LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : RJP4301 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13109
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP4301 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP4301, z obudową PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia V(BR)DSS, które osiąga wartości do 600V, oraz prądem drenu I(D) na poziomie 30A. Jest to element przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Dzięki swojej konstrukcji, zapewnia doskonałą wydajność termiczną i elektryczną. W kontekście części elektronicznych, tranzystor RJP4301 znajduje szerokie zastosowanie w zasilaczach, inwerterach oraz systemach sterowania silnikami.
Tranzystor RJP4301 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP4301, z obudową PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia V(BR)DSS, które osiąga wartości do 600V, oraz prądem drenu I(D) na poziomie 30A. Jest to element przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Dzięki swojej konstrukcji, zapewnia doskonałą wydajność termiczną i elektryczną. W kontekście części elektronicznych, tranzystor RJP4301 znajduje szerokie zastosowanie w zasilaczach, inwerterach oraz systemach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : RJP43F4 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13258
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP43F4 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP43F4, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 40A. Jest to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach wysokiej mocy. Wysoka odporność na impulsy prądowe oraz niska rezystancja kanału, czynią go odpowiednim do efektywnego sterowania w układach zasilających. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.
Tranzystor RJP43F4 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP43F4, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 40A. Jest to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach wysokiej mocy. Wysoka odporność na impulsy prądowe oraz niska rezystancja kanału, czynią go odpowiednim do efektywnego sterowania w układach zasilających. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.
Tranzystor o symbolu : RJP4585 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10904
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP4585 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP4585, wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się wysoką wydajnością przy pracy w układach przełączających. Jego napięcie pracy oraz prąd maksymalny pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Specyfikacja techniczna obejmuje niskie VCE(sat), co przekłada się na efektywność energetyczną układów. Odporność na wysokie temperatury i długi czas życia to wynik zastosowania nowoczesnych materiałów półprzewodnikowych.
Tranzystor RJP4585 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP4585, wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się wysoką wydajnością przy pracy w układach przełączających. Jego napięcie pracy oraz prąd maksymalny pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Specyfikacja techniczna obejmuje niskie VCE(sat), co przekłada się na efektywność energetyczną układów. Odporność na wysokie temperatury i długi czas życia to wynik zastosowania nowoczesnych materiałów półprzewodnikowych.
Tranzystor o symbolu : RJP6065 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13259
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP6065 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP6065, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia VBRDSS wynoszącym 650V oraz prądem drenu ID na poziomie maksymalnym 20A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w przetwornicach wysokiej mocy, oferując szybką komutację oraz niskie straty mocy. Jego parametry pozwalają na efektywne zarządzanie energią w zaawansowanych układach elektronicznych.
Tranzystor RJP6065 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP6065, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia VBRDSS wynoszącym 650V oraz prądem drenu ID na poziomie maksymalnym 20A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w przetwornicach wysokiej mocy, oferując szybką komutację oraz niskie straty mocy. Jego parametry pozwalają na efektywne zarządzanie energią w zaawansowanych układach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : RJP63F3 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12224
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP63F3 PLASTIC (TO-220F)
Model RJP63F3, w obudowie PLASTIC TO-220F, jest wysokonapięciowym tranzystorem typu N-MOSFET. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 630V oraz prądem drenu ID o maksymalnej wartości 35A. Jego główną aplikacją są przetwornice DC/DC oraz zasilacze impulsowe. Dostępność części elektronicznych znacząco wpływa na łatwość implementacji w różnorodnych projektach.
Tranzystor RJP63F3 PLASTIC (TO-220F)
Model RJP63F3, w obudowie PLASTIC TO-220F, jest wysokonapięciowym tranzystorem typu N-MOSFET. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 630V oraz prądem drenu ID o maksymalnej wartości 35A. Jego główną aplikacją są przetwornice DC/DC oraz zasilacze impulsowe. Dostępność części elektronicznych znacząco wpływa na łatwość implementacji w różnorodnych projektach.
Tranzystor o symbolu : RJP63G4 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13110
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP63G4 PLASTIC (TO-220F)
Model RJP63G4, wykonany w obudowie TO-220F, to tranzystor typu IGBT charakteryzujący się wysoką prędkością przełączania oraz niskimi stratami mocy. Przeznaczony do zastosowań w zaawansowanych układach zasilających, oferuje doskonałą wydajność w warunkach wysokiej częstotliwości. W kontekście części elektronicznych, ten komponent zapewnia stabilność termiczną, co jest kluczowe dla niezawodności systemów elektronicznych.
Tranzystor RJP63G4 PLASTIC (TO-220F)
Model RJP63G4, wykonany w obudowie TO-220F, to tranzystor typu IGBT charakteryzujący się wysoką prędkością przełączania oraz niskimi stratami mocy. Przeznaczony do zastosowań w zaawansowanych układach zasilających, oferuje doskonałą wydajność w warunkach wysokiej częstotliwości. W kontekście części elektronicznych, ten komponent zapewnia stabilność termiczną, co jest kluczowe dla niezawodności systemów elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : RJP63K2 SMD (TO-263) »
ID produktu: 14204
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP63K2 SMD (TO-263)
Tranzystor RJP63K2, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie typu TO-263, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDSS wynoszącym 630V oraz prądem drenu ID równym 35A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) maksymalizuje wydajność przy minimalizacji strat mocy. Dedykowany głównie do zastosowań w zaawansowanych układach przetwarzania energii, tranzystor ten znajduje szerokie zastosowanie w częściach elektronicznych wymagających wysokiej niezawodności i efektywności energetycznej.
Tranzystor RJP63K2 SMD (TO-263)
Tranzystor RJP63K2, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie typu TO-263, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDSS wynoszącym 630V oraz prądem drenu ID równym 35A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) maksymalizuje wydajność przy minimalizacji strat mocy. Dedykowany głównie do zastosowań w zaawansowanych układach przetwarzania energii, tranzystor ten znajduje szerokie zastosowanie w częściach elektronicznych wymagających wysokiej niezawodności i efektywności energetycznej.
Tranzystor o symbolu : RN1404 (S-MINI) »
ID produktu: 12831
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RN1404 (S-MINI)
Tranzystor RN1404, zintegrowany w obudowie S-MINI, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz małą stratą mocy. Przeznaczony do aplikacji przełączających, urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach sterowania. Posiada konfigurację NPN, co umożliwia efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor RN1404 (S-MINI)
Tranzystor RN1404, zintegrowany w obudowie S-MINI, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz małą stratą mocy. Przeznaczony do aplikacji przełączających, urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach sterowania. Posiada konfigurację NPN, co umożliwia efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor o symbolu : S2000A »
ID produktu: 8700
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor S2000A
Model S2000A, bipolarny tranzystor NPN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o aplikacjach o średniej mocy. W strukturze tranzystora zastosowano technologię planarną, co przekłada się na jego stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, S2000A znajduje zastosowanie głównie w układach wzmacniających i przełączających.
Tranzystor S2000A
Model S2000A, bipolarny tranzystor NPN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Urządzenie zaprojektowano z myślą o aplikacjach o średniej mocy. W strukturze tranzystora zastosowano technologię planarną, co przekłada się na jego stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, S2000A znajduje zastosowanie głównie w układach wzmacniających i przełączających.
Tranzystor o symbolu : S2000AF »
ID produktu: 8701
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor S2000AF
Tranzystor S2000AF, bipolarny, typu NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Wysoka częstotliwość pracy oraz niewielkie nasycenie VCE sprawiają, że jest on odpowiedni do zastosowań w zaawansowanych częściach elektronicznych.
Tranzystor S2000AF
Tranzystor S2000AF, bipolarny, typu NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Wysoka częstotliwość pracy oraz niewielkie nasycenie VCE sprawiają, że jest on odpowiedni do zastosowań w zaawansowanych częściach elektronicznych.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów