LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : ST2310HI »
ID produktu: 9601
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor ST2310HI
Tranzystor ST2310HI, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się wysoką zdolnością do przewodzenia prądu przy niskim napięciu bramki. Projektowany do zastosowań w przemysłowych układach sterowania, zapewnia stabilność pracy w szerokim zakresie temperatur. Dzięki zastosowaniu zaawansowanej technologii produkcji, tranzystor ten wyróżnia się długotrwałą niezawodnością. W odniesieniu do części elektronicznych, ST2310HI jest komponentem kluczowym w konstruowaniu efektywnych i wydajnych systemów elektronicznych.
Tranzystor ST2310HI
Tranzystor ST2310HI, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się wysoką zdolnością do przewodzenia prądu przy niskim napięciu bramki. Projektowany do zastosowań w przemysłowych układach sterowania, zapewnia stabilność pracy w szerokim zakresie temperatur. Dzięki zastosowaniu zaawansowanej technologii produkcji, tranzystor ten wyróżnia się długotrwałą niezawodnością. W odniesieniu do części elektronicznych, ST2310HI jest komponentem kluczowym w konstruowaniu efektywnych i wydajnych systemów elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : ST8812FX »
ID produktu: 9744
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor ST8812FX
Tranzystor ST8812FX, zaliczany do kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się strukturą NPN, zdolnością do pracy przy maksymalnym napięciu kolektora Vce wynoszącym 600V oraz prądem kolektora Ic do 12A. Urządzenie to znajduje zastosowanie głównie w układach zasilających, przekształtnikach oraz innych aplikacjach wymagających wysokich parametrów przełączania.
Tranzystor ST8812FX
Tranzystor ST8812FX, zaliczany do kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się strukturą NPN, zdolnością do pracy przy maksymalnym napięciu kolektora Vce wynoszącym 600V oraz prądem kolektora Ic do 12A. Urządzenie to znajduje zastosowanie głównie w układach zasilających, przekształtnikach oraz innych aplikacjach wymagających wysokich parametrów przełączania.
Tranzystor o symbolu : STGW30NC60WD (TO-247) »
ID produktu: 12835
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STGW30NC60WD (TO-247)
Tranzystor STGW30NC60WD, w obudowie TO-247, to wysokowydajny komponent przeznaczony do zastosowań w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzujący się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym kolektora do 30A, znajduje zastosowanie w konwerterach częstotliwości, zasilaczach impulsowych oraz innych urządzeniach wymagających efektywnej komutacji. Dostępny w ofercie części elektronicznych.
STGW30NC60WD (TO-247)
Tranzystor STGW30NC60WD, w obudowie TO-247, to wysokowydajny komponent przeznaczony do zastosowań w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzujący się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym kolektora do 30A, znajduje zastosowanie w konwerterach częstotliwości, zasilaczach impulsowych oraz innych urządzeniach wymagających efektywnej komutacji. Dostępny w ofercie części elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : STGW38IH130D (TO-247) »
ID produktu: 12943
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STGW38IH130D (TO-247)
Tranzystor STGW38IH130D, z obudową typu TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCE wynoszącym 1300V oraz prądem kolektora IC o wartości 38A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest zaprojektowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przekształtników częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających szybkiego przełączania.
STGW38IH130D (TO-247)
Tranzystor STGW38IH130D, z obudową typu TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCE wynoszącym 1300V oraz prądem kolektora IC o wartości 38A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest zaprojektowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przekształtników częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających szybkiego przełączania.
Tranzystor o symbolu : STP16NE06 METAL (TO-220) »
ID produktu: 10826
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP16NE06 METAL (TO-220)
Tranzystor STP16NE06 METAL, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS maksymalnym wynoszącym 60V oraz prądem drenu ID równym 16A. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przyczynia się do efektywnego zarządzania mocą. Tranzystor typu N-MOSFET jest przeznaczony do szerokiego zakresu aplikacji, w tym przetwarzania energii i komutacji.
STP16NE06 METAL (TO-220)
Tranzystor STP16NE06 METAL, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS maksymalnym wynoszącym 60V oraz prądem drenu ID równym 16A. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przyczynia się do efektywnego zarządzania mocą. Tranzystor typu N-MOSFET jest przeznaczony do szerokiego zakresu aplikacji, w tym przetwarzania energii i komutacji.
Tranzystor o symbolu : STP16NE06FP PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 8708
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP16NE06FP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor STP16NE06FP, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=60V, prądem drenu Id=16A oraz niską rezystancją kanału Rds(on) przy 10V Vgs, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wysokoprądowych. Wysoka zdolność do przewodzenia prądu oraz efektywna termiczna konstrukcja obudowy umożliwiają efektywne rozpraszanie ciepła. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w układach zasilania, sterowania silnikami i przetwarzania mocy.
