LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : STP4NK60Z METAL »
ID produktu: 10460
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP4NK60Z METAL - Tranzystor
Tranzystor STP4NK60Z METAL, będący elementem półprzewodnikowym w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 4A. Urządzenie to, wykorzystując technologię MDmesh™, zapewnia zredukowane straty mocy i zwiększoną efektywność energetyczną. Integralną częścią specyfikacji jest również niski opór w stanie przewodzenia RDS(on), co czyni go odpowiednim do zastosowań w przekształtnikach wysokiej częstotliwości. Dla konstruktorów części elektronicznych istotne będzie również, że tranzystor ten zapewnia zabezpieczenie przed efektem lawinowym, zwiększając tym samym niezawodność aplikacji.
STP4NK60Z METAL - Tranzystor
Tranzystor STP4NK60Z METAL, będący elementem półprzewodnikowym w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 4A. Urządzenie to, wykorzystując technologię MDmesh™, zapewnia zredukowane straty mocy i zwiększoną efektywność energetyczną. Integralną częścią specyfikacji jest również niski opór w stanie przewodzenia RDS(on), co czyni go odpowiednim do zastosowań w przekształtnikach wysokiej częstotliwości. Dla konstruktorów części elektronicznych istotne będzie również, że tranzystor ten zapewnia zabezpieczenie przed efektem lawinowym, zwiększając tym samym niezawodność aplikacji.
Tranzystor o symbolu : STP5NB40 METAL (TO-220) »
ID produktu: 11247
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP5NB40 METAL (TO-220)
Tranzystor STP5NB40 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem pracy do 400V oraz prądem 5A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w przekształtnikach mocy i systemach zasilania, wyróżnia się przez swoją zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur. Dla osób poszukujących specyficznych części elektronicznych, STP5NB40 oferuje nie tylko niezawodność, ale i precyzję w regulacji prądu.
STP5NB40 METAL (TO-220)
Tranzystor STP5NB40 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem pracy do 400V oraz prądem 5A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w przekształtnikach mocy i systemach zasilania, wyróżnia się przez swoją zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur. Dla osób poszukujących specyficznych części elektronicznych, STP5NB40 oferuje nie tylko niezawodność, ale i precyzję w regulacji prądu.
Tranzystor o symbolu : STP5NK50ZFP PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10476
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP5NK50ZFP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor STP5NK50ZFP, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem przewodzenia 500V oraz prądem drenu 4.4A. Dedykowany dla aplikacji wysokonapięciowych, posiada zintegrowaną ochronę przeciwprzepięciową. Znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania.
STP5NK50ZFP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor STP5NK50ZFP, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem przewodzenia 500V oraz prądem drenu 4.4A. Dedykowany dla aplikacji wysokonapięciowych, posiada zintegrowaną ochronę przeciwprzepięciową. Znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania.
Tranzystor o symbolu : STP60NF10 METAL (TO-220) »
ID produktu: 11248
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor STP60NF10 METAL (TO-220)
Tranzystor STP60NF10 METAL, obudowa typu TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=100V, prądem drenu Id=60A oraz niską rezystancją kanału Rds(on)=0.014?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w przetwornicach mocy, regulatorach napięcia oraz układach sterowania silników.
Tranzystor STP60NF10 METAL (TO-220)
Tranzystor STP60NF10 METAL, obudowa typu TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=100V, prądem drenu Id=60A oraz niską rezystancją kanału Rds(on)=0.014?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w przetwornicach mocy, regulatorach napięcia oraz układach sterowania silników.
Tranzystor o symbolu : STP6NC60 METAL (TO-220) »
ID produktu: 8709
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP6NC60 METAL (TO-220)
Tranzystor STP6NC60 METAL typu MOSFET, charakteryzujący się napięciem przebicia Vds wynoszącym 600V oraz prądem Id do 6A, zapewnia wysoką wydajność w obudowie TO-220. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w częściach elektronicznych, wykorzystuje zaawansowaną technologię MDmesh™ dla zminimalizowania strat mocy, co jest istotne w aplikacjach o wysokiej efektywności energetycznej.
