Tranzystory

ID produktu: 11449

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 30N06 (FQP30N06) METAL (TO-220)

Model FQP30N06 to tranzystor typu MOSFET N-Channel, zaprojektowany do pracy w obudowie TO-220, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem drenu I_D na poziomie 30A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, sterowania silnikami oraz w przekształtnikach mocy. Dzięki zastosowaniu technologii MOSFET, tranzystor ten oferuje wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy.

ID produktu: 12024

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 30N06L SMD

Tranzystor 30N06L SMD, będący elementem z rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem pracy do 60V oraz prądem drenu 30A. Ze względu na niską rezystancję w stanie przewodzenia, znajduje zastosowanie w wysokowydajnych przetwornicach. Konstrukcja typu SMD umożliwia montaż powierzchniowy, co jest preferowane w kompaktowych układach elektronicznych. Dla profesjonalistów poszukujących części elektronicznych, 30N06L oferuje stabilność termiczną oraz efektywność w zarządzaniu mocą.

ID produktu: 12310

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 30N60 (G30N60) TO-247

Tranzystor 30N60, oznaczony również jako G30N60, zaprojektowany w obudowie TO-247, charakteryzuje się wysoką mocą i efektywnością w przewodzeniu. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w aplikacjach przemysłowych, obsługuje napięcie do 600V przy prądzie 30A. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, gdzie stabilność i niezawodność są priorytetem. Współpracuje z szerokim zakresem części elektronicznych, oferując elastyczność w projektowaniu systemów elektronicznych.

ID produktu: 12805

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 30N60A4D (TO-247)

Tranzystor 30N60A4D, w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem drenu wynoszącym maksymalnie 30A. Zastosowanie technologii IGBT pozwala na efektywne przełączanie przy wysokich częstotliwościach. Idealny do zastosowań w przekształtnikach częstotliwości, UPS-ach oraz w sterowaniu silnikami. Wysoka wydajność i trwałość to kluczowe parametry, które wyróżniają ten element wśród innych części elektronicznych.

ID produktu: 12200

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 30N60C (G30N60C) TO-247

Model 30N60C, znany również jako G30N60C, to tranzystor w obudowie TO-247, charakteryzujący się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 30A. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach przemysłowych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Wśród części elektronicznych, ten tranzystor wyróżnia się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur, od -55°C do 150°C. Jego parametry pozwalają na implementację w układach o wysokiej częstotliwości i mocy.

ID produktu: 14108

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor H30R1202 (30R1202) - TO-247

Model H30R1202, zintegrowany w obudowie TO-247, jest tranzystorem IGBT o wysokiej wydajności. Charakteryzuje się napięciem przebicia kolektora do emitera wynoszącym 1200V oraz prądem kolektora wynoszącym 30A. Dzięki temu, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przekształtnikowych. Odporność termiczna i szybkość przełączania sprawiają, że jest często wybierany do zastosowań wymagających niezawodności i efektywności. Zapoznaj się z innymi częściami elektronicznymi dostępnymi w naszej ofercie.

ID produktu: 14101

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 12804

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 30R1602 (H30R1602) TO-247

Model H30R1602, w obudowie TO-247, to wysokonapięciowy tranzystor IGBT charakteryzujący się niskimi stratami przełączania oraz optymalizowaną szybkością przełączania. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w przekształtnikach mocy, oferuje V_CE(sat) na poziomie znamionowym, co przekłada się na zwiększoną wydajność energetyczną. W kontekście części elektronicznych, tranzystor 30R1602 znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach zarządzania energią, gdzie niezawodność i efektywność są kluczowe.

ID produktu: 12465

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 32N50C3 METAL (TO-247)

Tranzystor 32N50C3 METAL, w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 500V oraz prądem drenu I_D do 32A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, oferując niskie V_GS(th) i R_DS(on).

ID produktu: 11841

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

IXFH36N50P (TO-247)

Tranzystor IXFH36N50P, z obudową typu TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 500V oraz prądem drenu I_D równym 36A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje również niską rezystancję kanału R_DS(on), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach wysokonapięciowych.