LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 10N60 METAL (TO-220) »
ID produktu: 9070
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 10N60 METAL (TO-220)
Model 10N60 METAL, zawarty w obudowie TO-220, to tranzystor typu MOSFET charakteryzujący się napięciem drenu-source wynoszącym 600V oraz prądem drenu 10A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz w układach sterowania silnikami.
Tranzystor 10N60 METAL (TO-220)
Model 10N60 METAL, zawarty w obudowie TO-220, to tranzystor typu MOSFET charakteryzujący się napięciem drenu-source wynoszącym 600V oraz prądem drenu 10A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz w układach sterowania silnikami.
Tranzystor o symbolu : 10N65 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13230
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 10N65 METAL (TO-220)
Tranzystor 10N65 METAL (TO-220) to półprzewodnikowy element wykonany w technologii MOSFET, charakteryzujący się napięciem pracy do 650V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 10A. Obudowa TO-220 zapewnia efektywną dystrybucję ciepła. Urządzenie jest przeznaczone do zastosowań w wysokonapięciowych układach zasilających. Dostępne części elektroniczne ułatwiają integrację z różnorodnymi układami.
Tranzystor 10N65 METAL (TO-220)
Tranzystor 10N65 METAL (TO-220) to półprzewodnikowy element wykonany w technologii MOSFET, charakteryzujący się napięciem pracy do 650V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 10A. Obudowa TO-220 zapewnia efektywną dystrybucję ciepła. Urządzenie jest przeznaczone do zastosowań w wysokonapięciowych układach zasilających. Dostępne części elektroniczne ułatwiają integrację z różnorodnymi układami.
Tranzystor o symbolu : 10NC50 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13220
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 10NC50 PLASTIC (TO-220F)
Model 10NC50, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem kolektora do 10A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w układach przełączających, zapewnia wysoką efektywność i stabilność termiczną. Dostępność tego i innych części elektronicznych znacząco wpływa na elastyczność projektowania urządzeń elektronicznych.
Tranzystor 10NC50 PLASTIC (TO-220F)
Model 10NC50, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem kolektora do 10A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w układach przełączających, zapewnia wysoką efektywność i stabilność termiczną. Dostępność tego i innych części elektronicznych znacząco wpływa na elastyczność projektowania urządzeń elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 10NK80ZFP PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10707
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 10NK80ZFP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 10NK80ZFP, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 800V oraz prądem drenu ID do 10A. Zastosowanie technologii MOSFET zapewnia wysoką efektywność i szybką przełączalność. Urządzenie jest przeznaczone do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania o wysokiej mocy.
Tranzystor 10NK80ZFP PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 10NK80ZFP, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 800V oraz prądem drenu ID do 10A. Zastosowanie technologii MOSFET zapewnia wysoką efektywność i szybką przełączalność. Urządzenie jest przeznaczone do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania o wysokiej mocy.
Tranzystor o symbolu : 11N120CND (TO-247) »
ID produktu: 12935
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N120CND (TO-247)
Model 11N120CND, tranzystor w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 1200 V oraz prądem kolektora do 11 A. Dedykowany do zastosowań w wysokonapięciowych układach zasilających, oferuje niskie VCE(sat) przy zachowaniu efektywności przełączania. Części elektroniczne tego typu znajdują zastosowanie w przekształtnikach częstotliwości, zasilaczach impulsowych oraz innych aplikacjach wymagających stabilności termicznej i elektrycznej.
Tranzystor 11N120CND (TO-247)
Model 11N120CND, tranzystor w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 1200 V oraz prądem kolektora do 11 A. Dedykowany do zastosowań w wysokonapięciowych układach zasilających, oferuje niskie VCE(sat) przy zachowaniu efektywności przełączania. Części elektroniczne tego typu znajdują zastosowanie w przekształtnikach częstotliwości, zasilaczach impulsowych oraz innych aplikacjach wymagających stabilności termicznej i elektrycznej.
Tranzystor o symbolu : 11N40C METAL »
ID produktu: 10854
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N40C METAL
Tranzystor 11N40C METAL, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID na poziomie 11A. Urządzenie to, wykonane w technologii metal-oksyd-półprzewodnik, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Zastosowanie w częściach elektronicznych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Specyfikacja obejmuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach przełączających.
Tranzystor 11N40C METAL
Tranzystor 11N40C METAL, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID na poziomie 11A. Urządzenie to, wykonane w technologii metal-oksyd-półprzewodnik, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Zastosowanie w częściach elektronicznych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Specyfikacja obejmuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach przełączających.
Tranzystor o symbolu : 11N50 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13231
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N50 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N50, zawarty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu do 11A. Urządzenie to jest przystosowane do pracy w szerokim zakresie temperatur, co zapewnia jego uniwersalność w różnorodnych aplikacjach. Dedykowany głównie do zastosowań w przetwornicach mocy, stanowi kluczowy komponent w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i efektywności energetycznej.
Tranzystor 11N50 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N50, zawarty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu do 11A. Urządzenie to jest przystosowane do pracy w szerokim zakresie temperatur, co zapewnia jego uniwersalność w różnorodnych aplikacjach. Dedykowany głównie do zastosowań w przetwornicach mocy, stanowi kluczowy komponent w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i efektywności energetycznej.
Tranzystor o symbolu : 11N60 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 11264
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N60 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N60 PLASTIC, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 600V oraz prądem drenu o wartości 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do +150°C, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności termicznej.
Tranzystor 11N60 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N60 PLASTIC, zamknięty w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 600V oraz prądem drenu o wartości 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w zakresie temperatur od -55°C do +150°C, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających wysokiej wydajności termicznej.
Tranzystor o symbolu : 11N65 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13609
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N65 METAL (TO-220)
Tranzystor 11N65 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS = 650V oraz prądem drenu ID = 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niskie RDS(on), co przekłada się na zredukowane straty mocy w aplikacjach przełączających. Specyfikacja obejmuje także czas włączenia i wyłączenia, co jest kluczowe dla efektywności dynamicznej.
Tranzystor 11N65 METAL (TO-220)
Tranzystor 11N65 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS = 650V oraz prądem drenu ID = 11A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niskie RDS(on), co przekłada się na zredukowane straty mocy w aplikacjach przełączających. Specyfikacja obejmuje także czas włączenia i wyłączenia, co jest kluczowe dla efektywności dynamicznej.
Tranzystor o symbolu : 11N65 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 13637
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 11N65 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N65 PLASTIC (TO-220F) to element półprzewodnikowy z rodziny MOSFET o napięciu pracy 650V oraz prądzie 11A, zaprojektowany w obudowie TO-220F. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia (Rds(on)), co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz systemach zarządzania mocą.
Tranzystor 11N65 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 11N65 PLASTIC (TO-220F) to element półprzewodnikowy z rodziny MOSFET o napięciu pracy 650V oraz prądzie 11A, zaprojektowany w obudowie TO-220F. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia (Rds(on)), co minimalizuje straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz systemach zarządzania mocą.
Naprawa RTV - Porady i usługi Magicy RTV AGD - Grupa ekspertów