Tranzystory

ID produktu: 14008

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2N60B (SS2N60B) PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor typu MOSFET o symbolu 2N60B, wersja SS2N60B, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia dren-źródło V_DS wynoszącym 600V oraz prądem drenu I_D na poziomie 2A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz w układach sterowania silnikami.

ID produktu: 10600

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2N60C (FQPF2N60C) PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor 2N60C, znany również jako FQPF2N60C, realizowany jest w obudowie TO-220F, charakteryzując się przez maksymalne napięcie dren-źródło V_DS wynoszące 600V oraz prąd drenu I_D na poziomie 2A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych oraz w szerokim zakresie aplikacji przełączających. Wyróżnia się wysoką odpornością na impulsy napięciowe oraz efektywnością w zarządzaniu energią.

ID produktu: 11814

Stan magazynowy: chwilowo niedostępny

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2N6491 METAL (TO-220)

Tranzystor 2N6491, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie oraz wzmacnianie sygnałów w układach elektronicznych. Dedykowany głównie do zastosowań w przemyśle, ten komponent może być stosowany w różnorodnych aplikacjach. Dostępność tego typu części elektronicznych jest kluczowa dla utrzymania ciągłości pracy systemów.

ID produktu: 13403

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2N7002 SMD (SOT-23)

Tranzystor 2N7002, realizowany w obudowie SOT-23, to element z kategorii MOSFET typu N. Charakteryzuje się napięciem przebicia V_DS wynoszącym 60V oraz prądem drenu I_D maksymalnym na poziomie 200mA. Jego niska rezystancja kanału przy włączeniu, R_DS(on), zapewnia efektywną pracę w układach przełączających. Dedykowany dla aplikacji o ograniczonej przestrzeni, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach zarządzania mocą i logice poziomów.

ID produktu: 12433

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2NC60 SMD (TO-252)

Tranzystor 2NC60 SMD, w obudowie TO-252, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką wydajnością prądową. Znajdujący zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości, jest nieodzownym elementem w projektowaniu nowoczesnych części elektronicznych. Maksymalna dopuszczalna moc oraz szybkość przełączania podkreślają jego uniwersalność.

ID produktu: 12348

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2PG006 PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor 2PG006, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia V_BRCEO, które wynosi 600V oraz prądem kolektora I_C o wartości 6A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w częściach elektronicznych, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Jego zastosowanie znajduje się głównie w układach zasilających, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających stabilizacji napięcia przy dużej mocy.

ID produktu: 13235

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2PG011 PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor 2PG011, skonfigurowany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 600V oraz prądem kolektora do 10A. Element ten, należący do grupy części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur.

ID produktu: 9713

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SA1011 METAL (TO-220)

Model 2SA1011 to tranzystor PNP o obudowie METAL (TO-220), zaprojektowany do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy oraz regulacji prądowej. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera V_CEO wynoszącym -160V oraz prądem kolektora I_C do -1.5A. Jego zastosowanie znajduje się w szerokim spektrum aplikacji, od audio po przemysłowe moduły sterujące. Dostępność części elektronicznych takich jak 2SA1011 jest kluczowa dla efektywnego projektowania systemów elektronicznych.

ID produktu: 10444

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

ID produktu: 8791

Stan magazynowy: w magazynie

Kategoria: Tranzystory

Tranzystor 2SA1013 (TO-92)

Tranzystor 2SA1013, w obudowie TO-92, to półprzewodnikowy komponent typu PNP, przeznaczony do zastosowań niskoszumowych w układach wzmacniaczy audio. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera V_CEO równym -160V oraz maksymalnym prądem kolektora I_C wynoszącym -1A. Części elektroniczne tego typu znajdują zastosowanie w szerokim spektrum urządzeń audiofilskich.