LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 50R380P SMD (TO-252) »
ID produktu: 13918
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 50R380P SMD (TO-252)
Tranzystor 50R380P, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem drenu-source Vds=500V, prądem drenu Id=3.8A oraz niską rezystancją kanału Rds(on)=1.25?. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach impulsowych, zasilaczach i systemach zarządzania energią.
Tranzystor 50R380P SMD (TO-252)
Tranzystor 50R380P, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem drenu-source Vds=500V, prądem drenu Id=3.8A oraz niską rezystancją kanału Rds(on)=1.25?. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach impulsowych, zasilaczach i systemach zarządzania energią.
Tranzystor o symbolu : 50S380CE SMD (TO-252) »
ID produktu: 14425
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 50S380CE SMD (TO-252)
Model 50S380CE, realizowany w obudowie SMD typu TO-252, to element półprzewodnikowy NPN charakteryzujący się maksymalnym napięciem kolektor-emiter wynoszącym 380V oraz prądem kolektora do 5A. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka wydajność i niezawodność. Dedykowany do zastosowań przemysłowych oraz w urządzeniach konsumenckich, ten tranzystor jest kluczowym składnikiem w projektowaniu efektywnych przetwornic napięcia, sterowników silników oraz innych układów wymagających stabilizacji i regulacji mocy. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie.
Tranzystor 50S380CE SMD (TO-252)
Model 50S380CE, realizowany w obudowie SMD typu TO-252, to element półprzewodnikowy NPN charakteryzujący się maksymalnym napięciem kolektor-emiter wynoszącym 380V oraz prądem kolektora do 5A. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka wydajność i niezawodność. Dedykowany do zastosowań przemysłowych oraz w urządzeniach konsumenckich, ten tranzystor jest kluczowym składnikiem w projektowaniu efektywnych przetwornic napięcia, sterowników silników oraz innych układów wymagających stabilizacji i regulacji mocy. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie.
Tranzystor o symbolu : 5N50 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 11193
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 5N50 PLASTIC (TO-220F)
Model 5N50, z obudową TO-220F, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w układach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się prądem drenu Id=5A oraz maksymalnym napięciem dren-źródło Vds=500V. Oferuje niską rezystancję kanału przy Vgs=10V, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przemysłowych. Znajdziesz go w ofercie części elektronicznych.
Tranzystor 5N50 PLASTIC (TO-220F)
Model 5N50, z obudową TO-220F, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w układach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się prądem drenu Id=5A oraz maksymalnym napięciem dren-źródło Vds=500V. Oferuje niską rezystancję kanału przy Vgs=10V, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przemysłowych. Znajdziesz go w ofercie części elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 5N60C PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10610
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 5N60C PLASTIC (TO-220F)
Model 5N60C, zaprojektowany w obudowie TO-220F, jest tranzystorem MOSFET typu N, oferującym maksymalne napięcie dren-źródło wynoszące 600V oraz prąd drenu do 4.5A. Charakteryzuje się on niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką zdolnością do przewodzenia impulsowego. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz w sterowaniu silnikami.
Tranzystor 5N60C PLASTIC (TO-220F)
Model 5N60C, zaprojektowany w obudowie TO-220F, jest tranzystorem MOSFET typu N, oferującym maksymalne napięcie dren-źródło wynoszące 600V oraz prąd drenu do 4.5A. Charakteryzuje się on niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką zdolnością do przewodzenia impulsowego. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz w sterowaniu silnikami.
Tranzystor o symbolu : 5N70 METAL (TO-220) »
ID produktu: 12787
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 5N70 METAL (TO-220)
Model 5N70, w obudowie TO-220, to tranzystor typu MOSFET o napięciu przebicia VDS wynoszącym 700V oraz prądzie drenażowym ID równym 5A. Charakteryzuje się niskim współczynnikiem RDS(on), co minimalizuje straty mocy. Wykorzystywany w aplikacjach przemysłowych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach częstotliwości oraz innych częściach elektronicznych, wymaga precyzyjnego sterowania.
Tranzystor 5N70 METAL (TO-220)
Model 5N70, w obudowie TO-220, to tranzystor typu MOSFET o napięciu przebicia VDS wynoszącym 700V oraz prądzie drenażowym ID równym 5A. Charakteryzuje się niskim współczynnikiem RDS(on), co minimalizuje straty mocy. Wykorzystywany w aplikacjach przemysłowych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach częstotliwości oraz innych częściach elektronicznych, wymaga precyzyjnego sterowania.
Tranzystor o symbolu : 5NK52 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13145
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 5NK52 METAL (TO-220)
Model 5NK52, z obudową TO-220, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością termiczną. Jego aplikacje obejmują przede wszystkim zaawansowane układy przełączające. Dzięki precyzyjnemu procesowi produkcyjnemu, tranzystor ten zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, 5NK52 znajduje zastosowanie w zasilaczach, inwerterach oraz systemach sterowania silnikami.
Tranzystor 5NK52 METAL (TO-220)
Model 5NK52, z obudową TO-220, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością termiczną. Jego aplikacje obejmują przede wszystkim zaawansowane układy przełączające. Dzięki precyzyjnemu procesowi produkcyjnemu, tranzystor ten zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, 5NK52 znajduje zastosowanie w zasilaczach, inwerterach oraz systemach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : 5NK52 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13350
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 5NK52 PLASTIC (TO-220F)
Model 5NK52, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 500V i prądem do 5A. Jego głównym zastosowaniem są układy przełączające i wzmacniacze mocy w szerokim zakresie części elektronicznych. Tranzystor ten, dzięki technologii wykonania, zapewnia stabilność termiczną oraz wysoką efektywność w pracy przy zmiennych obciążeniach.
Tranzystor 5NK52 PLASTIC (TO-220F)
Model 5NK52, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 500V i prądem do 5A. Jego głównym zastosowaniem są układy przełączające i wzmacniacze mocy w szerokim zakresie części elektronicznych. Tranzystor ten, dzięki technologii wykonania, zapewnia stabilność termiczną oraz wysoką efektywność w pracy przy zmiennych obciążeniach.
Tranzystor o symbolu : 60R260D SMD (NCE60R620D) »
ID produktu: 13780
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 60R260D SMD (NCE60R620D)
Model NCE60R620D, to tranzystor typu MOSFET z kanałem N, zaprojektowany do pracy w zaawansowanych aplikacjach przełączających. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), wynoszącą 0.26? przy VGS=10V, oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 60A. Jego obudowa SMD umożliwia integrację z płytkami drukowanymi metodą montażu powierzchniowego. W kontekście części elektronicznych, tranzystor ten znajduje zastosowanie w systemach zasilania, konwerterach DC/DC oraz innych aplikacjach wymagających efektywnego zarządzania mocą.
Tranzystor 60R260D SMD (NCE60R620D)
Model NCE60R620D, to tranzystor typu MOSFET z kanałem N, zaprojektowany do pracy w zaawansowanych aplikacjach przełączających. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), wynoszącą 0.26? przy VGS=10V, oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 60A. Jego obudowa SMD umożliwia integrację z płytkami drukowanymi metodą montażu powierzchniowego. W kontekście części elektronicznych, tranzystor ten znajduje zastosowanie w systemach zasilania, konwerterach DC/DC oraz innych aplikacjach wymagających efektywnego zarządzania mocą.
Tranzystor o symbolu : 60R580P PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13720
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 60R580P PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 60R580P w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia efektywną pracę w układach o zredukowanym napięciu zasilania. Jego maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 600V, a prąd ciągły drenu osiąga wartość do 4.5A. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie aplikacji, w tym w przetwornicach mocy, systemach zasilania, a także jako element sterujący w układach elektronicznych. Dla specjalistów poszukujących części elektronicznych o wysokiej niezawodności, 60R580P stanowi optymalny wybór.
Tranzystor 60R580P PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 60R580P w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia efektywną pracę w układach o zredukowanym napięciu zasilania. Jego maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 600V, a prąd ciągły drenu osiąga wartość do 4.5A. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie aplikacji, w tym w przetwornicach mocy, systemach zasilania, a także jako element sterujący w układach elektronicznych. Dla specjalistów poszukujących części elektronicznych o wysokiej niezawodności, 60R580P stanowi optymalny wybór.
Tranzystor o symbolu : 60R580P SMD (TO-252) »
ID produktu: 13647
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 60R580P SMD (TO-252)
Tranzystor 60R580P, realizowany w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem drenu wynoszącym maksymalnie 7.3A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji zasilających, oferując niskie RDS(on) dla efektywniejszej pracy. Dedykowany dla zaawansowanych układów elektronicznych, wymagających niezawodności i wydajności, stanowi kluczowy komponent w projektowaniu efektywnych przetwornic. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych w naszej ofercie.
Tranzystor 60R580P SMD (TO-252)
Tranzystor 60R580P, realizowany w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem drenu wynoszącym maksymalnie 7.3A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji zasilających, oferując niskie RDS(on) dla efektywniejszej pracy. Dedykowany dla zaawansowanych układów elektronicznych, wymagających niezawodności i wydajności, stanowi kluczowy komponent w projektowaniu efektywnych przetwornic. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych w naszej ofercie.