LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 2SA992 (TO-92) »
ID produktu: 11098
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SA992 (TO-92)
Tranzystor 2SA992, zawarty w obudowie TO-92, charakteryzuje się parametrami PNP, dedykowanymi dla aplikacji niskoszumowych w układach audio. Prąd kolektora Ic wynosi do 100mA, przy napięciu Vceo 120V. Części elektroniczne tego typu znajdują zastosowanie w precyzyjnych wzmacniaczach i generatorach sygnału.
Tranzystor 2SA992 (TO-92)
Tranzystor 2SA992, zawarty w obudowie TO-92, charakteryzuje się parametrami PNP, dedykowanymi dla aplikacji niskoszumowych w układach audio. Prąd kolektora Ic wynosi do 100mA, przy napięciu Vceo 120V. Części elektroniczne tego typu znajdują zastosowanie w precyzyjnych wzmacniaczach i generatorach sygnału.
Tranzystor o symbolu : 2SB1015 (TO-220F) PLASTIC »
ID produktu: 9851
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SB1015
Tranzystor 2SB1015, bipolarny, typu PNP, przeznaczony jest do zastosowań w niskonapięciowych układach wzmacniaczy mocy oraz w driverach. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką prędkością przełączania. Maksymalne napięcie kolektor-emiter wynosi 50V, a maksymalny prąd kolektora to 2A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, od systemów audio po kontrolery mocy.
Tranzystor 2SB1015
Tranzystor 2SB1015, bipolarny, typu PNP, przeznaczony jest do zastosowań w niskonapięciowych układach wzmacniaczy mocy oraz w driverach. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką prędkością przełączania. Maksymalne napięcie kolektor-emiter wynosi 50V, a maksymalny prąd kolektora to 2A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, od systemów audio po kontrolery mocy.
Tranzystor o symbolu : 2SB1116 (TO-92) »
ID produktu: 13127
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SB1116 (TO-92)
Tranzystor 2SB1116, w obudowie TO-92, jest półprzewodnikowym elementem bipolarnym typu PNP, charakteryzującym się niskim napięciem nasycenia oraz umiarkowaną prędkością przełączania. Przeznaczony głównie do zastosowań w niskonapięciowych układach wzmacniaczy oraz jako element sterujący w obwodach przełączających. W kontekście części elektronicznych, 2SB1116 znajduje zastosowanie w wielu aplikacjach wymagających stabilności termicznej i niezawodności przy niewielkich mocach.
Tranzystor 2SB1116 (TO-92)
Tranzystor 2SB1116, w obudowie TO-92, jest półprzewodnikowym elementem bipolarnym typu PNP, charakteryzującym się niskim napięciem nasycenia oraz umiarkowaną prędkością przełączania. Przeznaczony głównie do zastosowań w niskonapięciowych układach wzmacniaczy oraz jako element sterujący w obwodach przełączających. W kontekście części elektronicznych, 2SB1116 znajduje zastosowanie w wielu aplikacjach wymagających stabilności termicznej i niezawodności przy niewielkich mocach.
Tranzystor o symbolu : 2SB1151 (TO-126) »
ID produktu: 11228
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SB1151 (TO-126)
Tranzystor 2SB1151, zawarty w obudowie TO-126, jest półprzewodnikiem typu PNP, przeznaczonym do zastosowań w układach o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym -80V oraz prądem kolektora (Ic) maksymalnym na poziomie -2A. Jego zastosowanie znajduje odniesienie w szerokim spektrum aplikacji, włączając w to wzmacniacze audio oraz różnorodne układy przełączające. Dostępność tego elementu w ofercie części elektronicznych umożliwia integrację z różnorakimi projektami elektronicznymi.
Tranzystor 2SB1151 (TO-126)
Tranzystor 2SB1151, zawarty w obudowie TO-126, jest półprzewodnikiem typu PNP, przeznaczonym do zastosowań w układach o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym -80V oraz prądem kolektora (Ic) maksymalnym na poziomie -2A. Jego zastosowanie znajduje odniesienie w szerokim spektrum aplikacji, włączając w to wzmacniacze audio oraz różnorodne układy przełączające. Dostępność tego elementu w ofercie części elektronicznych umożliwia integrację z różnorakimi projektami elektronicznymi.
Tranzystor o symbolu : 2SB1162 (TO-3PN) »
ID produktu: 11403
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SB1162 (TO-3PN)
Tranzystor 2SB1162, wykonany w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką prędkością przełączania. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach zasilających, audio i sterowania silnikami. Dostępny w ofercie części elektronicznych, wykazuje odporność na wysokie temperatury pracy.
Tranzystor 2SB1162 (TO-3PN)
Tranzystor 2SB1162, wykonany w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką prędkością przełączania. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach zasilających, audio i sterowania silnikami. Dostępny w ofercie części elektronicznych, wykazuje odporność na wysokie temperatury pracy.
Tranzystor o symbolu : 2SB1184 SMD »
ID produktu: 10603
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SB1184 SMD
Tranzystor 2SB1184 SMD, bipolarny typu PNP, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 80V oraz prądem kolektora IC o wartości do 1A. Obudowa SOT-89 zapewnia kompaktowe rozmiary oraz optymalizację procesu montażu powierzchniowego. W kontekście części elektronicznych, 2SB1184 znajduje zastosowanie w układach wzmacniacza mocy, sterowania silnikami oraz innych aplikacjach wymagających elementów o wysokiej niezawodności.
Tranzystor 2SB1184 SMD
Tranzystor 2SB1184 SMD, bipolarny typu PNP, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 80V oraz prądem kolektora IC o wartości do 1A. Obudowa SOT-89 zapewnia kompaktowe rozmiary oraz optymalizację procesu montażu powierzchniowego. W kontekście części elektronicznych, 2SB1184 znajduje zastosowanie w układach wzmacniacza mocy, sterowania silnikami oraz innych aplikacjach wymagających elementów o wysokiej niezawodności.
Tranzystor o symbolu : 2SB1187 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 11404
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SB1187 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2SB1187, zawierający się w obudowie PLASTIC TO-220F, jest bipolarnym tranzystorem PNP, przeznaczonym do zastosowań o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym -80V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym -3A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych układach elektronicznych, w tym w aplikacjach audio, zasilaczach i układach przełączających. Dostępność części elektronicznych takich jak Tranzystor 2SB1187 pozwala na efektywną realizację projektów elektronicznych o zróżnicowanym stopniu skomplikowania.
Tranzystor 2SB1187 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 2SB1187, zawierający się w obudowie PLASTIC TO-220F, jest bipolarnym tranzystorem PNP, przeznaczonym do zastosowań o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym -80V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym -3A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych układach elektronicznych, w tym w aplikacjach audio, zasilaczach i układach przełączających. Dostępność części elektronicznych takich jak Tranzystor 2SB1187 pozwala na efektywną realizację projektów elektronicznych o zróżnicowanym stopniu skomplikowania.
Tranzystor o symbolu : 2SB1212 (TO-92L) »
ID produktu: 11820
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SB1212 (TO-92L)
Model 2SB1212, tranzystor PNP bipolarny, zaprojektowany w obudowie TO-92L, charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter VCEO wynoszącym -50V oraz prądem kolektora IC dochodzącym do -2A. Jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w różnorodnych częściach elektronicznych, włączając w to układy wzmacniacza mocy oraz sterowania. Parametry te świadczą o jego wysokiej adaptacji do pracy w warunkach wymagających stabilnej regulacji prądu oraz napięcia.
Tranzystor 2SB1212 (TO-92L)
Model 2SB1212, tranzystor PNP bipolarny, zaprojektowany w obudowie TO-92L, charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter VCEO wynoszącym -50V oraz prądem kolektora IC dochodzącym do -2A. Jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w różnorodnych częściach elektronicznych, włączając w to układy wzmacniacza mocy oraz sterowania. Parametry te świadczą o jego wysokiej adaptacji do pracy w warunkach wymagających stabilnej regulacji prądu oraz napięcia.
Tranzystor o symbolu : 2SB1236 (TO-92) »
ID produktu: 10088
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SB1236 (TO-92)
Model 2SB1236, zamknięty w obudowie TO-92, stanowi bipolarny tranzystor PNP, charakteryzujący się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym maksymalnie 50V oraz prądem kolektora IC do 500mA. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym jako element wzmacniający sygnał w układach audio i sterujący w układach zasilania.
Tranzystor 2SB1236 (TO-92)
Model 2SB1236, zamknięty w obudowie TO-92, stanowi bipolarny tranzystor PNP, charakteryzujący się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym maksymalnie 50V oraz prądem kolektora IC do 500mA. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym jako element wzmacniający sygnał w układach audio i sterujący w układach zasilania.
Tranzystor o symbolu : 2SB1240 »
ID produktu: 9456
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 2SB1240
Tranzystor 2SB1240, bipolarny typu PNP, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniacza mocy oraz sterowania w niskich częstotliwościach. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością na impulsy prądowe. Maksymalna dopuszczalna moc rozpraszana Ptot wynosi 25W, a maksymalne napięcie kolektor-emiter VCEO to 80V. W katalogu części elektronicznych znajdują się szczegółowe dane dotyczące parametrów dynamicznych oraz statycznych tranzystora.
Tranzystor 2SB1240
Tranzystor 2SB1240, bipolarny typu PNP, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniacza mocy oraz sterowania w niskich częstotliwościach. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką odpornością na impulsy prądowe. Maksymalna dopuszczalna moc rozpraszana Ptot wynosi 25W, a maksymalne napięcie kolektor-emiter VCEO to 80V. W katalogu części elektronicznych znajdują się szczegółowe dane dotyczące parametrów dynamicznych oraz statycznych tranzystora.