STP16NE06FP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor STP16NE06FP, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=60V, prądem drenu Id=16A oraz niską rezystancją kanału Rds(on) przy 10V Vgs, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wysokoprądowych. Wysoka zdolność do przewodzenia prądu oraz efektywna termiczna konstrukcja obudowy umożliwiają efektywne rozpraszanie ciepła. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w układach zasilania, sterowania silnikami i przetwarzania mocy.
Tranzystor o symbolu : STP16NF06 METAL »
ID produktu: 11191
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP16NF06 METAL
Tranzystor STP16NF06 METAL, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 60V oraz prądem drenu ID na poziomie 16A. Urządzenie to, z kanałem typu N, zapewnia niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co jest kluczowe dla aplikacji o wysokiej efektywności. Wysoka szybkość przełączania oraz termiczna wytrzymałość obudowy TO-220 zapewniają niezawodność w trudnych warunkach pracy. Dostęp do szerokiej gamy części elektronicznych umożliwia efektywną integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
STP16NF06 METAL
Tranzystor STP16NF06 METAL, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 60V oraz prądem drenu ID na poziomie 16A. Urządzenie to, z kanałem typu N, zapewnia niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co jest kluczowe dla aplikacji o wysokiej efektywności. Wysoka szybkość przełączania oraz termiczna wytrzymałość obudowy TO-220 zapewniają niezawodność w trudnych warunkach pracy. Dostęp do szerokiej gamy części elektronicznych umożliwia efektywną integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : STP3NK80Z (TO-220) METAL »
ID produktu: 10378
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor STP3NK80Z (TO-220) METAL
Model STP3NK80Z, w obudowie TO-220, to tranzystor MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem drenu-source VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 3A. Urządzenie to zapewnia niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach zasilających. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
Tranzystor STP3NK80Z (TO-220) METAL
Model STP3NK80Z, w obudowie TO-220, to tranzystor MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem drenu-source VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 3A. Urządzenie to zapewnia niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach zasilających. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
Tranzystor o symbolu : STP40N03 METAL (TO-220) »
ID produktu: 11462
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor STP40N03 METAL (TO-220)
Model STP40N03, zawarty w obudowie TO-220, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w szerokim zakresie temperatur. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką zdolnością do przewodzenia prądu, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających efektywnej komutacji. Jego maksymalne napięcie drenu do źródła wynosi 30V, a maksymalny prąd ciągły drenu to 40A. Wysoka wydajność termiczna obudowy TO-220 umożliwia skuteczne odprowadzanie ciepła. W celu uzyskania szczegółowych informacji na temat tego oraz innych części elektronicznych, zapraszamy do odwiedzenia naszej strony.
Tranzystor STP40N03 METAL (TO-220)
Model STP40N03, zawarty w obudowie TO-220, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do pracy w szerokim zakresie temperatur. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką zdolnością do przewodzenia prądu, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających efektywnej komutacji. Jego maksymalne napięcie drenu do źródła wynosi 30V, a maksymalny prąd ciągły drenu to 40A. Wysoka wydajność termiczna obudowy TO-220 umożliwia skuteczne odprowadzanie ciepła. W celu uzyskania szczegółowych informacji na temat tego oraz innych części elektronicznych, zapraszamy do odwiedzenia naszej strony.
Tranzystor o symbolu : STP4NA40FI PLASTIC »
ID produktu: 9461
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »STP4NA40FI PLASTIC
Tranzystor STP4NA40FI PLASTIC, MOSFET typu N, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło Vds wynoszącym 400V oraz prądem drenu Id do 4.5A. Urządzenie zaprojektowano w obudowie TO-220FP, co umożliwia efektywne odprowadzanie ciepła. Zastosowanie tego komponentu znajduje się głównie w przetwornicach mocy oraz układach sterowania. Dostępność części elektronicznych takich jak STP4NA40FI PLASTIC pozwala na realizację zaawansowanych projektów elektronicznych.
STP4NA40FI PLASTIC
Tranzystor STP4NA40FI PLASTIC, MOSFET typu N, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło Vds wynoszącym 400V oraz prądem drenu Id do 4.5A. Urządzenie zaprojektowano w obudowie TO-220FP, co umożliwia efektywne odprowadzanie ciepła. Zastosowanie tego komponentu znajduje się głównie w przetwornicach mocy oraz układach sterowania. Dostępność części elektronicznych takich jak STP4NA40FI PLASTIC pozwala na realizację zaawansowanych projektów elektronicznych.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów