LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 2SK2295 PLASTIC »
ID produktu: 9089
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SK2295 PLASTIC
Tranzystor 2SK2295 PLASTIC, typ MOSFET, charakteryzuje się napięciem drenu-source V(DSS) wynoszącym 900V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 3A. Urządzenie to, ze względu na konstrukcję w obudowie plastikowej, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilających i przekształtnikach. Niskie R(DS)(on) minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe dla efektywności energetycznej aplikacji.
Tranzystor 2SK2295 PLASTIC
Tranzystor 2SK2295 PLASTIC, typ MOSFET, charakteryzuje się napięciem drenu-source V(DSS) wynoszącym 900V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 3A. Urządzenie to, ze względu na konstrukcję w obudowie plastikowej, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilających i przekształtnikach. Niskie R(DS)(on) minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe dla efektywności energetycznej aplikacji.
Tranzystor o symbolu : 2SK2378 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 12775
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SK2378 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2SK2378, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia Vds oraz wysokim prądem Id. Jako element części elektronicznych, znajduje zastosowanie w układach przełączających i wzmacniających, oferując stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. Parametry elektryczne umożliwiają efektywne zarządzanie mocą w aplikacjach o wysokich wymaganiach.
Tranzystor 2SK2378 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2SK2378, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia Vds oraz wysokim prądem Id. Jako element części elektronicznych, znajduje zastosowanie w układach przełączających i wzmacniających, oferując stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. Parametry elektryczne umożliwiają efektywne zarządzanie mocą w aplikacjach o wysokich wymaganiach.
Tranzystor o symbolu : 2SK2381 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 11432
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SK2381 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2SK2381, z obudową TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła (Vds) wynoszącym 900V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 3A. Urządzenie typu N-MOSFET, zapewnia wysoką efektywność przy minimalizacji strat mocy, co jest kluczowe dla aplikacji przełączających. Dedykowany dla zaawansowanych układów elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych oraz przetwornicach. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych na rynku.
Tranzystor 2SK2381 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2SK2381, z obudową TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła (Vds) wynoszącym 900V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 3A. Urządzenie typu N-MOSFET, zapewnia wysoką efektywność przy minimalizacji strat mocy, co jest kluczowe dla aplikacji przełączających. Dedykowany dla zaawansowanych układów elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych oraz przetwornicach. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych na rynku.
Tranzystor o symbolu : 2SK2399 »
ID produktu: 11433
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SK2399
Tranzystor 2SK2399, będący elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia dren-źródło V(DSS) wynoszącym 600V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 2A. Przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania mocy, ten komponent jest często wykorzystywany w przemyśle części elektronicznych. Jego obudowa TO-220AB zapewnia optymalne rozpraszanie ciepła.
Tranzystor 2SK2399
Tranzystor 2SK2399, będący elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia dren-źródło V(DSS) wynoszącym 600V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 2A. Przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania mocy, ten komponent jest często wykorzystywany w przemyśle części elektronicznych. Jego obudowa TO-220AB zapewnia optymalne rozpraszanie ciepła.
Tranzystor o symbolu : 2SK2485 »
ID produktu: 8531
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SK2485
Tranzystor 2SK2485, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=500V, prądem drenu Id=5A oraz niską rezystancją kanału przy Vgs=10V. Znajduje zastosowanie w przetwornicach mocy, zasilaczach impulsowych oraz w innych aplikacjach wymagających efektywnego przełączania. Dostępność części elektronicznych umożliwia szerokie wykorzystanie w projektach inżynierskich.
Tranzystor 2SK2485
Tranzystor 2SK2485, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=500V, prądem drenu Id=5A oraz niską rezystancją kanału przy Vgs=10V. Znajduje zastosowanie w przetwornicach mocy, zasilaczach impulsowych oraz w innych aplikacjach wymagających efektywnego przełączania. Dostępność części elektronicznych umożliwia szerokie wykorzystanie w projektach inżynierskich.
Tranzystor o symbolu : 2SK2543 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10731
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SK2543 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2SK2543, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS = 500V, prądem drenu ID = 5A oraz maksymalną mocą strat PD = 40W. Zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy, będąc odpowiednim wyborem dla aplikacji wymagających regulacji napięcia i przetwarzania mocy. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz układach sterowania.
Tranzystor 2SK2543 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2SK2543, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS = 500V, prądem drenu ID = 5A oraz maksymalną mocą strat PD = 40W. Zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy, będąc odpowiednim wyborem dla aplikacji wymagających regulacji napięcia i przetwarzania mocy. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz układach sterowania.
Tranzystor o symbolu : 2SK2545 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 8533
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SK2545 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2SK2545, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V(DSS) wynoszącym 600V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 5A. Urządzenie typu N-channel MOSFET zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy, co jest kluczowe dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych. Niska rezystancja w stanie przewodzenia R(DS)(on) oraz szybka prędkość przełączania to cechy, które wyróżniają ten model na tle konkurencyjnych rozwiązań.
Tranzystor 2SK2545 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2SK2545, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V(DSS) wynoszącym 600V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 5A. Urządzenie typu N-channel MOSFET zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy, co jest kluczowe dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych. Niska rezystancja w stanie przewodzenia R(DS)(on) oraz szybka prędkość przełączania to cechy, które wyróżniają ten model na tle konkurencyjnych rozwiązań.
Tranzystor o symbolu : 2SK2605 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 8534
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SK2605 PLASTIC (TO-220F)
Model 2SK2605, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się unipolarnym kanałem N, zamkniętym w obudowie PLASTIC TO-220F. Przeznaczony do aplikacji o wysokiej mocy, posiada maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 60V oraz prąd drenu ID na poziomie 5A. Wysoka odporność na impulsy napięciowe oraz niska rezystancja kanału on-state, RDS(on), sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych.
Tranzystor 2SK2605 PLASTIC (TO-220F)
Model 2SK2605, tranzystor typu MOSFET, charakteryzuje się unipolarnym kanałem N, zamkniętym w obudowie PLASTIC TO-220F. Przeznaczony do aplikacji o wysokiej mocy, posiada maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 60V oraz prąd drenu ID na poziomie 5A. Wysoka odporność na impulsy napięciowe oraz niska rezystancja kanału on-state, RDS(on), sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych.
Tranzystor o symbolu : 2SK2610 METAL (TO-3PN) »
ID produktu: 9859
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SK2610 METAL (TO-3PN)
Tranzystor 2SK2610, w obudowie typu TO-3PN, charakteryzuje się wysoką mocą oraz napięciem pracy. Zaprojektowany do zastosowań w układach przetwarzania mocy, oferuje doskonałą szybkość przełączania i niskie straty przewodzenia. Dedykowany dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych, takich jak zasilacze impulsowe, inwertery czy systemy zarządzania mocą.
Tranzystor 2SK2610 METAL (TO-3PN)
Tranzystor 2SK2610, w obudowie typu TO-3PN, charakteryzuje się wysoką mocą oraz napięciem pracy. Zaprojektowany do zastosowań w układach przetwarzania mocy, oferuje doskonałą szybkość przełączania i niskie straty przewodzenia. Dedykowany dla zaawansowanych aplikacji w dziedzinie części elektronicznych, takich jak zasilacze impulsowe, inwertery czy systemy zarządzania mocą.
Tranzystor o symbolu : 2SK2611 METAL (TO3-PN) »
ID produktu: 8535
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SK2611 METAL (TO3-PN)
Model 2SK2611, tranzystor mocy typu N-MOSFET, charakteryzuje się obudową TO3-PN, zapewniającą efektywny rozpraszanie ciepła. Urządzenie oferuje maksymalne napięcie drenu-źródła VDS wynoszące 900V oraz prąd drenu ID do 9A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz w układach sterowania silnikami.
Tranzystor 2SK2611 METAL (TO3-PN)
Model 2SK2611, tranzystor mocy typu N-MOSFET, charakteryzuje się obudową TO3-PN, zapewniającą efektywny rozpraszanie ciepła. Urządzenie oferuje maksymalne napięcie drenu-źródła VDS wynoszące 900V oraz prąd drenu ID do 9A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz w układach sterowania silnikami.