LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 30ETH06 (TO-220) »
ID produktu: 11840
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 30ETH06 (TO-220)
Tranzystor 30ETH06, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem przewodzenia V_DS maksymalnym na poziomie 600V oraz prądem drenu I_D równym 30A. Urządzenie to, dedykowane dla aplikacji o wysokiej wydajności, zapewnia niskie V_DS(on) przy zachowaniu wysokiej szybkości przełączania. Element ten jest często wykorzystywany w zaawansowanych częściach elektronicznych do konwersji energii. Specyfikacja obejmuje także maksymalną moc strat P_D wynoszącą 125W, co pozwala na efektywne zarządzanie ciepłem w trakcie pracy urządzenia.
Tranzystor 30ETH06 (TO-220)
Tranzystor 30ETH06, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem przewodzenia V_DS maksymalnym na poziomie 600V oraz prądem drenu I_D równym 30A. Urządzenie to, dedykowane dla aplikacji o wysokiej wydajności, zapewnia niskie V_DS(on) przy zachowaniu wysokiej szybkości przełączania. Element ten jest często wykorzystywany w zaawansowanych częściach elektronicznych do konwersji energii. Specyfikacja obejmuje także maksymalną moc strat P_D wynoszącą 125W, co pozwala na efektywne zarządzanie ciepłem w trakcie pracy urządzenia.
Tranzystor o symbolu : 30F122 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12781
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 30F122 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 30F122, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 30A. Urządzenie to, stosowane w aplikacjach przemysłowych, zapewnia wysoką efektywność i niezawodność w układach zasilających. Wśród części elektronicznych, 30F122 wyróżnia się odpornością termiczną oraz minimalizacją strat mocy.
Tranzystor 30F122 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 30F122, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 30A. Urządzenie to, stosowane w aplikacjach przemysłowych, zapewnia wysoką efektywność i niezawodność w układach zasilających. Wśród części elektronicznych, 30F122 wyróżnia się odpornością termiczną oraz minimalizacją strat mocy.
Tranzystor o symbolu : 30F124 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12782
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 30F124 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 30F124 PLASTIC, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDS wynoszącym 300V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 200A. Dedykowany do zastosowań w przekształtnikach mocy, oferuje szybką komutację oraz niskie napięcie nasycenia. W skład części elektronicznych wchodzi również zintegrowana dioda Zenera dla ochrony bramki.
Tranzystor 30F124 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 30F124 PLASTIC, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDS wynoszącym 300V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 200A. Dedykowany do zastosowań w przekształtnikach mocy, oferuje szybką komutację oraz niskie napięcie nasycenia. W skład części elektronicznych wchodzi również zintegrowana dioda Zenera dla ochrony bramki.
Tranzystor o symbolu : 30F125 (GT30F125) PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13460
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 30F125 (GT30F125) PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor GT30F125 w obudowie TO-220F charakteryzuje się napięciem drenu-source VDSS wynoszącym 300V, prądem drenu ID równym 125A oraz niską rezystancją kanału RDS(on), co zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokich wymaganiach energetycznych. Idealnie nadaje się do zastosowań w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych i innych urządzeniach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie.
Tranzystor 30F125 (GT30F125) PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor GT30F125 w obudowie TO-220F charakteryzuje się napięciem drenu-source VDSS wynoszącym 300V, prądem drenu ID równym 125A oraz niską rezystancją kanału RDS(on), co zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokich wymaganiach energetycznych. Idealnie nadaje się do zastosowań w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych i innych urządzeniach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie.
Tranzystor o symbolu : 30F126 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12199
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 30F126 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 30F126 PLASTIC, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach. Jego główne zastosowanie znajduje w przetwornicach mocy i układach sterowania. Dzięki solidnej konstrukcji, urządzenie zapewnia niezawodność w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, 30F126 wykazuje się również wysoką efektywnością przełączania.
Tranzystor 30F126 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 30F126 PLASTIC, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach. Jego główne zastosowanie znajduje w przetwornicach mocy i układach sterowania. Dzięki solidnej konstrukcji, urządzenie zapewnia niezawodność w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, 30F126 wykazuje się również wysoką efektywnością przełączania.
Tranzystor o symbolu : 30F131 SMD (TO-263) »
ID produktu: 11451
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 30F131 SMD (TO-263)
Tranzystor 30F131 SMD, z obudową typu TO-263, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła wynoszącym 300V oraz prądem drenu ID=30A. Jego niski poziom rezystancji w stanie przewodzenia, Rds(on), zapewnia efektywną pracę w układach zasilających. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami.
Tranzystor 30F131 SMD (TO-263)
Tranzystor 30F131 SMD, z obudową typu TO-263, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła wynoszącym 300V oraz prądem drenu ID=30A. Jego niski poziom rezystancji w stanie przewodzenia, Rds(on), zapewnia efektywną pracę w układach zasilających. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami.
Tranzystor o symbolu : 30G123 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12783
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 30G123 PLASTIC (TO-220F)
Model 30G123, tranzystor w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką wydajnością prądową. Jego zastosowanie znajduje odniesienie w zaawansowanych układach sterowania mocą. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, 30G123 oferuje stabilność termiczną, co jest kluczowe przy projektowaniu energooszczędnych systemów.
Tranzystor 30G123 PLASTIC (TO-220F)
Model 30G123, tranzystor w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką wydajnością prądową. Jego zastosowanie znajduje odniesienie w zaawansowanych układach sterowania mocą. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, 30G123 oferuje stabilność termiczną, co jest kluczowe przy projektowaniu energooszczędnych systemów.
Tranzystor o symbolu : 30G125 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12784
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 30G125 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 30G125 PLASTIC w obudowie TO-220F charakteryzuje się wysoką mocą oraz efektywnością przełączania. Urządzenie to, będące kluczowym składnikiem części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Parametry takie jak napięcie kolektora-emitera, prąd kolektora, oraz szybkość przełączania, czynią go odpowiednim dla aplikacji przemysłowych i konsumenckich.
Tranzystor 30G125 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 30G125 PLASTIC w obudowie TO-220F charakteryzuje się wysoką mocą oraz efektywnością przełączania. Urządzenie to, będące kluczowym składnikiem części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Parametry takie jak napięcie kolektora-emitera, prąd kolektora, oraz szybkość przełączania, czynią go odpowiednim dla aplikacji przemysłowych i konsumenckich.
Tranzystor o symbolu : 30J127 (GT30J127) PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13246
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor GT30J127 (TO-220F)
Model GT30J127, tranzystor typu IGBT, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCE wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC o wartości 30A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji przemysłowych. Dostępność części elektronicznych pozwala na integrację w zaawansowanych układach elektronicznych.
Tranzystor GT30J127 (TO-220F)
Model GT30J127, tranzystor typu IGBT, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCE wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC o wartości 30A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji przemysłowych. Dostępność części elektronicznych pozwala na integrację w zaawansowanych układach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 30J324 (GT30J324) (TO-3PN) »
ID produktu: 11865
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor GT30J324 (TO-3PN)
Tranzystor GT30J324, w obudowie TO-3PN, to element półprzewodnikowy typu NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przekształtnikowych o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCE wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC na poziomie 30A. Dzięki zastosowaniu technologii planarnej, tranzystor ten zapewnia doskonałą szybkość przełączania oraz niskie straty mocy. Wymienione parametry czynią go odpowiednim do efektywnego sterowania w zaawansowanych częściach elektronicznych.
Tranzystor GT30J324 (TO-3PN)
Tranzystor GT30J324, w obudowie TO-3PN, to element półprzewodnikowy typu NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przekształtnikowych o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCE wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC na poziomie 30A. Dzięki zastosowaniu technologii planarnej, tranzystor ten zapewnia doskonałą szybkość przełączania oraz niskie straty mocy. Wymienione parametry czynią go odpowiednim do efektywnego sterowania w zaawansowanych częściach elektronicznych.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów