LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : BUL810H METAL (TO-3PN) »
ID produktu: 12214
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUL810H METAL (TO-3PN)
Model BUL810H, realizowany w obudowie METAL TO-3PN, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach. Jego parametry pozwalają na efektywną komutację w układach zasilających, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Warto zwrócić uwagę na jego specyfikację, obejmującą maksymalne napięcie kolektora-emitera oraz prąd kolektora, co jest kluczowe przy projektowaniu części elektronicznych.
Tranzystor BUL810H METAL (TO-3PN)
Model BUL810H, realizowany w obudowie METAL TO-3PN, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach. Jego parametry pozwalają na efektywną komutację w układach zasilających, co czyni go odpowiednim dla aplikacji wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Warto zwrócić uwagę na jego specyfikację, obejmującą maksymalne napięcie kolektora-emitera oraz prąd kolektora, co jest kluczowe przy projektowaniu części elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : BUP400D SMD »
ID produktu: 11444
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUP400D SMD
Model BUP400D, będący tranzystorem w obudowie SMD, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 400V oraz prądem kolektora do 30A. Jego aplikacje znajdują szerokie zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Dostępność tych części elektronicznych ułatwia implementację w projektach wymagających komponentów o precyzyjnych parametrach elektrycznych.
Tranzystor BUP400D SMD
Model BUP400D, będący tranzystorem w obudowie SMD, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 400V oraz prądem kolektora do 30A. Jego aplikacje znajdują szerokie zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Dostępność tych części elektronicznych ułatwia implementację w projektach wymagających komponentów o precyzyjnych parametrach elektrycznych.
Tranzystor o symbolu : BUT11A METAL (TO-220) »
ID produktu: 8608
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUT11A METAL (TO-220)
Tranzystor BUT11A, w obudowie metalowej typu TO-220, charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 450V oraz prądem kolektora do 5A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, układach zasilania, a także w aplikacjach przemysłowych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor BUT11A METAL (TO-220)
Tranzystor BUT11A, w obudowie metalowej typu TO-220, charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 450V oraz prądem kolektora do 5A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, układach zasilania, a także w aplikacjach przemysłowych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
Tranzystor o symbolu : BUT11AF PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 8814
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUT11AF PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor BUT11AF, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się wysoką mocą oraz napięciem pracy. Jako element półprzewodnikowy, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie stabilność i efektywność są kluczowe. Dostępność tego komponentu w ofercie części elektronicznych umożliwia integrację z szerokim spektrum urządzeń.
Tranzystor BUT11AF PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor BUT11AF, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się wysoką mocą oraz napięciem pracy. Jako element półprzewodnikowy, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie stabilność i efektywność są kluczowe. Dostępność tego komponentu w ofercie części elektronicznych umożliwia integrację z szerokim spektrum urządzeń.
Tranzystor o symbolu : BUT11APX PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 8609
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUT11APX PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor BUT11APX, w obudowie PLASTIC (TO-220F), to komponent przeznaczony do zastosowań w przetwornicach wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 450V oraz prądem kolektora IC na poziomie 5A. Dzięki zastosowaniu technologii SILICON DIFFUSED, tranzystor ten zapewnia wysoką szybkość przełączania i niskie straty mocy. Idealny do zasilaczy impulsowych, inwerterów oraz aplikacji przemysłowych. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.
Tranzystor BUT11APX PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor BUT11APX, w obudowie PLASTIC (TO-220F), to komponent przeznaczony do zastosowań w przetwornicach wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 450V oraz prądem kolektora IC na poziomie 5A. Dzięki zastosowaniu technologii SILICON DIFFUSED, tranzystor ten zapewnia wysoką szybkość przełączania i niskie straty mocy. Idealny do zasilaczy impulsowych, inwerterów oraz aplikacji przemysłowych. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.
Tranzystor o symbolu : BUT11AX PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 8610
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUT11AX PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor BUT11AX, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 450V oraz prądem kolektora IC osiągającym wartość maksymalną 5A. Jego zastosowanie znajduje się w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i układach przetwarzania mocy. Parametry termiczne i elektryczne tego tranzystora pozwalają na efektywne sterowanie mocą w obwodach elektronicznych.
Tranzystor BUT11AX PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor BUT11AX, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 450V oraz prądem kolektora IC osiągającym wartość maksymalną 5A. Jego zastosowanie znajduje się w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i układach przetwarzania mocy. Parametry termiczne i elektryczne tego tranzystora pozwalają na efektywne sterowanie mocą w obwodach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : BUT12A METAL (TO-220) »
ID produktu: 8611
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »
Tranzystor o symbolu : BUT12AF PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 8612
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUT12AF PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor BUT12AF, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 450V oraz prądem kolektora IC osiągającym wartość do 8A. Urządzenie to, stosowane w aplikacjach przełączających i w układach wzmacniaczy, wykazuje także czas wyłączenia nie przekraczający 3.0 µs. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć w specyfikacjach technicznych dostępnych online.
Tranzystor BUT12AF PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor BUT12AF, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 450V oraz prądem kolektora IC osiągającym wartość do 8A. Urządzenie to, stosowane w aplikacjach przełączających i w układach wzmacniaczy, wykazuje także czas wyłączenia nie przekraczający 3.0 µs. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć w specyfikacjach technicznych dostępnych online.
Tranzystor o symbolu : BUT18AF »
ID produktu: 8613
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor BUT18AF
Model BUT18AF, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką typu NPN, przeznaczony jest do zastosowań w układach o wysokiej częstotliwości i dużej mocy. Charakteryzując się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 1000V oraz prądem kolektora IC do 5A, jest idealnym wyborem dla zaawansowanych części elektronicznych w aplikacjach przemysłowych. Jego parametry gwarantują efektywność w przetwarzaniu sygnałów o dużej mocy.
Tranzystor BUT18AF
Model BUT18AF, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką typu NPN, przeznaczony jest do zastosowań w układach o wysokiej częstotliwości i dużej mocy. Charakteryzując się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 1000V oraz prądem kolektora IC do 5A, jest idealnym wyborem dla zaawansowanych części elektronicznych w aplikacjach przemysłowych. Jego parametry gwarantują efektywność w przetwarzaniu sygnałów o dużej mocy.
Tranzystor o symbolu : BUT56A (TO-220) »
ID produktu: 8815
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »BUT56A (TO-220)
Tranzystor BUT56A, zamknięty w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 800V oraz prądem kolektora IC o wartości 3A. Projektowany z myślą o aplikacjach w przekształtnikach i zasilaczach, jest komponentem kluczowym w częściach elektronicznych dedykowanych do wysokonapięciowych zastosowań. Jego maksymalna moc rozpraszana PD osiąga 50W, co pozwala na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur.
BUT56A (TO-220)
Tranzystor BUT56A, zamknięty w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 800V oraz prądem kolektora IC o wartości 3A. Projektowany z myślą o aplikacjach w przekształtnikach i zasilaczach, jest komponentem kluczowym w częściach elektronicznych dedykowanych do wysokonapięciowych zastosowań. Jego maksymalna moc rozpraszana PD osiąga 50W, co pozwala na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur.