LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 38N30 METAL (STP38N30) (TO-220) »
ID produktu: 11244
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor STP38N30 TO-220 METAL
Model STP38N30, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 300V oraz prądem drenu ID do 30A w obudowie TO-220. Urządzenie to, dedykowane dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności i niezawodności, znajduje szerokie zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Jego parametry pozwalają na efektywne zarządzanie mocą w układach elektronicznych.
Tranzystor STP38N30 TO-220 METAL
Model STP38N30, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 300V oraz prądem drenu ID do 30A w obudowie TO-220. Urządzenie to, dedykowane dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności i niezawodności, znajduje szerokie zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Jego parametry pozwalają na efektywne zarządzanie mocą w układach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 3NK60ZFP PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10379
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 3NK60ZFP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 3NK60ZFP PLASTIC, z obudową TO-220F, charakteryzuje się napięciem przebicia dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 3A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do 150°C, zapewniając MOSFET typu N o niskim Rdson i wysokiej efektywności przełączania. Specyfikacja obejmuje także czas wyłączenia typowego toff równy 100ns.
Tranzystor 3NK60ZFP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 3NK60ZFP PLASTIC, z obudową TO-220F, charakteryzuje się napięciem przebicia dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 3A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do 150°C, zapewniając MOSFET typu N o niskim Rdson i wysokiej efektywności przełączania. Specyfikacja obejmuje także czas wyłączenia typowego toff równy 100ns.
Tranzystor o symbolu : 40N60 METAL (TO-220) »
ID produktu: 12308
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 40N60 METAL (TO-220)
Tranzystor 40N60 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 40A. Urządzenie to, wykorzystywane w aplikacjach przemysłowych, oferuje szybką komutację i niskie straty mocy. Wysoka wydajność termiczna oraz odporność na wysokie temperatury czynią go odpowiednim do zastosowań wymagających niezawodności i długotrwałej pracy. Dostępne na stronie z częściami elektronicznymi.
Tranzystor 40N60 METAL (TO-220)
Tranzystor 40N60 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 40A. Urządzenie to, wykorzystywane w aplikacjach przemysłowych, oferuje szybką komutację i niskie straty mocy. Wysoka wydajność termiczna oraz odporność na wysokie temperatury czynią go odpowiednim do zastosowań wymagających niezawodności i długotrwałej pracy. Dostępne na stronie z częściami elektronicznymi.
Tranzystor o symbolu : 40N60 METAL (FQP40N60) (TO-220) »
ID produktu: 12467
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 40N60 METAL (FQP40N60) (TO-220)
Tranzystor FQP40N60, znany również jako 40N60 METAL w obudowie TO-220, to półprzewodnikowy element przełączający o maksymalnym napięciu pracy 600V i prądzie 40A. Charakteryzuje się niskimi stratami przełączania oraz wysoką odpornością na impulsy prądowe. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających efektywnego sterowania dużymi prądami.
Tranzystor 40N60 METAL (FQP40N60) (TO-220)
Tranzystor FQP40N60, znany również jako 40N60 METAL w obudowie TO-220, to półprzewodnikowy element przełączający o maksymalnym napięciu pracy 600V i prądzie 40A. Charakteryzuje się niskimi stratami przełączania oraz wysoką odpornością na impulsy prądowe. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających efektywnego sterowania dużymi prądami.
Tranzystor o symbolu : 40N60B PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 11599
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 40N60B PLASTIC (TO-220F)
Model 40N60B PLASTIC, tranzystor typu N-MOSFET, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła (Vds) wynoszącym 600V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 40A, przy temperaturze pracy w zakresie od -55°C do +150°C. Obudowa TO-220F zapewnia optymalne rozpraszanie ciepła. Zastosowanie znajduje w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania oraz przekształtnikach częstotliwości.
Tranzystor 40N60B PLASTIC (TO-220F)
Model 40N60B PLASTIC, tranzystor typu N-MOSFET, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła (Vds) wynoszącym 600V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 40A, przy temperaturze pracy w zakresie od -55°C do +150°C. Obudowa TO-220F zapewnia optymalne rozpraszanie ciepła. Zastosowanie znajduje w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania oraz przekształtnikach częstotliwości.
Tranzystor o symbolu : 40NF10 METAL (TO-220) »
ID produktu: 12927
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 40NF10 METAL (TO-220)
Tranzystor 40NF10 METAL, z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 100V oraz prądem drenu ID do 40A przy VGS=10V. Oferuje niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Wśród części elektronicznych, wyróżnia się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Idealnie nadaje się do zastosowań w przetwornicach, regulatorach napięcia oraz systemach zarządzania energią.
Tranzystor 40NF10 METAL (TO-220)
Tranzystor 40NF10 METAL, z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 100V oraz prądem drenu ID do 40A przy VGS=10V. Oferuje niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Wśród części elektronicznych, wyróżnia się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Idealnie nadaje się do zastosowań w przetwornicach, regulatorach napięcia oraz systemach zarządzania energią.
Tranzystor o symbolu : 40T03GP / 4435GH (para) »
ID produktu: 12201
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 40T03GP / 4435GH (para)
Para tranzystorów 40T03GP oraz 4435GH, dedykowana do zastosowań w układach zasilania, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością przenoszenia ładunku. Optymalizacja parametrów dynamicznych tych części elektronicznych umożliwia ich efektywne wykorzystanie w zaawansowanych aplikacjach komutacyjnych.
Tranzystor 40T03GP / 4435GH (para)
Para tranzystorów 40T03GP oraz 4435GH, dedykowana do zastosowań w układach zasilania, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością przenoszenia ładunku. Optymalizacja parametrów dynamicznych tych części elektronicznych umożliwia ich efektywne wykorzystanie w zaawansowanych aplikacjach komutacyjnych.
Tranzystor o symbolu : 4435GJ / 40T03GJ (para) »
ID produktu: 11436
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 4435GJ / 40T03GJ (para)
Tranzystory 4435GJ / 40T03GJ, stanowiące parę, charakteryzują się MOSFET typu P-Channel, z maksymalnym napięciem Vds wynoszącym 30V oraz prądem Id do 40A. Znajdują zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji wymagających efektywnej komutacji. Warto wspomnieć o niskiej rezystancji kanału, co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie.
Tranzystor 4435GJ / 40T03GJ (para)
Tranzystory 4435GJ / 40T03GJ, stanowiące parę, charakteryzują się MOSFET typu P-Channel, z maksymalnym napięciem Vds wynoszącym 30V oraz prądem Id do 40A. Znajdują zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji wymagających efektywnej komutacji. Warto wspomnieć o niskiej rezystancji kanału, co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie.
Tranzystor o symbolu : 44N25 »
ID produktu: 11123
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 44N25
Tranzystor 44N25, należący do kategorii części elektronicznych, jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym, charakteryzującym się napięciem przebicia VDS wynoszącym 250V oraz prądem drenu ID na poziomie 44A. Urządzenie to, wykorzystujące technologię MOSFET, zapewnia zwiększoną efektywność przy niższych stratach mocy, co jest kluczowe w zaawansowanych aplikacjach przemysłowych i konsumenckich.
Tranzystor 44N25
Tranzystor 44N25, należący do kategorii części elektronicznych, jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym, charakteryzującym się napięciem przebicia VDS wynoszącym 250V oraz prądem drenu ID na poziomie 44A. Urządzenie to, wykorzystujące technologię MOSFET, zapewnia zwiększoną efektywność przy niższych stratach mocy, co jest kluczowe w zaawansowanych aplikacjach przemysłowych i konsumenckich.
Tranzystor o symbolu : 44N26 (IXFH44N26) »
ID produktu: 12202
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »IXFH44N26 - Tranzystor
Tranzystor IXFH44N26, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS do 250V oraz prądem drenu ID do 44A, jest elementem kluczowym w aplikacjach przemysłowych wymagających wysokiej mocy. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie niezawodność i efektywność są krytyczne. Dzięki technologii MOSFET, urządzenie to oferuje doskonałe parametry RDS(on), minimalizując straty mocy. Wśród części elektronicznych, IXFH44N26 wyróżnia się wysoką tolerancją na przeciążenia.
IXFH44N26 - Tranzystor
Tranzystor IXFH44N26, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS do 250V oraz prądem drenu ID do 44A, jest elementem kluczowym w aplikacjach przemysłowych wymagających wysokiej mocy. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie niezawodność i efektywność są krytyczne. Dzięki technologii MOSFET, urządzenie to oferuje doskonałe parametry RDS(on), minimalizując straty mocy. Wśród części elektronicznych, IXFH44N26 wyróżnia się wysoką tolerancją na przeciążenia.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów