LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 2SD880-Y METAL (TO-220) »
ID produktu: 10103
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SD880-Y METAL (TO-220)
Model 2SD880-Y, wykonany w obudowie METAL TO-220, jest tranzystorem bipolarnym NPN o wysokiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO równym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Dzięki tym parametrom, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.
Tranzystor 2SD880-Y METAL (TO-220)
Model 2SD880-Y, wykonany w obudowie METAL TO-220, jest tranzystorem bipolarnym NPN o wysokiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO równym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Dzięki tym parametrom, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.
Tranzystor o symbolu : 2SD882 (TO-126) »
ID produktu: 8888
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SD882 (TO-126)
Tranzystor 2SD882, zamknięty w obudowie TO-126, jest bipolarnym tranzystorem NPN, charakteryzującym się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 30V oraz prądem kolektora IC do 3A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w układach wzmacniających i przełączających. Dla inżynierów i techników poszukujących specyfikacji lub chcących zakupić części elektroniczne, 2SD882 oferuje stabilną pracę w temperaturze od -55°C do +150°C.
Tranzystor 2SD882 (TO-126)
Tranzystor 2SD882, zamknięty w obudowie TO-126, jest bipolarnym tranzystorem NPN, charakteryzującym się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 30V oraz prądem kolektora IC do 3A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w układach wzmacniających i przełączających. Dla inżynierów i techników poszukujących specyfikacji lub chcących zakupić części elektroniczne, 2SD882 oferuje stabilną pracę w temperaturze od -55°C do +150°C.
Tranzystor o symbolu : 2SD947F (TO-126) »
ID produktu: 9086
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SD947F (TO-126)
Tranzystor 2SD947F, zawarty w obudowie TO-126, jest półprzewodnikiem typu NPN, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniacza mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Dedykowany dla szerokiego zakresu części elektronicznych, wyróżnia się stabilnością termiczną i wysoką efektywnością przełączania.
Tranzystor 2SD947F (TO-126)
Tranzystor 2SD947F, zawarty w obudowie TO-126, jest półprzewodnikiem typu NPN, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniacza mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Dedykowany dla szerokiego zakresu części elektronicznych, wyróżnia się stabilnością termiczną i wysoką efektywnością przełączania.
Tranzystor o symbolu : 2SD953 METAL (TO-3) »
ID produktu: 11426
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SD953 METAL (TO-3)
Model 2SD953, wykonany w obudowie METAL (TO-3), jest bipolarnym tranzystorem NPN o wysokiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 6A. Jego zastosowanie znajduje przede wszystkim w układach wzmacniaczy mocy oraz przetwornic. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację z różnorodnymi układami.
Tranzystor 2SD953 METAL (TO-3)
Model 2SD953, wykonany w obudowie METAL (TO-3), jest bipolarnym tranzystorem NPN o wysokiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 6A. Jego zastosowanie znajduje przede wszystkim w układach wzmacniaczy mocy oraz przetwornic. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację z różnorodnymi układami.
Tranzystor o symbolu : 2SD965 (TO-92) »
ID produktu: 10609
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SD965 (TO-92)
Model 2SD965, realizowany w obudowie TO-92, to tranzystor NPN bipolarny o niskim poziomie szumu, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczach niskiej częstotliwości. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO równym 20V, maksymalnym prądem kolektora IC wynoszącym 700mA oraz mocą strat PTOT do 400mW. Wykorzystywany jest w różnorodnych częściach elektronicznych, oferując stabilność pracy w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor 2SD965 (TO-92)
Model 2SD965, realizowany w obudowie TO-92, to tranzystor NPN bipolarny o niskim poziomie szumu, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczach niskiej częstotliwości. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO równym 20V, maksymalnym prądem kolektora IC wynoszącym 700mA oraz mocą strat PTOT do 400mW. Wykorzystywany jest w różnorodnych częściach elektronicznych, oferując stabilność pracy w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor o symbolu : 2SD998 PLASTIC (TO-3PF) »
ID produktu: 9269
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SD998 PLASTIC (TO-3PF)
Tranzystor 2SD998, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-3PF), charakteryzuje się parametrami pracy dopasowanymi do aplikacji o średniej mocy. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających, posiada zdolność do obsługi wysokich prądów oraz napięć. Wysoka częstotliwość pracy oraz niski poziom szumów czynią go odpowiednim do zastosowań w zaawansowanych częściach elektronicznych. Jego termiczna wytrzymałość zapewnia niezawodność w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor 2SD998 PLASTIC (TO-3PF)
Tranzystor 2SD998, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-3PF), charakteryzuje się parametrami pracy dopasowanymi do aplikacji o średniej mocy. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających, posiada zdolność do obsługi wysokich prądów oraz napięć. Wysoka częstotliwość pracy oraz niski poziom szumów czynią go odpowiednim do zastosowań w zaawansowanych częściach elektronicznych. Jego termiczna wytrzymałość zapewnia niezawodność w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor o symbolu : 2SJ201 (TO-92) »
ID produktu: 8508
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SJ201 (TO-92)
Tranzystor 2SJ201, zamknięty w obudowie TO-92, to półprzewodnikowy element wykonawczy typu P-Channel MOSFET, charakteryzujący się niskim napięciem przebicia oraz umiarkowaną prędkością przełączania. Jego podstawowe zastosowanie znajduje w układach wzmacniaczy audio oraz regulacji mocy w częściach elektronicznych. Parametry elektryczne tego komponentu umożliwiają efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur, co przekłada się na jego uniwersalność zastosowania.
Tranzystor 2SJ201 (TO-92)
Tranzystor 2SJ201, zamknięty w obudowie TO-92, to półprzewodnikowy element wykonawczy typu P-Channel MOSFET, charakteryzujący się niskim napięciem przebicia oraz umiarkowaną prędkością przełączania. Jego podstawowe zastosowanie znajduje w układach wzmacniaczy audio oraz regulacji mocy w częściach elektronicznych. Parametry elektryczne tego komponentu umożliwiają efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur, co przekłada się na jego uniwersalność zastosowania.
Tranzystor o symbolu : 2SJ306 »
ID produktu: 8509
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SJ306
Tranzystor 2SJ306, będący elementem z kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się typem P-Channel MOSFET, przeznaczony jest do zastosowań w układach wysokiej mocy. Zdolność do pracy przy napięciu dren-źródło wynoszącym do 60V oraz prądzie drenu do 50A, czyni go odpowiednim do zastosowań w przekształtnikach mocy i układach sterowania silnikami.
Tranzystor 2SJ306
Tranzystor 2SJ306, będący elementem z kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się typem P-Channel MOSFET, przeznaczony jest do zastosowań w układach wysokiej mocy. Zdolność do pracy przy napięciu dren-źródło wynoszącym do 60V oraz prądzie drenu do 50A, czyni go odpowiednim do zastosowań w przekształtnikach mocy i układach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : 2SJ307 »
ID produktu: 8510
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SJ307
Tranzystor 2SJ307, wykonany w technologii MOSFET P-Channel, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością prądową. Przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy, przetwornicach i innych urządzeniach wymagających efektywnej komutacji. Dostępny w obudowie TO-220 zapewniającej optymalne odprowadzanie ciepła. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych takich jak Tranzystor 2SJ307.
Tranzystor 2SJ307
Tranzystor 2SJ307, wykonany w technologii MOSFET P-Channel, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością prądową. Przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy, przetwornicach i innych urządzeniach wymagających efektywnej komutacji. Dostępny w obudowie TO-220 zapewniającej optymalne odprowadzanie ciepła. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych takich jak Tranzystor 2SJ307.
Tranzystor o symbolu : 2SJ327 SMD (TO-263) »
ID produktu: 13142
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SJ327 SMD (TO-263)
Tranzystor 2SJ327, w obudowie SMD typu TO-263, charakteryzuje się parametrami pracy dopasowanymi do zastosowań w układach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej efektywności. Jako element półprzewodnikowy, odgrywa kluczową rolę w regulacji przepływu prądu. Dedykowany dla zaawansowanych aplikacji, ten tranzystor P-Channel MOSFET znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, od zasilaczy po układy sterowania. Specyfikacja techniczna obejmuje napięcie drenu do źródła (Vdss), prąd ciągły drenu (Id) oraz moc maksymalną (Pd), co czyni go komponentem odpowiednim dla szerokiego spektrum projektów elektronicznych.
Tranzystor 2SJ327 SMD (TO-263)
Tranzystor 2SJ327, w obudowie SMD typu TO-263, charakteryzuje się parametrami pracy dopasowanymi do zastosowań w układach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej efektywności. Jako element półprzewodnikowy, odgrywa kluczową rolę w regulacji przepływu prądu. Dedykowany dla zaawansowanych aplikacji, ten tranzystor P-Channel MOSFET znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, od zasilaczy po układy sterowania. Specyfikacja techniczna obejmuje napięcie drenu do źródła (Vdss), prąd ciągły drenu (Id) oraz moc maksymalną (Pd), co czyni go komponentem odpowiednim dla szerokiego spektrum projektów elektronicznych.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów