LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : RJK5033 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 14275
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJK5033 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJK5033, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką wydajnością prądową. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w przetwornicach DC/DC, systemach zasilania i innych aplikacjach wymagających efektywnego przełączania, jest kluczowym komponentem w częściach elektronicznych zapewniających stabilność i efektywność energetyczną.
Tranzystor RJK5033 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJK5033, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką wydajnością prądową. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w przetwornicach DC/DC, systemach zasilania i innych aplikacjach wymagających efektywnego przełączania, jest kluczowym komponentem w częściach elektronicznych zapewniających stabilność i efektywność energetyczną.
Tranzystor o symbolu : RJP3044 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13895
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP3044 PLASTIC (TO-220F)
Model RJP3044, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), to tranzystor mocy NPN, który charakteryzuje się wysokim napięciem przebicia BVceo, co czyni go odpowiednim do zastosowań w układach przetwornic wysokiego napięcia. Dzięki swojej konstrukcji, zapewnia efektywną dysypację ciepła oraz stabilność pracy przy różnych obciążeniach. Element ten znajduje zastosowanie w szerokiej gamie urządzeń elektronicznych, w tym w zaawansowanych systemach zasilania. Dostęp do szerokiej oferty części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi komponentami.
Tranzystor RJP3044 PLASTIC (TO-220F)
Model RJP3044, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), to tranzystor mocy NPN, który charakteryzuje się wysokim napięciem przebicia BVceo, co czyni go odpowiednim do zastosowań w układach przetwornic wysokiego napięcia. Dzięki swojej konstrukcji, zapewnia efektywną dysypację ciepła oraz stabilność pracy przy różnych obciążeniach. Element ten znajduje zastosowanie w szerokiej gamie urządzeń elektronicznych, w tym w zaawansowanych systemach zasilania. Dostęp do szerokiej oferty części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi komponentami.
Tranzystor o symbolu : RJP30E2 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 11275
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP30E2 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP30E2, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 360V oraz prądem kolektora IC o wartości 30A. Urządzenie to, dedykowane dla wysokonapięciowych aplikacji przełączających, wykazuje także niskie nasycenie napięcia VCE(sat), co zwiększa jego efektywność w układach zasilających. Dostępność tych części elektronicznych umożliwia implementację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
Tranzystor RJP30E2 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP30E2, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 360V oraz prądem kolektora IC o wartości 30A. Urządzenie to, dedykowane dla wysokonapięciowych aplikacji przełączających, wykazuje także niskie nasycenie napięcia VCE(sat), co zwiększa jego efektywność w układach zasilających. Dostępność tych części elektronicznych umożliwia implementację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : RJP30E4 SMD (TO-263) »
ID produktu: 11857
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP30E4 SMD (TO-263)
Tranzystor RJP30E4 SMD, zamknięty w obudowie typu TO-263, charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 360V oraz prądem drenu Id=30A. Jako komponent z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przełączających, zapewniając efektywną pracę w systemach zasilania.
Tranzystor RJP30E4 SMD (TO-263)
Tranzystor RJP30E4 SMD, zamknięty w obudowie typu TO-263, charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 360V oraz prądem drenu Id=30A. Jako komponent z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przełączających, zapewniając efektywną pracę w systemach zasilania.
Tranzystor o symbolu : RJP30H1 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12492
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP30H1 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP30H1, wykonany w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-source VDSS wynoszącym 360V, oraz prądem drenu ID równym 30A. Specyfikacja techniczna tego elementu obejmuje także niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Dedykowany jest do wysokonapięciowych aplikacji zasilających. Więcej informacji o tej i innych częściach elektronicznych można znaleźć online.
Tranzystor RJP30H1 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP30H1, wykonany w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-source VDSS wynoszącym 360V, oraz prądem drenu ID równym 30A. Specyfikacja techniczna tego elementu obejmuje także niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Dedykowany jest do wysokonapięciowych aplikacji zasilających. Więcej informacji o tej i innych częściach elektronicznych można znaleźć online.
Tranzystor o symbolu : RJP30H1 SMD (TO-252) »
ID produktu: 12493
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »
Tranzystor o symbolu : RJP30H2 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 11276
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP30H2 PLASTIC (TO-220F)
Model RJP30H2, zaprojektowany w obudowie TO-220F, jest wysokonapięciowym tranzystorem MOSFET typu N, przeznaczonym do zastosowań w przetwornicach DC/DC, układach sterowania silnikami oraz innych aplikacjach wymagających szybkiego przełączania. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką zdolnością do rozpraszania ciepła. Dla uzupełnienia wiedzy o częściach elektronicznych warto odwiedzić dedykowane źródła.
Tranzystor RJP30H2 PLASTIC (TO-220F)
Model RJP30H2, zaprojektowany w obudowie TO-220F, jest wysokonapięciowym tranzystorem MOSFET typu N, przeznaczonym do zastosowań w przetwornicach DC/DC, układach sterowania silnikami oraz innych aplikacjach wymagających szybkiego przełączania. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką zdolnością do rozpraszania ciepła. Dla uzupełnienia wiedzy o częściach elektronicznych warto odwiedzić dedykowane źródła.
Tranzystor o symbolu : RJP30H2A SMD (TO-252) »
ID produktu: 14006
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP30H2A SMD (TO-252)
Tranzystor RJP30H2A, realizowany w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (Vds) wynoszącym 360V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 30A. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia oraz szybki czas przełączania, co czyni go odpowiednim do zastosowań w przetwornicach DC/DC, sterownikach silników oraz w innych układach wymagających efektywnego przełączania.
Tranzystor RJP30H2A SMD (TO-252)
Tranzystor RJP30H2A, realizowany w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (Vds) wynoszącym 360V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 30A. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia oraz szybki czas przełączania, co czyni go odpowiednim do zastosowań w przetwornicach DC/DC, sterownikach silników oraz w innych układach wymagających efektywnego przełączania.
Tranzystor o symbolu : RJP30H2A SMD (TO-263) »
ID produktu: 14541
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »
Tranzystor o symbolu : RJP30Y2A PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12494
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor RJP30Y2A PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP30Y2A, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS wynoszącym 360V, prądem drenu ID do 35A oraz minimalnym napięciem bramki VGS(th) na poziomie 4.0V. Jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w układach wysokiej mocy, gdzie wymagana jest efektywna komutacja oraz stabilność termiczna. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten jest często wybierany do zastosowań w zaawansowanych częściach elektronicznych, wymagających niezawodności i długotrwałej pracy.
Tranzystor RJP30Y2A PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJP30Y2A, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS wynoszącym 360V, prądem drenu ID do 35A oraz minimalnym napięciem bramki VGS(th) na poziomie 4.0V. Jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w układach wysokiej mocy, gdzie wymagana jest efektywna komutacja oraz stabilność termiczna. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten jest często wybierany do zastosowań w zaawansowanych częściach elektronicznych, wymagających niezawodności i długotrwałej pracy.