Tranzystory

Tranzystor TK6P60V SMD (TO-252)

Tranzystor TK6P60V SMD, z obudową TO-252, jest elementem półprzewodnikowym przeznaczonym do zastosowań w układach elektronicznych wymagających efektywnej regulacji przepływu prądu. Charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem drenu do 6A, co czyni go odpowiednim do zastosowań w przetwornicach mocy, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych o podwyższonych wymaganiach termicznych i elektrycznych.

Tranzystor TK7P60W SMD (TO-252)

Model TK7P60W, będący tranzystorem polowego typu MOSFET, charakteryzuje się strukturą w obudowie SMD typu TO-252. Urządzenie to operuje w zakresie napięć do 600V, oferując prąd drenu wynoszący 7A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz układach sterowania silnikami.

Tranzystor TSM2314 SMD (SOT-23)

Model TSM2314, realizowany w obudowie SOT-23, jest tranzystorem typu MOSFET z kanałem typu N, zaprojektowanym do aplikacji o wysokiej efektywności. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym (Vgs(th)), co umożliwia jego wykorzystanie w niskonapięciowych obwodach sterowania. Maksymalne napięcie drenu do źródła (Vds) wynosi 20V, a maksymalny prąd drenu (Id) osiąga wartość do 6.5A. Dzięki kompaktowym wymiarom oraz wydajności termicznej, tranzystor ten znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, takich jak mobilne urządzenia elektroniczne, systemy zasilania czy moduły komunikacyjne.

Tranzystor TT2140 PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor TT2140, zaprojektowany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym maksymalnie 1500V oraz prądem kolektora (Ic) do 10A. Jego aplikacje obejmują głównie układy przełączające i wzmacniacze mocy w szerokim zakresie części elektronicznych. Parametry termiczne i elektryczne tego komponentu pozwalają na efektywną pracę w zaawansowanych systemach elektronicznych, wymagających stabilności i niezawodności w wysokich napięciach.

Tranzystor TT2170 PLASTIC (TO-220F)

Model TT2170, zaprojektowany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym 1500V oraz prądem kolektora (Ic) na poziomie 6A. Wysoka moc wyjściowa oraz zdolność do pracy przy podwyższonych temperaturach czynią go odpowiednim dla zastosowań w przetwornicach mocy, zasilaczach impulsowych i innych urządzeniach wymagających efektywnego przełączania. Dostęp do szerokiego asortymentu części elektronicznych ułatwia integrację w różnorodnych projektach.

Tranzystor TT2190 PLASTIC (TO-220F)

Tranzystor TT2190, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera wynoszącym maksymalnie 1500V oraz prądem kolektora do 12A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach przemysłowych, gdzie wymagana jest wysoka wydajność i niezawodność. Dla osób zainteresowanych częściami elektronicznymi, TT2190 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur pracy.

Tranzystor UMX-1N PIONEER SMD

UMX-1N PIONEER to tranzystor bipolarny typu NPN, konfigurowany w obudowie SMD, dedykowany do zastosowań w układach wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką szybkością przełączania. Idealnie nadaje się do miniaturyzacji części elektronicznych. Parametry graniczne zapewniają stabilność pracy w szerokim zakresie temperatur.

Tranzystor VN10KM (TO-92)

Tranzystor VN10KM, w obudowie TO-92, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, przeznaczony do zastosowań przełączających. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło V_DS do 60V oraz prądem drenu I_D do 0.3A. Znajduje zastosowanie w różnorodnych układach elektronicznych, w tym w modułach sterowania i zasilania. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie dostawcy.

Tranzystor W8NA60 METAL

Tranzystor W8NA60 METAL to kluczowy komponent dla zaawansowanych projektów elektronicznych. Charakteryzuje się wysoką wydajnością. Doskonale sprawdza się w zasilaczach. Jego trwałość jest imponująca. Zapewnia stabilność pracy układów. Jest odporny na wysokie temperatury. Idealnie nadaje się do aplikacji wymagających niezawodności. Dzięki niemu, urządzenia działają płynniej.

W ofercie znajdziesz szeroki wybór części elektronicznych. W8NA60 METAL wyróżnia się na ich tle. Jego parametry techniczne przekonują. Cena jest konkurencyjna. Warto go wybrać do swoich projektów. Zapewni im długotrwałą efektywność.

Tranzystor W9NA80 (TO-247)

Model W9NA80 to tranzystor mocy w obudowie TO-247, zaprojektowany do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Charakteryzuje się napięciem pracy do 800V oraz prądem kolektora do 9A. Znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających elementów o wysokiej wydajności i niezawodności.