LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 60V60DF PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 14209
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 60V60DF PLASTIC (TO-220F)
Model 60V60DF, tranzystor w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła do 60V oraz prądem drenu wynoszącym maksymalnie 60A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w układach przełączających, wykazuje niskie straty mocy dzięki optymalizacji parametrów RDS(on). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC, jak również w układach sterowania silnikami.
Tranzystor 60V60DF PLASTIC (TO-220F)
Model 60V60DF, tranzystor w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła do 60V oraz prądem drenu wynoszącym maksymalnie 60A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w układach przełączających, wykazuje niskie straty mocy dzięki optymalizacji parametrów RDS(on). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC, jak również w układach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : 65NF06 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13733
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 65NF06 METAL (TO-220)
Tranzystor 65NF06, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 60V oraz prądem drenu ID do 60A. Przeznaczony do zastosowań w przetwornicach, układach komutacji i regulacji mocy. Wysoka efektywność i szybkość przełączania to kluczowe parametry, które determinują jego wykorzystanie w zaawansowanych częściach elektronicznych.
Tranzystor 65NF06 METAL (TO-220)
Tranzystor 65NF06, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 60V oraz prądem drenu ID do 60A. Przeznaczony do zastosowań w przetwornicach, układach komutacji i regulacji mocy. Wysoka efektywność i szybkość przełączania to kluczowe parametry, które determinują jego wykorzystanie w zaawansowanych częściach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 6N80C (FQPF6N80C) PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10733
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 6N80C (FQPF6N80C) PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 6N80C (FQPF6N80C) typu MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 6A, wykonany w obudowie TO-220F, zapewnia wysoką wydajność w aplikacjach wymagających przetwarzania mocy. Element ten, będący kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych układach elektronicznych o wysokiej częstotliwości.
Tranzystor 6N80C (FQPF6N80C) PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 6N80C (FQPF6N80C) typu MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 6A, wykonany w obudowie TO-220F, zapewnia wysoką wydajność w aplikacjach wymagających przetwarzania mocy. Element ten, będący kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych układach elektronicznych o wysokiej częstotliwości.
Tranzystor o symbolu : 6R190C6 (TO-220) »
ID produktu: 13115
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 6R190C6 (TO-220)
Model 6R190C6, tranzystor typu MOSFET w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 600V oraz prądem drenu Id do 19.5A. Zastosowanie technologii CoolMOS™ zapewnia zredukowaną rezystancję kanału w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność energetyczną. Urządzenie to znajduje szerokie zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania mocy.
Tranzystor 6R190C6 (TO-220)
Model 6R190C6, tranzystor typu MOSFET w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 600V oraz prądem drenu Id do 19.5A. Zastosowanie technologii CoolMOS™ zapewnia zredukowaną rezystancję kanału w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność energetyczną. Urządzenie to znajduje szerokie zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania mocy.
Tranzystor o symbolu : 6R190C6 (TO-247) »
ID produktu: 12808
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 6R190C6 (TO-247)
Tranzystor 6R190C6, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym Id do 19.7A. Dzięki zastosowaniu technologii CoolMOS™, urządzenie oferuje zredukowaną stratę mocy i zwiększoną efektywność energetyczną. W kontekście części elektronicznych, 6R190C6 znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, inwerterach oraz aplikacjach przemysłowych wymagających wysokiej niezawodności i długowieczności.
Tranzystor 6R190C6 (TO-247)
Tranzystor 6R190C6, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym Id do 19.7A. Dzięki zastosowaniu technologii CoolMOS™, urządzenie oferuje zredukowaną stratę mocy i zwiększoną efektywność energetyczną. W kontekście części elektronicznych, 6R190C6 znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, inwerterach oraz aplikacjach przemysłowych wymagających wysokiej niezawodności i długowieczności.
Tranzystor o symbolu : 70N06 METAL (TO-220) »
ID produktu: 10620
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 70N06 METAL (TO-220)
Model 70N06 METAL, zaprojektowany w obudowie TO-220, jest tranzystorem typu MOSFET N-Channel, charakteryzującym się napięciem pracy do 60V oraz prądem drenu Id=70A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w układach sterowania silnikami. Rdzeń wykonany z metalu zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła, co jest kluczowe dla zachowania stabilności termicznej w aplikacjach o wysokiej mocy.
Tranzystor 70N06 METAL (TO-220)
Model 70N06 METAL, zaprojektowany w obudowie TO-220, jest tranzystorem typu MOSFET N-Channel, charakteryzującym się napięciem pracy do 60V oraz prądem drenu Id=70A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w układach sterowania silnikami. Rdzeń wykonany z metalu zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła, co jest kluczowe dla zachowania stabilności termicznej w aplikacjach o wysokiej mocy.
Tranzystor o symbolu : 70N65P (KHB70N65P) METAL (TO-220) »
ID produktu: 12610
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »KHB70N65P METAL (TO-220)
Tranzystor KHB70N65P, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem pracy do 650V oraz prądem 70A. Odpowiedni dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności przy jednoczesnym zachowaniu kompaktowych wymiarów. Wśród części elektronicznych, wykorzystywany głównie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych układach mocy.
KHB70N65P METAL (TO-220)
Tranzystor KHB70N65P, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem pracy do 650V oraz prądem 70A. Odpowiedni dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności przy jednoczesnym zachowaniu kompaktowych wymiarów. Wśród części elektronicznych, wykorzystywany głównie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych układach mocy.
Tranzystor o symbolu : 70R380P PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 14203
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 70R380P PLASTIC (TO-220F)
Model 70R380P, z obudową TO-220F, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do zastosowań w przetwornicach mocy. Charakteryzuje się napięciem pracy 700V oraz prądem drenu 3.8A. Niskie RDS(on) minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe dla wydajności układów. W obszarze części elektronicznych, jego aplikacje obejmują zasilacze impulsowe, przetwornice częstotliwości i układy sterowania silnikami.
Tranzystor 70R380P PLASTIC (TO-220F)
Model 70R380P, z obudową TO-220F, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do zastosowań w przetwornicach mocy. Charakteryzuje się napięciem pracy 700V oraz prądem drenu 3.8A. Niskie RDS(on) minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe dla wydajności układów. W obszarze części elektronicznych, jego aplikacje obejmują zasilacze impulsowe, przetwornice częstotliwości i układy sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : 70R380P SMD (TO-263) »
ID produktu: 14178
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 70R380P SMD (TO-263)
Tranzystor 70R380P, w obudowie SMD typu TO-263, charakteryzuje się napięciem pracy do 700V oraz prądem drenu do 3.8A. Specyfikacja obejmuje niską rezystancję kanału, co zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokim napięciu. Dedykowany do zastosowań w przekształtnikach częstotliwości i zasilaczach impulsowych, jest kluczowym komponentem w częściach elektronicznych wymagających stabilności i niezawodności.
Tranzystor 70R380P SMD (TO-263)
Tranzystor 70R380P, w obudowie SMD typu TO-263, charakteryzuje się napięciem pracy do 700V oraz prądem drenu do 3.8A. Specyfikacja obejmuje niską rezystancję kanału, co zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokim napięciu. Dedykowany do zastosowań w przekształtnikach częstotliwości i zasilaczach impulsowych, jest kluczowym komponentem w częściach elektronicznych wymagających stabilności i niezawodności.
Tranzystor o symbolu : 70R600P SMD (TO-252) »
ID produktu: 13461
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 70R600P SMD (TO-252)
Tranzystor 70R600P, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem ciągłym drenu ID na poziomie 70A. Element ten, należący do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, wymagających stabilności termicznej i wysokiej wydajności prądowej.
Tranzystor 70R600P SMD (TO-252)
Tranzystor 70R600P, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem ciągłym drenu ID na poziomie 70A. Element ten, należący do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, wymagających stabilności termicznej i wysokiej wydajności prądowej.