Tranzystory

ID produktu: 10887

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ6820

Model 2SJ6820, tranzystor typu P-Channel MOSFET, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym -200V oraz prądem drenu I_D na poziomie -12A. Próg napięcia bramki V_GS(th) mieści się w zakresie -2V do -4V, co wskazuje na jego zdolność do pracy w średnionapięciowych aplikacjach. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w zasilaczach i konwerterach energii.

ID produktu: 8515

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ6920 BIG (TO264)

Tranzystor 2SJ6920 BIG w obudowie TO264 to zaawansowany komponent półprzewodnikowy P-Channel MOSFET, charakteryzujący się wysoką prędkością przełączania. Urządzenie to zapewnia doskonałą wydajność w aplikacjach o wysokim napięciu, oferując jednocześnie zredukowany poziom strat mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz innych zaawansowanych systemach elektronicznych wymagających niezawodnych rozwiązań w zakresie zarządzania mocą.

ID produktu: 8516

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ6920 SMALL (SOT430)

Model 2SJ6920, należący do obudowy SOT430, jest tranzystorem P-Kanałowym MOSFET, zaprojektowanym do zastosowań o niskim napięciu, charakteryzującym się niską rezystancją w stanie przewodzenia. Urządzenie to jest przystosowane do pracy w szerokim zakresie temperatur, co czyni go odpowiednim do zintegrowanych układów zasilania, w tym części elektronicznych o wysokiej efektywności i gęstości mocy.

ID produktu: 13092

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ74 (TO-92)

Tranzystor 2SJ74, w obudowie TO-92, jest typem polowego tranzystora P-Channel, charakteryzującym się niskim poziomem szumów oraz wysoką impedancją wejściową. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji audio. Dedykowany dla układów wzmacniaczy, oscylatorów, jak również dla części elektronicznych wymagających stabilnej pracy przy niskich napięciach. Parametry takie jak Vgs(off) i Idss są kluczowe dla projektantów układów elektronicznych.

ID produktu: 14046

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ77 / 2SK214 (para)

Para tranzystorów 2SJ77 i 2SK214, charakteryzująca się komplementarną konfiguracją P-Channel i N-Channel, zapewnia efektywną symetrię w aplikacjach audio. Wysoka liniowość oraz niska rezystancja wyjściowa czynią te części elektroniczne idealnymi do zastosowań w precyzyjnych wzmacniaczach mocy. Ich parametry zezwalają na efektywne sterowanie sygnałem w szerokim zakresie częstotliwości.

ID produktu: 9858

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ78 METAL (TO-220)

Tranzystor 2SJ78, wykonany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się niskim poziomem szumów oraz wysoką wydajnością prądową. Jest to element półprzewodnikowy typu P-MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniających, regulacyjnych i przełączających. Dzięki swojej konstrukcji, zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. W częściach elektronicznych tego typu, kluczowe jest precyzyjne dopasowanie parametrów elektrycznych do specyfikacji technicznej aplikacji.

ID produktu: 14047

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 9531

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ79 METAL (TO-220)

Tranzystor 2SJ79 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się polarnością P-channel MOSFET. Urządzenie to, zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania, dysponuje napięciem przebicia Vds wynoszącym 160V oraz prądem drenu Id do 10A. Wysoka odporność termiczna i efektywność przełączania czynią go odpowiednim dla zaawansowanych części elektronicznych. Parametry takie jak Rds(on) minimalizują straty mocy, co jest krytyczne w aplikacjach o wysokiej wydajności.

ID produktu: 8517

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SK1011

Tranzystor 2SK1011, N-Channel MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło V_DS do 500V, prądem drenu I_D do 6A oraz mocą strat P_D do 50W. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji przemysłowych. Wysoka impedancja wejściowa oraz szybki czas przełączania czynią go odpowiednim do układów przełączających. Dostępny w obudowie TO-220AB. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na naszej stronie.

ID produktu: 10999

Stan magazynowy: chwilowo niedostępny

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SK1102

Tranzystor 2SK1102, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 500V oraz prądem drenu I_D równym 5A. Jego niskie napięcie progowe V_GS(th) oraz wysoka odporność na impulsy prądowe czynią go odpowiednim dla aplikacji o wymagających parametrach. Dodatkowo, obudowa TO-3P zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła, co jest kluczowe dla stabilności termicznej w częściach elektronicznych. Odporność termiczna złącza R_thJC umożliwia pracę w szerokim zakresie temperatur.