (TO-247)
Tranzystor IXTH88N30P, w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 300V oraz prądem drenu ID na poziomie 88A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach wymagających wysokiej mocy. Specyfikacja obejmuje także maksymalną moc strat PD oraz parametry związane z czasem włączania i wyłączania.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów