Tranzystory

ID produktu: 13091

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ406 PLASTIC (TO-220F)

Model 2SJ406, tranzystor typu P-Channel MOSFET, zawarty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym -60V oraz prądem drenu -12A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych aplikacjach elektronicznych, wymagających stabilnej pracy w układach o dużej mocy. Dostępność części elektronicznych takich jak 2SJ406 umożliwia projektantom efektywne implementowanie zaawansowanych rozwiązań w dziedzinie elektroniki mocy.

ID produktu: 10104

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ449

Tranzystor 2SJ449, typ P-channel MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło V(DSS) wynoszącym -60V oraz prądem drenu I(D) o wartości -35A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o aplikacjach o wysokiej wydajności, znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz systemach zarządzania mocą.

ID produktu: 12611

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ5027 METAL (TO-220)

Tranzystor 2SJ5027, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością na impulsy prądowe. Idealnie nadaje się do aplikacji przełączających o wysokiej częstotliwości. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w zaawansowanych układach elektronicznych. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki zakres komponentów niezbędnych dla rozwoju nowoczesnej elektroniki.

ID produktu: 8511

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ512

Tranzystor 2SJ512, należący do rodziny P-Channel MOSFET, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia dren-źródło (V_DS) wynoszącym -60V oraz prądem drenu (I_D) do -20A. Zastosowanie technologii MOSFET zapewnia wysoką efektywność przy minimalizacji strat mocy. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w przetwornicach mocy, regulatorach napięcia oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania o niskiej rezystancji kanału.

ID produktu: 9238

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ598 (TO-251)

Tranzystor 2SJ598, wykonany w obudowie TO-251, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką prędkością przełączania. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w układach zasilania, przetwornicach oraz innych aplikacjach wymagających efektywnej kontroli przepływu prądu. Dzięki swoim parametrom technicznym, 2SJ598 jest odpowiedni do pracy w szerokim zakresie temperatur, co zapewnia jego uniwersalność w różnorodnych projektach elektronicznych.

ID produktu: 12458

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 14177

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ656 PLASTIC (TO-220F)

Model 2SJ656, wykonany w obudowie PLASTIC TO-220F, jest tranzystorem typu P-Channel MOSFET. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V_DS wynoszącym -60V oraz prądem drenu I_D na poziomie -20A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych aplikacjach zasilania, wymagających komponentów o wysokiej niezawodności i efektywności. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki zakres tranzystorów MOSFET, w tym model 2SJ656, dedykowany do zastosowań przemysłowych.

ID produktu: 8512

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ6810 PLASTIC (TO-3PF)

Model 2SJ6810, wykonany w obudowie PLASTIC TO-3PF, charakteryzuje się polarnością P-channel MOSFET. Urządzenie to zapewnia maksymalne napięcie drenu-source wynoszące -200V, a maksymalny prąd ciągły drenu osiąga wartość do -10A. Integralnym aspektem konstrukcji jest niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on), co minimalizuje straty mocy. Zastosowanie znajduje w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w systemach zasilania i przekształtnikach częstotliwości.

ID produktu: 8513

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ6812

Tranzystor 2SJ6812, charakteryzujący się typem P-MOSFET, oferuje niski opór w stanie przewodzenia. Przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych obwodach przełączających, posiada maksymalne napięcie dren-źródło V_DS wynoszące 600V oraz prąd drenu I_D na poziomie 12A. Obudowa TO-220AB zapewnia efektywne rozpraszanie ciepła. Dostępność tego komponentu i innych części elektronicznych ułatwia projektowanie zaawansowanych systemów elektronicznych.

ID produktu: 12194

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SJ6815 PLASTIC (TO-3PF)

Tranzystor 2SJ6815, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-3PF), charakteryzuje się parametrami, które pozwalają na jego zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych. Jego struktura P-Channel MOSFET umożliwia efektywną pracę w obwodach o wysokiej częstotliwości. Specyfikacja obejmuje niski poziom oporności w stanie przewodzenia, co przekłada się na mniejsze straty mocy w aplikacjach. Dedykowany jest do wykorzystania w zasilaczach, przekształtnikach oraz innych częściach elektronicznych, gdzie niezbędna jest wysoka niezawodność i efektywność energetyczna.