LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : RD16HHF1 MITSUBISHI METAL (TO-220) »
ID produktu: 12222
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »RD16HHF1 MITSUBISHI METAL (TO-220)
Tranzystor RD16HHF1, produkowany przez Mitsubishi, wykonany jest w metalowej obudowie TO-220, zapewniającej doskonałą dysypację ciepła. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 16V oraz prądem kolektora IC o wartości 30A. Dedykowany dla aplikacji RF do 30MHz, wyróżnia się niską impedancją wyjściową oraz wysoką efektywnością. W ofercie dostępne są również inne części elektroniczne.
RD16HHF1 MITSUBISHI METAL (TO-220)
Tranzystor RD16HHF1, produkowany przez Mitsubishi, wykonany jest w metalowej obudowie TO-220, zapewniającej doskonałą dysypację ciepła. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 16V oraz prądem kolektora IC o wartości 30A. Dedykowany dla aplikacji RF do 30MHz, wyróżnia się niską impedancją wyjściową oraz wysoką efektywnością. W ofercie dostępne są również inne części elektroniczne.
Tranzystor o symbolu : RFN20 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12829
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RFN20 PLASTIC (TO-220F)
Model RFN20, zaprojektowany w obudowie TO-220F, jest tranzystorem typu NPN, który charakteryzuje się zdolnością do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Dzięki zastosowaniu technologii PLASTIC, urządzenie zapewnia doskonałą wydajność termiczną oraz niezawodność w aplikacjach wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, RFN20 znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przełączających, oferując niskie Vce(sat) oraz umiarkowaną szybkość przełączania.
Tranzystor RFN20 PLASTIC (TO-220F)
Model RFN20, zaprojektowany w obudowie TO-220F, jest tranzystorem typu NPN, który charakteryzuje się zdolnością do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Dzięki zastosowaniu technologii PLASTIC, urządzenie zapewnia doskonałą wydajność termiczną oraz niezawodność w aplikacjach wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, RFN20 znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przełączających, oferując niskie Vce(sat) oraz umiarkowaną szybkość przełączania.
Tranzystor o symbolu : RJH3044 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12491
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJH3044 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJH3044, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką prędkością przełączania. Jest to element półprzewodnikowy, który znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji mocy. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten zapewnia doskonałą wydajność w układach sterowania silnikami, przekształtnikach oraz innych urządzeniach elektronicznych. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie dostawcy.
Tranzystor RJH3044 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJH3044, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką prędkością przełączania. Jest to element półprzewodnikowy, który znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji mocy. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten zapewnia doskonałą wydajność w układach sterowania silnikami, przekształtnikach oraz innych urządzeniach elektronicznych. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć na stronie dostawcy.
Tranzystor o symbolu : RJH3047 METAL (TO-3PN) »
ID produktu: 10745
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJH3047 METAL (TO-3PN)
Model RJH3047, w obudowie METAL TO-3PN, to tranzystor IGBT zaprojektowany do zastosowań wymagających wysokiej wydajności przełączania. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz dużą prędkością przełączania, co czyni go idealnym do zastosowań w przekształtnikach częstotliwości i systemach zasilania impulsowego. W kontekście części elektronicznych, RJH3047 znajduje szerokie zastosowanie w przemyśle elektronicznym, oferując niezawodność i efektywność w krytycznych aplikacjach mocy.
Tranzystor RJH3047 METAL (TO-3PN)
Model RJH3047, w obudowie METAL TO-3PN, to tranzystor IGBT zaprojektowany do zastosowań wymagających wysokiej wydajności przełączania. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz dużą prędkością przełączania, co czyni go idealnym do zastosowań w przekształtnikach częstotliwości i systemach zasilania impulsowego. W kontekście części elektronicznych, RJH3047 znajduje szerokie zastosowanie w przemyśle elektronicznym, oferując niezawodność i efektywność w krytycznych aplikacjach mocy.
Tranzystor o symbolu : RJH30E2 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13785
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJH30E2 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJH30E2, wykonany w technologii SILICON N-CHANNEL IGBT, zaprojektowany w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDSS wynoszącym 360V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 30A. Element ten znajduje szerokie zastosowanie w wysokonapięciowych aplikacjach przełączających. Dostępność części elektronicznych na rynku ułatwia integrację w zaawansowanych układach elektronicznych.
Tranzystor RJH30E2 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJH30E2, wykonany w technologii SILICON N-CHANNEL IGBT, zaprojektowany w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDSS wynoszącym 360V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 30A. Element ten znajduje szerokie zastosowanie w wysokonapięciowych aplikacjach przełączających. Dostępność części elektronicznych na rynku ułatwia integrację w zaawansowanych układach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : RJH30H1 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12830
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJH30H1 PLASTIC (TO-220F)
Model RJH30H1, zrealizowany w obudowie TO-220F, to tranzystor IGBT przeznaczony do zastosowań w układach przekształtnikowych o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz szybkim czasem przełączania, co czyni go odpowiednim dla efektywnych aplikacji energetycznych. W kontekście części elektronicznych, ten komponent wykazuje znaczną tolerancję na przeciążenia, co przekłada się na jego niezawodność w trudnych warunkach pracy.
Tranzystor RJH30H1 PLASTIC (TO-220F)
Model RJH30H1, zrealizowany w obudowie TO-220F, to tranzystor IGBT przeznaczony do zastosowań w układach przekształtnikowych o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz szybkim czasem przełączania, co czyni go odpowiednim dla efektywnych aplikacji energetycznych. W kontekście części elektronicznych, ten komponent wykazuje znaczną tolerancję na przeciążenia, co przekłada się na jego niezawodność w trudnych warunkach pracy.
Tranzystor o symbolu : RJK0305DPB (LFPAK) SMD »
ID produktu: 11274
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJK0305DPB (LFPAK) SMD
Tranzystor RJK0305DPB, realizowany w obudowie LFPAK o typie montażu SMD, charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką wydajnością prądową. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, zapewnia efektywną komutację w aplikacjach o wysokiej częstotliwości, co czyni go odpowiednim dla zaawansowanych systemów zarządzania energią.
Tranzystor RJK0305DPB (LFPAK) SMD
Tranzystor RJK0305DPB, realizowany w obudowie LFPAK o typie montażu SMD, charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką wydajnością prądową. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, zapewnia efektywną komutację w aplikacjach o wysokiej częstotliwości, co czyni go odpowiednim dla zaawansowanych systemów zarządzania energią.
Tranzystor o symbolu : RJK2017 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12223
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJK2017 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJK2017 w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się napięciem drenu-source V_DS=200V, prądem drenu I_D=15A oraz niską rezystancją w stanie przewodzenia R_DS(on)=0.14?. Przeznaczony do zastosowań w przetwornicach DC/DC, UPS oraz innych urządzeniach wymagających efektywnego przełączania. W celu zapoznania się z szerszą ofertą części elektronicznych zapraszamy do naszego sklepu.
Tranzystor RJK2017 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJK2017 w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się napięciem drenu-source V_DS=200V, prądem drenu I_D=15A oraz niską rezystancją w stanie przewodzenia R_DS(on)=0.14?. Przeznaczony do zastosowań w przetwornicach DC/DC, UPS oraz innych urządzeniach wymagających efektywnego przełączania. W celu zapoznania się z szerszą ofertą części elektronicznych zapraszamy do naszego sklepu.
Tranzystor o symbolu : RJK5010 (TO-3PN) »
ID produktu: 10392
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJK5010 (TO-3PN)
Tranzystor RJK5010, z obudową typu TO-3PN, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem do 10A. Jest to komponent przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach mocy i układach sterowania. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka wydajność i niezawodność.
Tranzystor RJK5010 (TO-3PN)
Tranzystor RJK5010, z obudową typu TO-3PN, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem do 10A. Jest to komponent przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach mocy i układach sterowania. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka wydajność i niezawodność.
Tranzystor o symbolu : RJK5020 (TO-3PN) »
ID produktu: 9600
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJK5020 (TO-3PN)
Model RJK5020, z obudową TO-3PN, to wysokonapięciowy tranzystor MOSFET zapewniający doskonałą wydajność przy prądzie drenu do 20A oraz napięciu pracy 500V. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Idealny do zastosowań w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach i szerokiej gamie części elektronicznych.
Tranzystor RJK5020 (TO-3PN)
Model RJK5020, z obudową TO-3PN, to wysokonapięciowy tranzystor MOSFET zapewniający doskonałą wydajność przy prądzie drenu do 20A oraz napięciu pracy 500V. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Idealny do zastosowań w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach i szerokiej gamie części elektronicznych.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów