LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 9NK50ZFP PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12205
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 9NK50ZFP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 9NK50ZFP PLASTIC (TO-220F) to półprzewodnikowy element elektroniczny w obudowie TO-220F, zaprojektowany do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID równym 9A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnej regulacji prądu.
Tranzystor 9NK50ZFP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 9NK50ZFP PLASTIC (TO-220F) to półprzewodnikowy element elektroniczny w obudowie TO-220F, zaprojektowany do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID równym 9A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnej regulacji prądu.
Tranzystor o symbolu : 9NK90ZFP PLASTIC (STP9NK90ZFP) (TO-220F) »
ID produktu: 10736
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor o symbolu: 9NK90ZFP PLASTIC (STP9NK90ZFP) (TO-220F)
Tranzystor STP9NK90ZFP, wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 900V oraz prądem drenu Id do 9A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niskie Rds(on) maksymalnie 1.1 Ohm, co przekłada się na efektywność w aplikacjach zasilających.
Tranzystor o symbolu: 9NK90ZFP PLASTIC (STP9NK90ZFP) (TO-220F)
Tranzystor STP9NK90ZFP, wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 900V oraz prądem drenu Id do 9A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niskie Rds(on) maksymalnie 1.1 Ohm, co przekłada się na efektywność w aplikacjach zasilających.
Tranzystor o symbolu : 9R500C METAL (TO-220) »
ID produktu: 14102
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 9R500C METAL (TO-220)
Tranzystor 9R500C, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=500V, prądem drenu Id=9A oraz niską rezystancją kanału Rds(on) max=0.5?. Idealnie nadaje się do zastosowań w przetwornicach mocy, sterowaniu silnikami oraz w innych aplikacjach wymagających wysokiej efektywności i niezawodności. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych tutaj.
Tranzystor 9R500C METAL (TO-220)
Tranzystor 9R500C, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=500V, prądem drenu Id=9A oraz niską rezystancją kanału Rds(on) max=0.5?. Idealnie nadaje się do zastosowań w przetwornicach mocy, sterowaniu silnikami oraz w innych aplikacjach wymagających wysokiej efektywności i niezawodności. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych tutaj.
Tranzystor o symbolu : AP40T03GJ SMD (40T03GJ) (TO-252) »
ID produktu: 11439
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor AP40T03GJ SMD (40T03GJ) (TO-252)
Tranzystor AP40T03GJ SMD, oznaczony również jako 40T03GJ, wykorzystuje obudowę TO-252 dla optymalizacji termicznej i mechanicznej. Charakteryzuje się napięciem pracy do 30V oraz prądem drenu Id do 28A, co pozwala na efektywne przełączanie i regulację w aplikacjach o wysokim natężeniu. Dzięki technologii SMD, komponent ten jest przystosowany do montażu powierzchniowego, co ułatwia integrację z innymi częściami elektronicznymi na płytce drukowanej.
Tranzystor AP40T03GJ SMD (40T03GJ) (TO-252)
Tranzystor AP40T03GJ SMD, oznaczony również jako 40T03GJ, wykorzystuje obudowę TO-252 dla optymalizacji termicznej i mechanicznej. Charakteryzuje się napięciem pracy do 30V oraz prądem drenu Id do 28A, co pozwala na efektywne przełączanie i regulację w aplikacjach o wysokim natężeniu. Dzięki technologii SMD, komponent ten jest przystosowany do montażu powierzchniowego, co ułatwia integrację z innymi częściami elektronicznymi na płytce drukowanej.
Tranzystor o symbolu : AP4455GEH SMD (TO-252) »
ID produktu: 11869
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor AP4455GEH SMD (TO-252)
AP4455GEH to tranzystor polowy typu MOSFET, zaprojektowany do zastosowań w obwodach przełączających. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 30V oraz prądem drenu ID do 12A. W obudowie SMD (TO-252) gwarantuje dobry transfer ciepła oraz minimalizację rezystancji termicznej. Idealnie nadaje się do zintegrowanych układów elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Dostępny jest w ofercie części elektronicznych.
Tranzystor AP4455GEH SMD (TO-252)
AP4455GEH to tranzystor polowy typu MOSFET, zaprojektowany do zastosowań w obwodach przełączających. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 30V oraz prądem drenu ID do 12A. W obudowie SMD (TO-252) gwarantuje dobry transfer ciepła oraz minimalizację rezystancji termicznej. Idealnie nadaje się do zintegrowanych układów elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Dostępny jest w ofercie części elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : AP9575GH (TO-252) »
ID produktu: 10882
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor AP9575GH (TO-252)
AP9575GH to tranzystor polowy typu MOSFET z kanałem N, zaprojektowany do zastosowań w układach przełączających. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym (Vgs(th)) oraz wysoką zdolnością prądową (Id), umożliwiając efektywną pracę w zaawansowanych częściach elektronicznych. Obudowa TO-252 zapewnia optymalne odprowadzanie ciepła. Parametry elektryczne oraz termiczne czynią go odpowiednim do szerokiego zakresu aplikacji.
Tranzystor AP9575GH (TO-252)
AP9575GH to tranzystor polowy typu MOSFET z kanałem N, zaprojektowany do zastosowań w układach przełączających. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym (Vgs(th)) oraz wysoką zdolnością prądową (Id), umożliwiając efektywną pracę w zaawansowanych częściach elektronicznych. Obudowa TO-252 zapewnia optymalne odprowadzanie ciepła. Parametry elektryczne oraz termiczne czynią go odpowiednim do szerokiego zakresu aplikacji.
Tranzystor o symbolu : AP9962GH SMD (TO-252) »
ID produktu: 12237
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor AP9962GH SMD (TO-252)
Model AP9962GH, będący tranzystorem polowym MOSFET typu N, zaprojektowano w obudowie SMD TO-252. Charakteryzuje się on niską rezystancją kanału przy Vgs=10V, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Przeznaczenie tego komponentu znajduje szerokie zastosowanie w układach zarządzania mocą, gdzie kluczowe jest minimalizowanie strat. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych AP9962GH oferuje zarówno wydajność, jak i niezawodność, będąc kompatybilnym z wieloma standardami montażowymi.
Tranzystor AP9962GH SMD (TO-252)
Model AP9962GH, będący tranzystorem polowym MOSFET typu N, zaprojektowano w obudowie SMD TO-252. Charakteryzuje się on niską rezystancją kanału przy Vgs=10V, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Przeznaczenie tego komponentu znajduje szerokie zastosowanie w układach zarządzania mocą, gdzie kluczowe jest minimalizowanie strat. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych AP9962GH oferuje zarówno wydajność, jak i niezawodność, będąc kompatybilnym z wieloma standardami montażowymi.
Tranzystor o symbolu : APM11101N SMD (TO-252) »
ID produktu: 12634
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor APM11101N SMD (TO-252)
Tranzystor APM11101N, w obudowie SMD typu TO-252, jest półprzewodnikowym elementem przełączającym, charakteryzującym się niskim napięciem progowym i wysoką odpornością na impulsy prądowe. Przeznaczony do zastosowań w układach sterowania mocą, oferuje zintegrowaną ochronę termiczną. W obszarze części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach zarządzania energią.
Tranzystor APM11101N SMD (TO-252)
Tranzystor APM11101N, w obudowie SMD typu TO-252, jest półprzewodnikowym elementem przełączającym, charakteryzującym się niskim napięciem progowym i wysoką odpornością na impulsy prądowe. Przeznaczony do zastosowań w układach sterowania mocą, oferuje zintegrowaną ochronę termiczną. W obszarze części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach zarządzania energią.
Tranzystor o symbolu : APM4008N SMD (TO-252) »
ID produktu: 12207
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor APM4008N SMD (TO-252)
Tranzystor APM4008N SMD, w obudowie TO-252, to półprzewodnikowy element wykonawczy, stosowany w układach elektronicznych jako klucz, wzmacniacz lub przełącznik. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką efektywnością przy prądach do 30A. Znajduje zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych częściach elektronicznych, gdzie kluczowe jest precyzyjne sterowanie mocą.
Tranzystor APM4008N SMD (TO-252)
Tranzystor APM4008N SMD, w obudowie TO-252, to półprzewodnikowy element wykonawczy, stosowany w układach elektronicznych jako klucz, wzmacniacz lub przełącznik. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką efektywnością przy prądach do 30A. Znajduje zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych częściach elektronicznych, gdzie kluczowe jest precyzyjne sterowanie mocą.
Tranzystor o symbolu : APT8065BYR »
ID produktu: 10913
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor APT8065BYR
Model APT8065BYR to tranzystor MOSFET typu N, charakteryzujący się napięciem przebicia VDSS wynoszącym 650V oraz prądem drenu ID równym 80A. Parametr RDS(on) tego komponentu oscyluje w granicach 65m?, co świadczy o jego efektywności w minimalizacji strat mocy. Urządzenie znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz systemach zarządzania mocą.
Tranzystor APT8065BYR
Model APT8065BYR to tranzystor MOSFET typu N, charakteryzujący się napięciem przebicia VDSS wynoszącym 650V oraz prądem drenu ID równym 80A. Parametr RDS(on) tego komponentu oscyluje w granicach 65m?, co świadczy o jego efektywności w minimalizacji strat mocy. Urządzenie znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz systemach zarządzania mocą.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów