LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 80N10 (FQFP80N10) PALSTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12788
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »FQFP80N10 PALSTIC (TO-220F)
Tranzystor 80N10, z obudową TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 100V oraz prądem drenu 80A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania. Wskaźnik RDS(on) nie przekracza 0.0085?, co minimalizuje straty mocy. W kontekście części elektronicznych, FQFP80N10 znajduje zastosowanie głównie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami.
FQFP80N10 PALSTIC (TO-220F)
Tranzystor 80N10, z obudową TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 100V oraz prądem drenu 80A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania. Wskaźnik RDS(on) nie przekracza 0.0085?, co minimalizuje straty mocy. W kontekście części elektronicznych, FQFP80N10 znajduje zastosowanie głównie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami.
Tranzystor o symbolu : 80N60 (FGH80N60) TO-247 »
ID produktu: 12473
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 80N60 (FGH80N60) TO-247
Tranzystor 80N60 (FGH80N60) w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora o maksymalnej wartości 80A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w aplikacjach przemysłowych, wykorzystuje zaawansowaną technologię polowego tranzystora MOSFET, zapewniając wysoką efektywność i niezawodność w układach elektronicznych. Dostępność części elektronicznych na rynku umożliwia integrację w zaawansowanych projektach.
Tranzystor 80N60 (FGH80N60) TO-247
Tranzystor 80N60 (FGH80N60) w obudowie TO-247 charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora o maksymalnej wartości 80A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w aplikacjach przemysłowych, wykorzystuje zaawansowaną technologię polowego tranzystora MOSFET, zapewniając wysoką efektywność i niezawodność w układach elektronicznych. Dostępność części elektronicznych na rynku umożliwia integrację w zaawansowanych projektach.
Tranzystor o symbolu : 80NF55 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13462
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 80NF55 METAL (TO-220)
Tranzystor 80NF55, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem przewodzenia Vds wynoszącym maksymalnie 55V oraz prądem Id do 80A. Urządzenie to, dedykowane dla zaawansowanych aplikacji przemysłowych, wykazuje niską rezystancję kanału Rds(on), co przekłada się na efektywność energetyczną. Wśród części elektronicznych, wyróżnia się stabilnością termiczną oraz zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Jego zastosowanie znajduje odniesienie w systemach zarządzania mocą, konwersji energii oraz w układach sterowania silnikami.
Tranzystor 80NF55 METAL (TO-220)
Tranzystor 80NF55, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem przewodzenia Vds wynoszącym maksymalnie 55V oraz prądem Id do 80A. Urządzenie to, dedykowane dla zaawansowanych aplikacji przemysłowych, wykazuje niską rezystancję kanału Rds(on), co przekłada się na efektywność energetyczną. Wśród części elektronicznych, wyróżnia się stabilnością termiczną oraz zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Jego zastosowanie znajduje odniesienie w systemach zarządzania mocą, konwersji energii oraz w układach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : 82N055 SMD (TO-263) »
ID produktu: 13648
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 82N055 SMD (TO-263)
Tranzystor 82N055, w obudowie SMD typu TO-263, charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 55V oraz prądem drenu ID o wartości maksymalnej 80A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach o wysokiej gęstości mocy. Zastosowanie technologii SMD pozwala na optymalizację procesu montażu na płytce drukowanej.
Tranzystor 82N055 SMD (TO-263)
Tranzystor 82N055, w obudowie SMD typu TO-263, charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 55V oraz prądem drenu ID o wartości maksymalnej 80A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach o wysokiej gęstości mocy. Zastosowanie technologii SMD pozwala na optymalizację procesu montażu na płytce drukowanej.
Tranzystor o symbolu : 88N30W (TO-247) »
ID produktu: 13247
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 88N30W (TO-247)
Tranzystor 88N30W, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 300V oraz prądem drenu do 88A. Urządzenie to, dedykowane dla zaawansowanych aplikacji mocy, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. W kontekście części elektronicznych, tranzystor ten znajduje zastosowanie w przekształtnikach, zasilaczach impulsowych oraz innych systemach wymagających efektywnego przełączania.
Tranzystor 88N30W (TO-247)
Tranzystor 88N30W, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 300V oraz prądem drenu do 88A. Urządzenie to, dedykowane dla zaawansowanych aplikacji mocy, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. W kontekście części elektronicznych, tranzystor ten znajduje zastosowanie w przekształtnikach, zasilaczach impulsowych oraz innych systemach wymagających efektywnego przełączania.
Tranzystor o symbolu : 9N50C PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10735
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 9N50C PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 9N50C, w obudowie TO-220F, jest elementem półprzewodnikowym o charakterystyce polowej, zaprojektowanym do zastosowań w układach wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 500V oraz prądem drenu 9A. Jego użycie znajduje szerokie zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych urządzeniach elektronicznych. Dla szerokiego wachlarza części elektronicznych warto zapoznać się z ofertą dostępną w sklepie.
Tranzystor 9N50C PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 9N50C, w obudowie TO-220F, jest elementem półprzewodnikowym o charakterystyce polowej, zaprojektowanym do zastosowań w układach wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 500V oraz prądem drenu 9A. Jego użycie znajduje szerokie zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych urządzeniach elektronicznych. Dla szerokiego wachlarza części elektronicznych warto zapoznać się z ofertą dostępną w sklepie.
Tranzystor o symbolu : 9N60 METAL (TO-220) »
ID produktu: 10542
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 9N60 METAL (TO-220)
Model 9N60, w obudowie TO-220, to tranzystor typu MOSFET o napięciu pracy do 600V oraz prądzie drenażu 9A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych oraz przetwornicach częstotliwości.
Tranzystor 9N60 METAL (TO-220)
Model 9N60, w obudowie TO-220, to tranzystor typu MOSFET o napięciu pracy do 600V oraz prądzie drenażu 9A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych oraz przetwornicach częstotliwości.
Tranzystor o symbolu : 9N65 (FQP9N65) METAL (TO-220) »
ID produktu: 12475
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 9N65 (FQP9N65) METAL (TO-220)
Tranzystor 9N65 (FQP9N65), w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu MOSFET o maksymalnym napięciu drenu-source wynoszącym 650V oraz prądzie drenu 9A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji przemysłowych. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki asortyment komponentów do budowy i naprawy urządzeń elektronicznych.
Tranzystor 9N65 (FQP9N65) METAL (TO-220)
Tranzystor 9N65 (FQP9N65), w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu MOSFET o maksymalnym napięciu drenu-source wynoszącym 650V oraz prądzie drenu 9A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji przemysłowych. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki asortyment komponentów do budowy i naprawy urządzeń elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 9NC60FP PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 11465
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 9NC60FP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 9NC60FP w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID równym 6A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykorzystuje technologię PowerMESH™, zapewniającą zredukowane straty przełączania i on-state resistance. Specyfikacja obejmuje również zintegrowaną diodę typu Fast Recovery.
Tranzystor 9NC60FP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 9NC60FP w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID równym 6A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykorzystuje technologię PowerMESH™, zapewniającą zredukowane straty przełączania i on-state resistance. Specyfikacja obejmuje również zintegrowaną diodę typu Fast Recovery.
Tranzystor o symbolu : 9NC80Z METAL (TO-247) »
ID produktu: 11126
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 9NC80Z METAL (TO-247)
Tranzystor 9NC80Z METAL, z obudową TO-247, jest elementem półprzewodnikowym o wysokiej mocy, przeznaczonym do zastosowań w układach elektronicznych wymagających efektywnej regulacji prądu. Charakteryzuje się niskimi stratami przełączania oraz wysoką szybkością pracy. Idealny dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych, takich jak przetwornice częstotliwości czy układy zasilające.
Tranzystor 9NC80Z METAL (TO-247)
Tranzystor 9NC80Z METAL, z obudową TO-247, jest elementem półprzewodnikowym o wysokiej mocy, przeznaczonym do zastosowań w układach elektronicznych wymagających efektywnej regulacji prądu. Charakteryzuje się niskimi stratami przełączania oraz wysoką szybkością pracy. Idealny dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych, takich jak przetwornice częstotliwości czy układy zasilające.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów