Tranzystory

ID produktu: 11211

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 13610

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 15N50C3 METAL (TO-220)

Tranzystor 15N50C3, zamknięty w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source V_DS równym 500V oraz prądem drenu I_D o wartości 15A. Urządzenie to operuje przy maksymalnej temperaturze pracy wynoszącej 150°C. Integralnym elementem tranzystora jest zintegrowany diodowy układ zabezpieczający przed przepięciami. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i przekształtnikach częstotliwości.

ID produktu: 10710

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 15N65 PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor 15N65 PLASTIC, wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 650V oraz prądem drenu 15A. Urządzenie to, wykorzystywane w aplikacjach o wysokiej efektywności, jest częścią kluczową w projektowaniu zaawansowanych układów elektronicznych. Dostęp do szerokiej gamy części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi systemami.

ID produktu: 14042

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 15N80K PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor 15N80K PLASTIC, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source V_DS wynoszącym 800V oraz prądem drenu I_D na poziomie 15A. Urządzenie to, dedykowane do aplikacji w przekształtnikach i zasilaczach, operuje w zakresie temperatur od -55°C do +150°C. W kontekście części elektronicznych, tranzystor 15N80K wyróżnia się również niskimi stratami przełączania dzięki technologii Super Junction.

ID produktu: 12179

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

FQP16N25C METAL (TO-220)

Tranzystor FQP16N25C, w obudowie typu TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 250V oraz prądem drenu I_D o wartości 16A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykorzystuje technologię MOSFET, zapewniającą wysoką wydajność przy minimalnych stratach mocy. Specyfikacja obejmuje również niską rezystancję kanału R_DS(on), co przekłada się na lepszą efektywność w aplikacjach przełączających.

ID produktu: 11812

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 16N50 (FDP16N50) METAL (TO-220)

Model 16N50 (FDP16N50), wykonany w obudowie METAL (TO-220), jest tranzystorem MOSFET typu N o maksymalnym napięciu dren-źródło wynoszącym 500V i prądzie drenu do 16A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność energetyczną w aplikacjach przemysłowych. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, 16N50 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur, co jest istotne przy projektowaniu układów mocy.

ID produktu: 13349

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 17N20D = FS17N20D SMD (TO-263)

Model FS17N20D, w obudowie SMD typu TO-263, to tranzystor typu MOSFET N-kanałowy, zaprojektowany do zastosowań w wysokonapięciowych obwodach przełączających. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła Vds=200V, prądem drenu Id=17A oraz niską rezystancją w stanie przewodzenia Rds(on), co minimalizuje straty mocy. Dedykowany dla części elektronicznych wymagających efektywnej kontroli mocy w kompaktowych rozwiązaniach.

ID produktu: 10616

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 17N80C3 METAL (TO-220)

Tranzystor 17N80C3 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source V_DS wynoszącym 800V oraz prądem drenu I_D na poziomie 17A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, zapewnia niskie R_DS(on) dla zwiększenia efektywności energetycznej. Wskazane jest do wykorzystania w zaawansowanych częściach elektronicznych, takich jak zasilacze impulsowe czy inwertery.

ID produktu: 11438

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 18N20GS SMD (TO-252)

Tranzystor 18N20GS, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem przewodzenia do 200V oraz maksymalnym prądem drenu wynoszącym 18A. Wyróżnia się niską rezystancją kanału przy Vgs=10V, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Idealnie nadaje się do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej niezawodności.

ID produktu: 10368

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

FQPF18N50C Tranzystor MOSFET 500V N-Channel QFET

Tranzystor FQPF18N50C, znany również jako 18N50C PLASTIC, to komponent z rodziny MOSFET, operujący w konfiguracji N-Channel, zdolny do pracy przy napięciu do 500V. Charakteryzuje się maksymalnym prądem drenu wynoszącym 18A. Dzięki zastosowaniu technologii QFET, urządzenie to oferuje zwiększoną efektywność przy przetwarzaniu sygnałów. W kontekście części elektronicznych, FQPF18N50C znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, gdzie wymagana jest wysoka niezawodność i efektywność energetyczna.