Tranzystory

ID produktu: 12468

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 45F122 PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor 45F122, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem przebicia kolektora-emitera wynoszącym 600V oraz prądem kolektora do 5A. Jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w układach przekształtnikowych i regulacji mocy. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację z szerokim spektrum urządzeń.

ID produktu: 14050

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 14539

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 45G127 PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor 45G127, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie i regulację w obwodach elektronicznych. Specyfikacja obejmuje napięcie kolektora do emitera (Vce) oraz prąd kolektora (Ic), co czyni go odpowiednim do zastosowań w układach zasilania i sterowania. Dostępność tego komponentu w ofercie części elektronicznych ułatwia integrację w projektach inżynierskich.

ID produktu: 9653

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 4N60 = FQP4N60 METAL (TO-220)

Tranzystor typu MOSFET o symbolu 4N60, znany również jako FQP4N60, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła V_DS wynoszącym 600V oraz maksymalnym prądem drenu I_D równym 4A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w projektowaniu zaawansowanych części elektronicznych, zapewnia wysoką wydajność przy minimalnych stratach mocy, dzięki czemu znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji przemysłowych i konsumenckich.

ID produktu: 10111

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 14402

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 4NF20L SMD (SOT-223)

Model 4NF20L, realizowany w obudowie SMD typu SOT-223, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością przenoszenia ładunku. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przełączających oraz w aplikacjach wymagających precyzyjnej regulacji mocy. Parametry takie jak maksymalny prąd drenu i napięcie dren-źródło, zapewniają szerokie możliwości konfiguracyjne w projektowaniu układów elektronicznych.

ID produktu: 12928

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 9458

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 50N06 METAL (TO-220)

Model 50N06, wykonany w obudowie TO-220, to tranzystor typu MOSFET N-kanałowy, charakteryzujący się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem drenu 50A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o aplikacjach o wysokiej wydajności, gdzie stabilność termiczna i efektywność są krytyczne. Odpowiedni dla szerokiego zakresu części elektronicznych, w tym zasilaczy impulsowych, przetwornic DC/DC oraz systemów zarządzania mocą.

ID produktu: 11124

Stan magazynowy: chwilowo niedostępny

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 50N322 (TO-3PN)

Model 50N322, zaprojektowany w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem kolektora o wartości maksymalnej 30A. Dedykowany dla aplikacji o wysokim obciążeniu, ten tranzystor NPN znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania i przekształtnikach częstotliwości. Wykorzystanie w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i długotrwałej pracy, jest powszechne dzięki jego parametrom termicznym i elektrycznym.

ID produktu: 12471

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 50N33 = FQPF50N33 PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor typu FQPF50N33, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 330V oraz prądem drenu 50A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia, co przyczynia się do efektywnej pracy w układach zasilania.