STP6NC60 METAL (TO-220)
Tranzystor STP6NC60 METAL typu MOSFET, charakteryzujący się napięciem przebicia Vds wynoszącym 600V oraz prądem Id do 6A, zapewnia wysoką wydajność w obudowie TO-220. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w częściach elektronicznych, wykorzystuje zaawansowaną technologię MDmesh™ dla zminimalizowania strat mocy, co jest istotne w aplikacjach o wysokiej efektywności energetycznej.
Tranzystor o symbolu : STP6NK60Z METAL (TO-220) »
ID produktu: 9183
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP6NK60Z METAL (TO-220)
Tranzystor STP6NK60Z METAL w obudowie TO-220 charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID równym 6A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Zastosowanie technologii MOSFET zapewnia optymalizację parametrów dynamicznych tranzystora, umożliwiając jego wykorzystanie w zaawansowanych układach zasilania.
STP6NK60Z METAL (TO-220)
Tranzystor STP6NK60Z METAL w obudowie TO-220 charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID równym 6A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Zastosowanie technologii MOSFET zapewnia optymalizację parametrów dynamicznych tranzystora, umożliwiając jego wykorzystanie w zaawansowanych układach zasilania.
Tranzystor o symbolu : STP8NA60FI PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 9867
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP8NA60FI PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor STP8NA60FI, w obudowie TO-220F, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w układach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID o wartości do 8A. Wysoka odporność termiczna oraz minimalizacja strat mocy czynią go odpowiednim do zastosowań w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych i innych [częściach elektronicznych](https://www.impelshop.com/).
STP8NA60FI PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor STP8NA60FI, w obudowie TO-220F, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w układach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID o wartości do 8A. Wysoka odporność termiczna oraz minimalizacja strat mocy czynią go odpowiednim do zastosowań w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych i innych [częściach elektronicznych](https://www.impelshop.com/).
Tranzystor o symbolu : STP9NC60 METAL (TO-220) »
ID produktu: 11157
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP9NC60 METAL (TO-220)
Tranzystor STP9NC60 METAL typu MOSFET, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 9A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on). Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, STP9NC60 METAL oferuje stabilną pracę przy zwiększonych temperaturach, co sprawia, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych projektach elektronicznych.
STP9NC60 METAL (TO-220)
Tranzystor STP9NC60 METAL typu MOSFET, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 9A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on). Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, STP9NC60 METAL oferuje stabilną pracę przy zwiększonych temperaturach, co sprawia, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych projektach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : STP9NK50Z METAL »
ID produktu: 10381
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP9NK50Z METAL
Tranzystor STP9NK50Z METAL, klasyfikowany jako MOSFET typu N, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID do 9A. Wysoka impedancja wejściowa oraz niskie straty przełączania czynią go odpowiednim do zastosowań w przetwornicach mocy, regulacji PWM i innych aplikacjach wymagających efektywnego sterowania dużymi prądami. Dostępność w obudowie TO-220 zapewnia łatwą integrację z częściami elektronicznymi na płytce drukowanej.
STP9NK50Z METAL
Tranzystor STP9NK50Z METAL, klasyfikowany jako MOSFET typu N, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID do 9A. Wysoka impedancja wejściowa oraz niskie straty przełączania czynią go odpowiednim do zastosowań w przetwornicach mocy, regulacji PWM i innych aplikacjach wymagających efektywnego sterowania dużymi prądami. Dostępność w obudowie TO-220 zapewnia łatwą integrację z częściami elektronicznymi na płytce drukowanej.
Tranzystor o symbolu : STP9NK50ZFP PLASTIC »
ID produktu: 10477
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP9NK50ZFP PLASTIC
Tranzystor STP9NK50ZFP PLASTIC, MOSFET typu N, zapewnia VDS maksymalne na poziomie 500V przy ID równym 9A. Charakteryzując się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), wynoszącą 0.55?, jest optymalizowany dla aplikacji o wysokiej efektywności. Obudowa TO-220FP minimalizuje straty termiczne, co jest kluczowe dla części elektronicznych w aplikacjach przemysłowych.
STP9NK50ZFP PLASTIC
Tranzystor STP9NK50ZFP PLASTIC, MOSFET typu N, zapewnia VDS maksymalne na poziomie 500V przy ID równym 9A. Charakteryzując się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), wynoszącą 0.55?, jest optymalizowany dla aplikacji o wysokiej efektywności. Obudowa TO-220FP minimalizuje straty termiczne, co jest kluczowe dla części elektronicznych w aplikacjach przemysłowych.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów